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公开(公告)号：JP2011071118A
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：JP2010214982
申请日：2010-09-27
Applicant: Stmicroelectronics (Tours) Sas , エステーミクロエレクトロニクス (トゥール)ソシエテ パール アクシオン サンプリフィエSTMicroelectronics (Tours) SAS
Inventor： BOUILLON PIERRE
IPC: H01M10/0585 , H01M2/06 , H01M2/30 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/136 , H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/1397 , H01M4/38 , H01M4/58 , H01M4/66 , H01M10/052 , H01M10/0562
CPC classification number: H01M10/0436 , H01M2/0207 , H01M2/0277 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/5815 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M6/40 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2300/0068 , Y02E60/122 , Y10T29/49108 , Y10T29/49112 , Y10T29/49115
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming an all solid plane thin-film lithium ion secondary battery at a low cost. SOLUTION: The forming method comprises: a step to form a groove on a substrate 10 consisting of silicon or silicon oxide; a step to deposit a stack having a positive electrode collector layer 16, a positive electrode layer 18, a solid electrolyte layer 20, and a negative electrode layer 22; a step to form a negative electrode collector layer 26 filling the space remaining in the groove as the deposit has a thickness smaller than the depth of the groove; and a step to flatten the exposed surface of the negative electrode collector layer 26. A positive electrode side lead 42 and the negative electrode side lead 40 are arranged on an identical surface side. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题：提供以低成本形成全固体平面薄膜锂离子二次电池的方法。 解决方案：成形方法包括：在由硅或氧化硅组成的基板10上形成凹槽的步骤; 沉积具有正极集电体层16，正极层18，固体电解质层20和负极层22的堆叠的步骤; 当沉积物的厚度小于凹槽的深度时，形成填充剩余在槽中的空间的负极集电体层26的步骤; 以及使负极集电体层26的露出面变平的步骤。正极侧引线42和负极侧引线40配置在相同的表面侧。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2011082160A
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：JP2010214981
申请日：2010-09-27
Applicant: Stmicroelectronics (Tours) Sas , エステーミクロエレクトロニクス (トゥール)ソシエテ パール アクシオン サンプリフィエSTMicroelectronics (Tours) SAS
Inventor： BOUILLON PIERRE
IPC: H01M10/0585 , H01M2/06 , H01M2/30 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/136 , H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/1397 , H01M4/38 , H01M4/58 , H01M4/66 , H01M10/052 , H01M10/0562
CPC classification number: H01M10/0436 , H01M2/0207 , H01M2/0277 , H01M4/386 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/5815 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M6/40 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2300/0068
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a thin film lithium ion secondary battery by a low-cost method.
SOLUTION: The method of forming a lithium ion secondary battery includes at least a step of forming an insulating layer 12 having a locally through aperture part on a conductive substrate 10 of doped silicon and metal etc., a step of depositing a stack having an anode collector layer 18, an anode active material layer 20, an electrolyte layer 22, and a cathode active material layer 24, a step of forming a cathode collector layer 28 to fill a space remaining in the aperture since this stack has a thickness smaller than the thickness of the insulating layer 12, and a step of flattening the upper exposed surface of the insulating layer 12.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：提供一种通过低成本方法形成薄膜锂离子二次电池的方法。 解决方案：形成锂离子二次电池的方法至少包括在掺杂硅和金属等的导电基板10上形成具有局部通孔部分的绝缘层12的步骤，沉积堆叠 具有阳极集电体层18，阳极活性物质层20，电解质层22和阴极活性物质层24，形成阴极集电体层28以填充孔中残留的空间的步骤，因为该叠层具有厚度 小于绝缘层12的厚度，以及使绝缘层12的上部暴露表面变平的步骤。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2011100731A
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：JP2010248752
申请日：2010-11-05
Inventor： BOUILLON PIERRE , GUY-BOUYSSOU DELPHINE
IPC: H01M10/0585 , H01M4/58 , H01M4/64 , H01M10/052 , H01M10/0562
CPC classification number: H01M4/0421 , H01M4/1395 , H01M4/1397 , H01M4/70 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a thin film lithium ion battery which is improved in quality of a cathode layer made of LiTiOS.
