公开(公告)号：JP2011225761A

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：JP2010098464

申请日：2010-04-22

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  Shin-Etsu Chemical Co Ltd ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation ,  信越化学工業株式会社

Inventor： OHASHI MASAKI ,  TACHIBANA SEIICHIRO ,  NODA KAZUMI ,  SHIRAI SHOZO ,  KANAO GO ,  HUANG WU-SONG ,  GOLDFARB DARIO ,  LI WAI-KIN ,  GLODDE MARTIN

IPC: C09K3/00 ,  C09D5/32 ,  C09D7/12 ,  C09D163/00 ,  C09D171/00 ,  C09D201/00 ,  G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G02B5/208 ,  G02B5/22 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a material for forming a near-infrared absorptive film used in optical auto-focusing for enabling high-accuracy auto-focusing during an optical lithography process used in semiconductor fabrication, and to provide a laminate film comprising a near-infrared absorptive film which is formed by the above material, and a photoresist film.SOLUTION: The material for forming a near-infrared absorptive film contains (A) at least one near-infrared absorptive dye of formula (1) [wherein R1 and R2 are each a monovalent hydrocarbon group; k is an integer of 0 to 5; m is 0 or 1; n is 1 or 2; Z is O, S or C(R')(R"); R' and R" are each H or a monovalent hydrocarbon group; and Xis an anion], (B) at least one polymeric compound and (C) at least one solvent. By using for the optical lithography, the laminate film including the near-infrared absorptive film formed by the material and the photoresist film, the detection accuracy of optical auto-focusing is improved, the projected image of the optical lithography becomes clear, and a better photoresist pattern can be formed by improved contrast.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于形成用于光学自动聚焦的近红外吸收膜的材料，以在半导体制造中使用的光刻工艺期间实现高精度自动聚焦，并提供层压膜 包括由上述材料形成的近红外吸收膜和光致抗蚀剂膜。 解决方案：用于形成近红外吸收膜的材料包含（A）至少一种式（1）的近红外吸收染料[其中R 1和R 2各为一价烃基; k为0〜5的整数， m为0或1; n为1或2; Z是O，S或C（R'）（R“）; R'和R”各自为H或一价烃基; （B）至少一种聚合物和（C）至少一种溶剂。 通过使用光学平版印刷法，包含由该材料形成的近红外吸收膜和光致抗蚀剂膜的层压膜，光学自动聚焦的检测精度得到改善，光学平版印刷的投影图像变得清晰，并且更好 可以通过改善对比度形成光致抗蚀剂图案。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：WO2013090529A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：PCT/US2012069431

申请日：2012-12-13

Applicant: IBM

Inventor： GOLDFARB DARIO ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG ,  KINSHO TAKESHI ,  LI WAI-KIN ,  NODA KAZUMI ,  OHASHI MASASKI ,  TACHIBANA SEIICHIRO

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/094 ,  G02B5/208 ,  G02B5/223 ,  G03F7/091 ,  G03F7/105 ,  G03F9/7026

Abstract: The present invention relates to a near-infrared (NIR) film composition for use in vertical alignment and correction in the patterning of integrated semiconductor wafers and a pattern forming method using the composition. The NIR absorbing film composition includes a NIR absorbing dye having a polymethine cation and a crosslinkable anion, a crosslinkable polymer and a crosslinking agent. The patterning forming method includes aligning and focusing a focal plane position of a photoresist layer by sensing near- infrared emissions reflected from a substrate containing the photoresist layer and a NIR absorbing layer formed from the NIR absorbing film composition under the photoresist layer. The NIR absorbing film composition and the pattern forming method are especially useful for forming material patterns on a semiconductor substrate having complex buried topography.

Abstract translation: 本发明涉及用于集成半导体晶片的图案化的垂直取向和校正的近红外（NIR）膜组合物和使用该组合物的图案形成方法。 NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料，可交联聚合物和交联剂。 图案形成方法包括通过感测从包含光致抗蚀剂层的基板反射的近红外发射和由光致抗蚀剂层下的NIR吸收膜组合物形成的NIR吸收层来对准和聚焦光致抗蚀剂层的焦平面位置。 近红外吸收膜组合物和图案形成方法对于在具有复杂掩埋形貌的半导体衬底上形成材料图案特别有用。

