VERFAHREN ZUM BILDEN EINES DÜNNSCHICHTSTAPELS AUS STRUKTURIERUNGSMATERIAL MIT METALLHALTIGER DECKSCHICHT FÜR ERHÖHTE EMPFINDLICHKEIT IN DER EXTREM-ULTRAVIOLETT- (EUV-) LITHOGRAFIE

    公开(公告)号:DE112018005569B4

    公开(公告)日:2021-06-10

    申请号:DE112018005569

    申请日:2018-12-04

    Applicant: IBM

    Abstract: Lithografisches Strukturierungsverfahren, das aufweist:Bilden eines mehrschichtigen Dünnschichtstapels (110) aus Strukturierungsmaterial auf einem Halbleitersubstrat, wobei der Dünnschichtstapel aus Strukturierungsmaterial eine oberhalb einer oder mehrerer zusätzlicher Schichten (104, 106) gebildete Fotolackschicht (108) aufweist;Bilden einer metallhaltigen Deckschicht (112) oberhalb der Fotolackschicht;Belichten des mehrschichtigen Dünnschichtstapels aus Strukturierungsmaterial mit einer Strukturierungsstrahlung durch die metallhaltige Deckschicht, um in der Fotolackschicht (108') ein gewünschtes Muster zu bilden;Entfernen der metallhaltigen Deckschicht;Entwickeln des in der Fotolackschicht (108") gebildeten Musters;Ätzen mindestens einer darunter liegenden Schicht (106') entsprechend dem entwickelten Muster; undEntfernen restlicher Teile der Fotolackschicht;wobei Bilden der metallhaltigen Deckschicht oberhalb der Fotolackschicht Bilden der metallhaltigen Deckschicht unter Verwendung eines Prozesses zur Selbstsegregation aus der Fotolackschicht aufweist.

    DÜNNSCHICHTSTAPEL AUS STRUKTURIERUNGSMATERIAL MIT METALLHALTIGER DECKSCHICHT FÜR ERHÖHTE EMPFINDLICHKEIT IN DER EXTREM-ULTRAVIOLETT- (EUV-) LITHOGRAFIE

    公开(公告)号:DE112018005569T5

    公开(公告)日:2020-08-06

    申请号:DE112018005569

    申请日:2018-12-04

    Applicant: IBM

    Abstract: Ein lithografisches Strukturierungsverfahren umfasst Bilden eines mehrschichtigen Dünnschichtstapels aus Strukturierungsmaterial auf einem Halbleitersubstrat, wobei der Dünnschichtstapel aus Strukturierungsmaterial eine oberhalb einer oder mehrerer zusätzlicher Schichten gebildete Fotolackschicht enthält, und Bilden einer metallhaltigen Deckschicht oberhalb der Fotolackschicht. Das Verfahren umfasst ferner Belichten des mehrschichtigen Dünnschichtstapels aus Strukturierungsmaterial mit einer Strukturierungsstrahlung durch die metallhaltige Deckschicht zum Bilden eines gewünschten Musters in der Fotolackschicht, Entfernen der metallhaltigen Deckschicht, Entwickeln des in der Fotolackschicht gebildeten Musters, Ätzen mindestens einer darunter liegenden Schicht entsprechend dem entwickelten Muster und Entfernen restlicher Teile der Fotolackschicht. Die metallhaltige Deckschicht kann zum Beispiel durch Atomlagenabscheidung oder Rotationsbeschichtung oberhalb der Fotolackschicht oder durch Selbstabscheidung aus der Fotolackschicht gebildet werden.

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