公开(公告)号：FR3097682B1

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：FR1906589

申请日：2019-06-19

Applicant: STMICROELECTRONICS GMBH ,  STMICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  YVON ARNAUD ,  SAADNA MOHAMED ,  SCARPA VLADIMIR

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/318

Abstract: Composant monolithique comportant un transistor de puissance au nitrure de gallium La présente description concerne un composant (200) monolithique comportant un transistor de puissance à effet de champ (T1) et au moins une première diode Schottky (SC1) dans et sur un même substrat au nitrure de gallium (301). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3049766A1

公开(公告)日：2017-10-06

申请号：FR1652712

申请日：2016-03-30

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  FLORENCE ARNAUD

IPC: H01L27/02

Abstract: L'invention concerne un dispositif (210) de protection contre des décharges électrostatiques, comportant : des première (211) et deuxième (212) diodes montées en série entre des première (N1) et deuxième (N2) bornes de connexion du dispositif ; une troisième borne (N3) de connexion reliée au point milieu entre les première (211) et deuxième (212) diodes ; et un condensateur (213) monté en parallèle des première (211) et deuxième (212) diodes, entre les première (N1) et deuxième (N2) bornes.