公开(公告)号：FR3107409A1

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：FR2101443

申请日：2021-02-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： LEMOINE RENAUD ,  OUYAHIA SAMIA ,  WILHELM ERIC ,  BOYAVALLE CHRISTOPHE

IPC: H03F3/189 ,  H03F3/19

Abstract: Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un amplificateur radiofréquence comportant : - au moins deux étages amplificateurs (DS, PS), - un dispositif d’adaptation d’impédance (DAI) entre deux étages amplificateurs (DS, PS) de l’amplificateur radiofréquence, le dispositif d’adaptation comprenant deux lignes (L1, L2) couplées par induction électromagnétique, une première ligne (L1) étant reliée à une sortie du premier étage amplificateur (DS) et une deuxième ligne (L2) étant reliée à une entrée du deuxième étage amplificateur (PS). Figure pour l’abrégé : Fig 1

公开(公告)号：FR3154563A1

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：FR2311360

申请日：2023-10-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： OUYAHIA SAMIA ,  WILHELM ERIC

IPC: H03H7/38

Abstract: Circuit électronique La présente description concerne un circuit électronique ayant un circuit d’adaptation d’impédance (230) comprenant : une première inductance (330) reliant un premier nœud (N3) à un deuxième nœud (N4) ; et une deuxième inductance (340), reliant le deuxième nœud à un troisième nœud (N5), le troisième nœud étant relié à la masse ;les première et deuxième inductances (330, 340) étant configurées pour former un couplage magnétique positif entre elles. Figure pour l'abrégé : Fig. 3