公开(公告)号：FR3107409A1

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：FR2101443

申请日：2021-02-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： LEMOINE RENAUD ,  OUYAHIA SAMIA ,  WILHELM ERIC ,  BOYAVALLE CHRISTOPHE

IPC: H03F3/189 ,  H03F3/19

Abstract: Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un amplificateur radiofréquence comportant : - au moins deux étages amplificateurs (DS, PS), - un dispositif d’adaptation d’impédance (DAI) entre deux étages amplificateurs (DS, PS) de l’amplificateur radiofréquence, le dispositif d’adaptation comprenant deux lignes (L1, L2) couplées par induction électromagnétique, une première ligne (L1) étant reliée à une sortie du premier étage amplificateur (DS) et une deuxième ligne (L2) étant reliée à une entrée du deuxième étage amplificateur (PS). Figure pour l’abrégé : Fig 1