公开(公告)号：DE112020000672B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE112020000672

申请日：2020-03-26

Applicant: IBM

Inventor： CHEN HSUEH-CHUNG ,  XU YONGAN ,  MIGNOT YANN ,  KELLY JAMES ,  CLEVENGER LAWRENCE

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Verfahren für ein Bilden einer Halbleitereinheit (100), wobei das Verfahren aufweist:Bilden von Mandrels (202) auf einem Substrat (102), wobei die Mandrels eine erste Metallschicht (106) aufweisen; undAnordnen von Abstandshaltermaterial (302) und Füllmaterial (402) auf den Mandrels, um eine Struktur mit einem Graben (504) zwischen Abschnitten der ersten Metallschicht durch Entfernen des Füllmaterials zwischen zwei benachbarten Mandrels zu bilden, wobei der Graben eine dielektrische Schicht (104) in direktem Kontakt mit dem Substrat freiliegt, wobei das Abstandsmaterial sowohl oberhalb der ersten Metallschicht angeordnet ist, als auch Seitenwände der ersten Metallschicht bedeckt; undBilden einer zweiten Metallschicht (802) auf der dielektrischen Schicht, die in direktem Kontakt mit dem Substrat ist, in der Struktur, um den Graben zwischen den Abschnitten der ersten Metallschicht zu füllen, wobei die zweite Metallschicht zu der ersten Metallschicht benachbart ist, wobei die erste und die zweite Metallschicht durch das Abstandshaltermaterial getrennt werden.

公开(公告)号：DE112020000672T5

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：DE112020000672

申请日：2020-03-26

Applicant: IBM

Inventor： CHEN HSUEH-CHUNG ,  XU YONGAN ,  MIGNOT YANN ,  KELLY JAMES ,  CLEVENGER LAWRENCE

IPC: H01L21/768

Abstract: Eine Technik bezieht sich auf ein Verfahren und eine Halbleitereinheit. Auf einem Substrat werden Mandrels gebildet, wobei die Mandrels eine erste Metallschicht aufweisen. Auf dem Substrat wird eine zweite Metallschicht benachbart zu der ersten Metallschicht gebildet, wobei die erste und die zweite Metallschicht durch ein Abstandshaltermaterial getrennt werden.