公开(公告)号：DE112015003641B4

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：DE112015003641

申请日：2015-09-01

Applicant: IBM

Inventor： DESHPANDE VEERESH VIDYADHAR ,  DESHPANDE SADANAND VINAYAK ,  CORLISS DANIEL ,  GLUSCHENKOV OLEG ,  KRISHNAN SIVARAMA

IPC: H05G2/00

Abstract: Ein Pellet als Strahlungsquelle für extremes Ultraviolett (EUV) enthält mindestens ein Metallpartikel, das von einem schweren Edelgascluster umschlossen ist, das wiederum innerhalb eines Edelgashüllenclusters enthalten ist. Das EUV-Strahlungsquellengebilde kann durch aufeinander folgende Bestrahlung mit mindestens einem ersten Laserimpuls und mit mindestens einem zweiten Laserimpuls aktiviert werden. Durch jeden ersten Laserimpuls wird ein Plasma erzeugt, indem Elektronen der äußeren Orbitale von dem mindestens einen Metallpartikel abgetrennt und in den schweren Edelgascluster freigesetzt werden. Durch jeden zweiten Laserimpuls wird das von dem schweren Edelgascluster umschlossene Plasma verstärkt und ein laserinduzierter Selbstverstärkungsprozess ausgelöst. Durch das verstärkte Plasma werden Übergänge zwischen Orbitalen von Elektronen des schweren Edelgases und anderen enthaltenen Atomen ausgelöst, wodurch es zur Emission von EUV-Strahlung kommt. Die Laserimpulseinheiten können mit einer Einheit zum Erzeugen von Strahlungsquellenpellets kombiniert werden, um ein komplettes EUV-Strahlungsquellensystem zu bilden.

公开(公告)号：DE112018005785T5

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：DE112018005785

申请日：2018-11-22

Applicant: IBM

Inventor： FETTEROLF PETER SHAWN ,  GUILLORN MICHAEL ,  CORLISS DANIEL ,  DUNN NEYLON DERREN

IPC: G03F7/20

Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung kann ein Verfahren zum Sicherstellen enthalten, dass ein Halbleiter-Layout fehlerfrei ist. Das Verfahren kann Analysieren eines Fotomasken-Layouts für einen Halbleiterschaltkreis umfassen. Die Fotomaske kann ein elektrisches Schaltungs-Layout, das zum Betreiben des Halbleiterschaltkreises erforderlich ist, und freie Flächen enthalten, auf denen sich kein elektrisches Schaltungs-Layout befindet. Das Verfahren kann Einfügen eines optischen Layouts in die freien Flächen des Fotomasken-Layouts für den Halbleiterschaltkreis umfassen. Das optische Layout kann bekannte optische Muster zum Prüfen des Layouts eines Halbleiterschaltkreises haben. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung kann das optische Layout physisch von dem elektrischen Schaltungs-Layout getrennt sein. Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann das optische Layout eine oder mehrere Fotomaskenschichten aufweisen und das elektrische Schaltungs-Layout überdecken. Gemäß einer anderen Ausführungsform der kann das optische Layout Abdeckformen aufweisen.