SOLUTION: An accumulated type lithium ion battery is manufactured by: a step wherein a laminate of the cathode layer (42) formed of a material capable of accepting lithium ions, an electrolyte layer (44) and an anode layer (48) are formed at a substrate (30); a step wherein a short circuit part between the anode layer (48) and the cathode layer (42) is formed; a step wherein lithium is thermally vapor-deposited; and a step wherein the short circuit part between the anode layer (48) and the cathode layer (42) is opened.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPITAbstract translation: 解决的问题：提供一种提高由LiTiOS制成的阴极层的质量的薄膜锂离子电池的制造方法。 解决方案：一种累积型锂离子电池通过以下步骤制造：其中由能够接受锂离子的材料形成的阴极层（42）和电解质层（44）和阳极层（48）的叠层体， 形成在基板（30）上; 在阳极层（48）和阴极层（42）之间形成短路部的工序; 其中锂被热气相沉积的步骤; 以及其中阳极层（48）和阴极层（42）之间的短路部分打开的步骤。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2011109104A
公开(公告)日：2011-06-02
申请号：JP2010258171
申请日：2010-11-18
Inventor： FERON MARC , JARRY VINCENT , BARREAU LAURENT
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L25/50 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01087
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for sealing electronic components without the need for use of a handle wafer by avoiding a warpage phenomenon.
SOLUTION: The method for sealing electronic components includes the steps of: forming, in a first surface of a semiconductor wafer (10), electronic components; forming, on the first surface, an conductive interconnection stack (18) covered with an insulating material; forming first and second bonding pads (24A, 24B) on the interconnection stack (18); thinning down the wafer (10), except at least on the contour of the semiconductor wafer (10); filling the thinned-down region of the semiconductor wafer (10) with a first resin layer (38); arranging a first electronic chip (42) on the first bonding pads (24B) and forming a first solder bumps (44) on the second bonding pads (24A); depositing a second resin layer (46) covering the first electronic chips (42) and partially covering the solder bumps (44); bonding an adhesive strip (48) on the first resin layer (38); and scribing the structure into individual chips.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：提供一种密封电子部件的方法，而不需要通过避免翘曲现象来使用手柄晶片。 解决方案：密封电子部件的方法包括以下步骤：在半导体晶片（10）的第一表面中形成电子部件; 在第一表面上形成用绝缘材料覆盖的导电互连叠层（18）; 在所述互连堆叠（18）上形成第一和第二接合焊盘（24A，24B）; 至少在半导体晶片（10）的轮廓上除外，使晶片（10）变薄; 用第一树脂层（38）填充半导体晶片（10）的减薄区域; 在所述第一接合焊盘（24B）上布置第一电子芯片（42）并且在所述第二接合焊盘（24A）上形成第一焊料凸块（44）; 沉积覆盖第一电子芯片（42）并部分覆盖焊料凸块（44）的第二树脂层（46）; 在第一树脂层（38）上粘合粘合剂条（48）; 并将结构划分成单个芯片。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2011019215A
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：JP2010140833
申请日：2010-06-21
Inventor： LAPORTE CLAIRE , EZZEDINE HILAL
CPC classification number: H04B1/406 , H01P5/18 , H04B1/0064 , H04B1/0082
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To decrease the bulk of a coupling structure and to improve reliability of measurements in a multiband coupling circuit.SOLUTION: A distributed multiband coupling circuit includes: a number (n) of first and of second terminals equal to the number of frequency bands; a third terminal and a fourth terminal; a number (n) of distributed couplers equal to the number of frequency bands, all couplers being identical and sized according to the highest frequency band. Each coupler includes a first conductive line between first and second ports intended to convey a signal to be transmitted in the concerned frequency band, and a second conductive line coupled to the first one between third and fourth ports. The coupling circuit further includes a first set of resistive splitters in cascade between the third ports of the couplers, wherein a terminal of the resistive splitter associated with the first coupler being connected to the third terminal.
