公开(公告)号：JP2004006852A

公开(公告)日：2004-01-08

申请号：JP2003124691

申请日：2003-04-30

Applicant: IBM

Inventor： RESTAINO DARRYL D ,  SIDDIQUI SHAHAB ,  KALTALIOGLU ERDEM ,  BENNETT DELORES ,  LIU C C ,  CHEN HSUEH-CHUNG ,  CHEN TONG-YU ,  YANG GWO-SHII ,  HSIUNG CHIUNG-SHENG

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce via resistance which often occurs at an interface between a liner and the underside of a copper (Cu) layer in a submicron semiconductor integrated circuit using low dielectric constant (low-k) organic ILD materials. SOLUTION: An adhesive catalyst is applied to an upper layer 30, and a silicon dioxide thin film 50 is formed on it by oxidizing the thin film adhesive catalyst before bonding the organic inter-level dielectric substance. In this way, problem is reduced on via resistance in heat cycle of a semiconductor wafer which materializes multilevel metal and organic inter-level dielectric substance. COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：DE112020000672T5

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：DE112020000672

申请日：2020-03-26

Applicant: IBM

Inventor： CHEN HSUEH-CHUNG ,  XU YONGAN ,  MIGNOT YANN ,  KELLY JAMES ,  CLEVENGER LAWRENCE

IPC: H01L21/768

Abstract: Eine Technik bezieht sich auf ein Verfahren und eine Halbleitereinheit. Auf einem Substrat werden Mandrels gebildet, wobei die Mandrels eine erste Metallschicht aufweisen. Auf dem Substrat wird eine zweite Metallschicht benachbart zu der ersten Metallschicht gebildet, wobei die erste und die zweite Metallschicht durch ein Abstandshaltermaterial getrennt werden.

公开(公告)号：DE112020000672B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE112020000672

申请日：2020-03-26

Applicant: IBM

Inventor： CHEN HSUEH-CHUNG ,  XU YONGAN ,  MIGNOT YANN ,  KELLY JAMES ,  CLEVENGER LAWRENCE

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Verfahren für ein Bilden einer Halbleitereinheit (100), wobei das Verfahren aufweist:Bilden von Mandrels (202) auf einem Substrat (102), wobei die Mandrels eine erste Metallschicht (106) aufweisen; undAnordnen von Abstandshaltermaterial (302) und Füllmaterial (402) auf den Mandrels, um eine Struktur mit einem Graben (504) zwischen Abschnitten der ersten Metallschicht durch Entfernen des Füllmaterials zwischen zwei benachbarten Mandrels zu bilden, wobei der Graben eine dielektrische Schicht (104) in direktem Kontakt mit dem Substrat freiliegt, wobei das Abstandsmaterial sowohl oberhalb der ersten Metallschicht angeordnet ist, als auch Seitenwände der ersten Metallschicht bedeckt; undBilden einer zweiten Metallschicht (802) auf der dielektrischen Schicht, die in direktem Kontakt mit dem Substrat ist, in der Struktur, um den Graben zwischen den Abschnitten der ersten Metallschicht zu füllen, wobei die zweite Metallschicht zu der ersten Metallschicht benachbart ist, wobei die erste und die zweite Metallschicht durch das Abstandshaltermaterial getrennt werden.