公开(公告)号：DE112018005569B4

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：DE112018005569

申请日：2018-12-04

Applicant: IBM

Inventor： DE SILVA EKMINI ANUJA ,  GOLDFARB DARIO ,  FELIX NELSON ,  CORLISS DANIEL ,  WOJTECKI RUDY

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302

Abstract: Lithografisches Strukturierungsverfahren, das aufweist:Bilden eines mehrschichtigen Dünnschichtstapels (110) aus Strukturierungsmaterial auf einem Halbleitersubstrat, wobei der Dünnschichtstapel aus Strukturierungsmaterial eine oberhalb einer oder mehrerer zusätzlicher Schichten (104, 106) gebildete Fotolackschicht (108) aufweist;Bilden einer metallhaltigen Deckschicht (112) oberhalb der Fotolackschicht;Belichten des mehrschichtigen Dünnschichtstapels aus Strukturierungsmaterial mit einer Strukturierungsstrahlung durch die metallhaltige Deckschicht, um in der Fotolackschicht (108') ein gewünschtes Muster zu bilden;Entfernen der metallhaltigen Deckschicht;Entwickeln des in der Fotolackschicht (108") gebildeten Musters;Ätzen mindestens einer darunter liegenden Schicht (106') entsprechend dem entwickelten Muster; undEntfernen restlicher Teile der Fotolackschicht;wobei Bilden der metallhaltigen Deckschicht oberhalb der Fotolackschicht Bilden der metallhaltigen Deckschicht unter Verwendung eines Prozesses zur Selbstsegregation aus der Fotolackschicht aufweist.

公开(公告)号：DE112018005569T5

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：DE112018005569

申请日：2018-12-04

Applicant: IBM

Inventor： DE SILVA EKMINI ANUJA ,  GOLDFARB DARIO ,  FELIX NELSON ,  CORLISS DANIEL ,  WOJTECKI RUDY

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/302

Abstract: Ein lithografisches Strukturierungsverfahren umfasst Bilden eines mehrschichtigen Dünnschichtstapels aus Strukturierungsmaterial auf einem Halbleitersubstrat, wobei der Dünnschichtstapel aus Strukturierungsmaterial eine oberhalb einer oder mehrerer zusätzlicher Schichten gebildete Fotolackschicht enthält, und Bilden einer metallhaltigen Deckschicht oberhalb der Fotolackschicht. Das Verfahren umfasst ferner Belichten des mehrschichtigen Dünnschichtstapels aus Strukturierungsmaterial mit einer Strukturierungsstrahlung durch die metallhaltige Deckschicht zum Bilden eines gewünschten Musters in der Fotolackschicht, Entfernen der metallhaltigen Deckschicht, Entwickeln des in der Fotolackschicht gebildeten Musters, Ätzen mindestens einer darunter liegenden Schicht entsprechend dem entwickelten Muster und Entfernen restlicher Teile der Fotolackschicht. Die metallhaltige Deckschicht kann zum Beispiel durch Atomlagenabscheidung oder Rotationsbeschichtung oberhalb der Fotolackschicht oder durch Selbstabscheidung aus der Fotolackschicht gebildet werden.

公开(公告)号：DE112015003641T5

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：DE112015003641

申请日：2015-09-01

Applicant: IBM

Inventor： DESHPANDE VEERESH VIDYADHAR ,  DESHPANDE SADANAND VINAYAK ,  CORLISS DANIEL ,  GLUSCHENKOV OLEG ,  KRISHNAN SIVARAMA

IPC: H05G2/00

Abstract: Ein Pellet als Strahlungsquelle für extremes Ultraviolett (EUV) enthält mindestens ein Metallpartikel, das von einem schweren Edelgascluster umschlossen ist, das wiederum innerhalb eines Edelgashüllenclusters enthalten ist. Das EUV-Strahlungsquellengebilde kann durch aufeinander folgende Bestrahlung mit mindestens einem ersten Laserimpuls und mit mindestens einem zweiten Laserimpuls aktiviert werden. Durch jeden ersten Laserimpuls wird ein Plasma erzeugt, indem Elektronen der äußeren Orbitale von dem mindestens einen Metallpartikel abgetrennt und in den schweren Edelgascluster freigesetzt werden. Durch jeden zweiten Laserimpuls wird das von dem schweren Edelgascluster umschlossene Plasma verstärkt und ein laserinduzierter Selbstverstärkungsprozess ausgelöst. Durch das verstärkte Plasma werden Übergänge zwischen Orbitalen von Elektronen des schweren Edelgases und anderen enthaltenen Atomen ausgelöst, wodurch es zur Emission von EUV-Strahlung kommt. Die Laserimpulseinheiten können mit einer Einheit zum Erzeugen von Strahlungsquellenpellets kombiniert werden, um ein komplettes EUV-Strahlungsquellensystem zu bilden.