Abstract translation: 要解决的问题：减少耦合结构的体积并提高多频带耦合电路中的测量的可靠性。解决方案：分布式多频带耦合电路包括：第一和第二端子的数量（n）等于 频带; 第三终端和第四终端; 分配耦合器的数量（n）等于频带数，所有耦合器根据最高频带相同和大小。 每个耦合器包括第一和第二端口之间的第一导线，用于传送要在相关频带中传输的信号，以及耦合到第三和第四端口之间的第一导线。 耦合电路还包括级联在耦合器的第三端口之间的第一组电阻分压器，其中与第一耦合器相关联的电阻分配器的端子连接到第三端子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5744453B2
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：JP2010214981
申请日：2010-09-27
Inventor： ピエール ブイヨン
IPC: H01M10/052 , H01M4/66 , H01M4/58 , H01M10/0562 , H01M4/1391 , H01M4/1397 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M2/30 , H01M10/058
CPC classification number: H01M10/0436 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2/0207 , H01M2/0277 , H01M4/5815 , H01M2300/0068 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M6/40 , Y02P70/54
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公开(公告)号：JP2010165680A
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：JP2010007204
申请日：2010-01-15
Applicant: Commissariat A L'energie Atomique , Stmicroelectronics (Tours) Sas , エス テ マイクロエレクトロニクス(トゥールス) エス アー エス , コミサリア ア エナジー アトミック
Inventor： KARST NICOLAS , BOUILLON PIERRE , MARTIN NELLY , MARTINENT AUDREY
CPC classification number: H01M8/04529 , H01M8/04126 , H01M8/04291 , H01M8/04656 , H01M8/0494 , H01M8/04947 , H01M8/1004 , H01M8/1097 , H01M8/241 , H01M2008/1095
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fuel cell in which humidity is adjusted without interrupting an ordinary operation of the fuel cell.
SOLUTION: The hydrogen-oxygen fuel cell is provided with a main cell FC1 and an auxiliary cell FC2 which have a common electrolyte layer and of which at least one electrode is different from each other, a measuring means 34 for measuring humidity of the electrolyte layer, and a controlling means 35 for controlling an operation of the main cell FC1 and the auxiliary cell FC2 with regard to a same load L and an operation of each of the main cell FC1 and the auxiliary cell FC2 with regard to two different loads L, 33.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：提供一种在不中断燃料电池的普通操作的情况下调节湿度的燃料电池。 解决方案：氢氧燃料电池设置有主电池FC1和辅助电池FC2，它们具有公共电解质层，并且至少一个电极彼此不同;测量装置34，用于测量湿度 电解质层，以及用于相对于两个不同的负载L和主单元FC1和辅助单元FC2各自的操作来控制主单元FC1和辅助单元FC2的操作的控制单元35 载荷L，33.版权所有（C）2010，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：WO2013072602A1
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：PCT/FR2012/052555
申请日：2012-11-06
Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS
Inventor： RENARD, Benoît , GONTHIER, Laurent
IPC: H03K17/567 , H05B41/00
CPC classification number: H02M7/1555 , H02M7/06 , H02M7/217 , H03K17/567 , H05B39/08
Abstract: L'invention concerne un circuit de commande en variation de puissance d'une charge alimentée par une tension alternative (V^Q), comprenant : un premier thyristor (Tl) et une première diode (Dl) en antiparallèle entre des premier (A) et deuxième (R) noeuds, la cathode de la première diode (Dl) étant côté premier noeud (A); un second thyristor (T2) et une deuxième diode (D2) en antiparallèle entre le deuxième noeud (R) et un troisième noeud (B), la cathode de la deuxième diode (D2) étant côté troisième noeud (B); des troisième (D3) et quatrième (D4) diodes en antisérie entre les premier (A) et troisième (B) noeuds, les cathodes des troisième (D3) et quatrième (D4) diodes étant reliées à un quatrième noeud (J); un transistor (Ml) entre les deuxième (R) et quatrième (J) noeuds; et une unité de commande (MCU) des premier (Tl) et second (T2) thyristors et du transistor (Ml).