公开(公告)号：DE112018005569T5

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：DE112018005569

申请日：2018-12-04

Applicant: IBM

Inventor： DE SILVA EKMINI ANUJA ,  GOLDFARB DARIO ,  FELIX NELSON ,  CORLISS DANIEL ,  WOJTECKI RUDY

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/302

Abstract: Ein lithografisches Strukturierungsverfahren umfasst Bilden eines mehrschichtigen Dünnschichtstapels aus Strukturierungsmaterial auf einem Halbleitersubstrat, wobei der Dünnschichtstapel aus Strukturierungsmaterial eine oberhalb einer oder mehrerer zusätzlicher Schichten gebildete Fotolackschicht enthält, und Bilden einer metallhaltigen Deckschicht oberhalb der Fotolackschicht. Das Verfahren umfasst ferner Belichten des mehrschichtigen Dünnschichtstapels aus Strukturierungsmaterial mit einer Strukturierungsstrahlung durch die metallhaltige Deckschicht zum Bilden eines gewünschten Musters in der Fotolackschicht, Entfernen der metallhaltigen Deckschicht, Entwickeln des in der Fotolackschicht gebildeten Musters, Ätzen mindestens einer darunter liegenden Schicht entsprechend dem entwickelten Muster und Entfernen restlicher Teile der Fotolackschicht. Die metallhaltige Deckschicht kann zum Beispiel durch Atomlagenabscheidung oder Rotationsbeschichtung oberhalb der Fotolackschicht oder durch Selbstabscheidung aus der Fotolackschicht gebildet werden.

公开(公告)号：DE112018005569B4

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：DE112018005569

申请日：2018-12-04

Applicant: IBM

Inventor： DE SILVA EKMINI ANUJA ,  GOLDFARB DARIO ,  FELIX NELSON ,  CORLISS DANIEL ,  WOJTECKI RUDY

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302

Abstract: Lithografisches Strukturierungsverfahren, das aufweist:Bilden eines mehrschichtigen Dünnschichtstapels (110) aus Strukturierungsmaterial auf einem Halbleitersubstrat, wobei der Dünnschichtstapel aus Strukturierungsmaterial eine oberhalb einer oder mehrerer zusätzlicher Schichten (104, 106) gebildete Fotolackschicht (108) aufweist;Bilden einer metallhaltigen Deckschicht (112) oberhalb der Fotolackschicht;Belichten des mehrschichtigen Dünnschichtstapels aus Strukturierungsmaterial mit einer Strukturierungsstrahlung durch die metallhaltige Deckschicht, um in der Fotolackschicht (108') ein gewünschtes Muster zu bilden;Entfernen der metallhaltigen Deckschicht;Entwickeln des in der Fotolackschicht (108") gebildeten Musters;Ätzen mindestens einer darunter liegenden Schicht (106') entsprechend dem entwickelten Muster; undEntfernen restlicher Teile der Fotolackschicht;wobei Bilden der metallhaltigen Deckschicht oberhalb der Fotolackschicht Bilden der metallhaltigen Deckschicht unter Verwendung eines Prozesses zur Selbstsegregation aus der Fotolackschicht aufweist.

公开(公告)号：DE112012005285T5

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE112012005285

申请日：2012-12-13

Applicant: IBM ,  SHINETSU CHEMICAL CO

Inventor： GOLDFARB DARIO ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG ,  KINSHO TAKESHI ,  LI WAI-KIN ,  NODA KAZUMI ,  OHASHI MASAKI ,  TACHIBANA SEIICHIRO

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine nahinfrarot(NIR)-Dünnschichtzusammensetzung zur Verwendung bei einer vertikalen Ausrichtung und Korrektur in der Strukturierung von integrierten Halbleiter-Wafern und auf ein Strukturierungsausbildungsverfahren unter Verwendung der Zusammensetzung. Die NIR-absorbierende Dünnschichtzusammensetzung beinhaltet einen NIR-absorbierenden Farbstoff, der ein Polymethinkation und ein vernetzbares Anion aufweist, ein vernetzbares Polymer und ein Vernetzungsmittel. Das Strukturierungsausbildungsverfahren beinhaltet ein Ausrichten und Fokussieren einer Fokalebenenposition einer Photolackschicht durch Erfassen von Nahinfrarotemissionen, die von einem Substrat reflektiert werden, das die Photolackschicht und eine NIR-absorbierende Schicht enthält, die aus der NIR-absorbierenden Dünnschichtzusammensetzung unter der Photolackschicht ausgebildet ist. Die NIR-absorbierende Dünnschichtzusammensetzung und das Strukturierungsausbildungsverfahren sind besonders nützlich zum Ausbilden von Materialstrukturen auf einem Halbleitersubstrat mit einer komplexen vergrabenen Topographie.