公开(公告)号：DE4445568C2

公开(公告)日：2002-11-28

申请号：DE4445568

申请日：1994-12-20

Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

Inventor： SONG YOON-HO ,  PARK KYUNG-HO ,  NAM KEE-SOO

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: A process for formation of a thin film transistor which can be usefully applied to a high picture quality active matrix liquid crystal display is disclosed. Particularly, a process for formation of an improved polysilicon thin film transistor is disclosed. In the process for formation of a polysilicon thin film transistor, the solid phase crystallization of a non-crystalline silicon is carried out under a high pressure oxygen atmosphere, and therefore, the solid phase crystallization time for a non-crystalline silicon is shortened so as to improve the productivity, and the grain size of the polysilicon is made more uniform so as improve the electrical characteristics of the TFT (thin film transistor).

公开(公告)号：DE4445568A1

公开(公告)日：1996-06-27

申请号：DE4445568

申请日：1994-12-20

Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

Inventor： SONG YOON-HO ,  PARK KYUNG-HO ,  NAM KEE-SOO

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: The non-crystalline, silicon layer in heat treated under high pressure in an O2 atmos. in an electric furnace for a solid phase crystallisation and oxidation, forming a good polysilicon and an oxide layer. The two layers are structured and a transistor active region in defined. On a gate layer side walls are formed side wall oxide layers, just as on the side walls of the polysilicon layer of the defined active region. A gate electrode is formed at a suitable position of the gate oxide layer. Then follows an ion implantation, using the gate electrode as a mask, to form a source/drain region on the active one. Final metallising forms metal electrodes.

公开(公告)号：DE102014107134A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：DE102014107134

申请日：2014-05-21

Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

Inventor： JEONG JIN-WOO ,  SONG YOON-HO ,  KIM JAE-WOO ,  KANG JUN-TAE

IPC: G09G3/298 ,  H01J1/304 ,  H05B44/00 ,  H01J19/24

Abstract: Es werden eine Feldemissionsvorrichtung und ein Verfahren zum Ansteuern der Mehrelektroden-Feldemissionsvorrichtung mit einer einzelnen Ansteuerleistungsquelle offenbart. Die Feldemissionsvorrichtung enthält eine Katodenelektrode, eine oder mehrere Gate-Elektroden, eine Spannungsteilungseinheit und eine Leistungsquelleneinheit. Die Katodenelektrode ist so konfiguriert, dass daran wenigstens ein Emitter gebildet ist. Die Gate-Elektroden sind zwischen einer Anodenelektrode und der Katodenelektrode angeordnet, wobei jede eine oder mehrere Öffnungen aufweist, durch die von dem Emitter emittierte Elektronen gehen können. Die Spannungsteilungseinheit weist einen oder mehrere Teilerwiderstände auf und teilt eine von der Leistungsquelleneinheit angelegte Spannung unter Verwendung der Teilerwiderstände und legt daraufhin Teilspannungen an die eine oder an die mehreren Gate-Elektroden an. Die Leistungsquelleneinheit enthält eine einzelne Leistungsquelle und legt die Spannung an die Spannungsteilungseinheit an.

公开(公告)号：DE102014112275A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102014112275

申请日：2014-08-27

Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

Inventor： JEONG JIN WOO ,  SONG YOON-HO ,  CHOI SUNGYOUL ,  KANG JUN TAE ,  KIM JAE-WOO

IPC: H01J35/12 ,  H01J35/08 ,  H01J35/14

Abstract: Bereitgestellt wird eine Röntgenröhre. Die Röntgenröhre umfasst eine Elektrode, auf die ein Elektronenstrahl auftrifft, um einen Röntgenstrahl zu erzeugen, und ein Fenster, an dem die Elektrode angeordnet ist und durch welches hindurch der von der Elektrode erzeugte Röntgenstrahl transmittiert wird. Die Elektrode umfasst einen Kanal, der durch die Elektrode hindurch verläuft, und der Elektronenstrahl wird in den Kanal gerichtet, um den Röntgenstrahl zu erzeugen.