Abstract translation: 本发明涉及一种用于改变由交流电压（V-Q）供电的负载的功率的控制电路，包括：第一晶闸管（T1）和第一二极管（D1），其反向并联连接在第一（A）和第二 （R）节点，第一二极管（D1）的阴极位于第一节点（A）的侧面; 在第二节点（R）和第三节点（B）之间反并联连接的第二晶闸管（T2）和第二二极管（D2），第二二极管（D2）的阴极位于第三节点 ）; 第三（D3）和第四（D4）二极管的阴极连接到第四节点（J）;第三（D3）和第四（D4）二极管的阴极连接到第一节点（A）和第三节点 第二（R）和第四（J）节点之间的晶体管（M1） 以及用于控制第一（T1）和第二（T2）晶闸管和晶体管（M1）的控制单元（MCU）。
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9.发明申请PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN FILM AMORPHE A BASE DE SULFURE OU D'OXYSULFURE MÉTALLIQUE LITHIE 审中-公开从金属硫化物或氧化物中制备非晶膜的方法
公开(公告)号：WO2014202875A1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：PCT/FR2014/051448
申请日：2014-06-12
Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , STMICROELECTRONICS TOURS SAS , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , INSTITUT POLYTECHNIQUE DE BORDEAUX
Inventor： LE CRAS, Frédéric , DUBOIS, Vincent , GUY-BOUYSSOU, Delphine , PECQUENARD, Brigitte
CPC classification number: H01M4/0426 , C23C14/06 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01M4/0423 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/485 , H01M4/5815 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , H01M2220/30
Abstract: Ce procédé de préparation d'un film amorphe de sulfure ou d'oxysulfure métallique lithié de formule LiαM(O1-βSβ)y met en œuvre un matériau de cible lithié; M étant avantageusement choisi dans le groupe comprenant Al, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, Zr, Nb, Mo, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Ta, W, Pb, Bi, et leurs mélanges; et • α ≥ 0,5;• 1 ≥ β ≥ 2/3;• 2 ≥ α/γ > 1/3
Abstract translation: 制备式LiαM（O1-＆bgr; S＆bgr）的锂化金属硫化物或氧硫化物的非晶膜的方法使用锂化靶材料; M，有利地选自包括Al，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ge，Zr，Nb，Mo，Ag，Cd，In，Sn，Sb，Ta， Pb，Bi及其混合物; 和•α≥0.5;•1≥＆bgr; ≥2/3;•2≥α/γ> 1/3
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公开(公告)号：WO2009147343A1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：PCT/FR2009/050864
申请日：2009-05-12
Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS , RIVET, Bertrand , HAMADOU, Aurélien
Inventor： RIVET, Bertrand , HAMADOU, Aurélien
CPC classification number: H02M3/335 , H02M1/34 , H02M2001/344
Abstract: L'invention concerne un convertisseur à découpage comprenant un transformateur inductif (10) dont un enroulement secondaire (12) est associé à au moins un premier interrupteur (34), comportant en parallèle sur le premier interrupteur, au moins une première diode en série avec un élément capacitif; et en parallèle sur ledit élément capacitif, un circuit actif de limitation de la tension à ses bornes.
Abstract translation: 本发明涉及一种斩波转换器，其包括具有连接到至少一个第一开关（34）的次级绕组（12）的电感变压器（10），在第一开关上并联包括至少一个与 电容元件，并联在所述电容元件上，用于限制其端子两端的电压的有源电路。
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