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公开(公告)号：FR3097682B1
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：FR1906589
申请日：2019-06-19
Applicant: STMICROELECTRONICS GMBH , STMICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： ROUVIERE MATHIEU , YVON ARNAUD , SAADNA MOHAMED , SCARPA VLADIMIR
IPC: H01L21/338 , H01L21/318
Abstract: Composant monolithique comportant un transistor de puissance au nitrure de gallium La présente description concerne un composant (200) monolithique comportant un transistor de puissance à effet de champ (T1) et au moins une première diode Schottky (SC1) dans et sur un même substrat au nitrure de gallium (301). Figure pour l'abrégé : Fig. 2
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