公开(公告)号：WO2012080162A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/EP2011/072434

申请日：2011-12-12

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  MAZOYER, Pascale ,  HALIMAOUI, Aomar

Inventor： MAZOYER, Pascale ,  HALIMAOUI, Aomar

IPC: H01M8/16 ,  H01M8/10 ,  H01G9/02

CPC classification number: H01M8/16 ,  H01G11/52 ,  H01G11/78 ,  H01M8/1097 ,  H05K5/02 ,  Y02E60/13 ,  Y02E60/521 ,  Y02E60/527

Abstract: Boîtier, comprenant un corps (1) comportant un premier élément (10) en silicium et un deuxième élément (20) en silicium poreux, au moins une première cavité (31) ménagée dans le silicium poreux, une première zone de contact électriquement conductrice (41) électriquement couplée à au moins une partie (310) d'au moins une paroi interne de ladite au moins une première cavité (31), une deuxième zone de contact électriquement conductrice (42) électriquement couplée à une portion (320) dudit deuxième élément (20) différente des parois internes de ladite au moins une première cavité (31), les deux zones de contact (41, 42) étant mutuellement électriquement isolées.

Abstract translation: 本发明涉及一种壳体，其包括包括第一硅元件（10）和第二多孔硅元件（20）的主体（1），设置在多孔硅中的至少一个第一腔（31），第一导电触点 区域（41），其电耦合到所述至少一个空腔（31）的至少一个内壁的至少一部分（310）;第二导电接触区域（42），其电耦合到不同的 所述至少一个第一空腔（31）的内壁的所述第二元件（20）的部分（320），所述两个接触区域（41,42）彼此电绝缘。

公开(公告)号：WO2003017361A1

公开(公告)日：2003-02-27

申请号：PCT/FR2002/002886

申请日：2002-08-14

Applicant: STMICROELECTRONICS SA

Inventor： MALLARDEAU, Catherine ,  MAZOYER, Pascale ,  PIAZZA, Marc

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10888

Abstract: Circuit intégré comprenant des transistors formés dans un substrat 3, une couche d'isolant 105 recouvrant les transistors et un condensateur C dont la base de l'électrode inférieure 126 est au niveau de l'interface supérieur de la couche d'isolant 105. Des plots métalliques débouchant de part et d'autre de la couche isolante 105 permettent d'une part la connexion de l'électrode inférieure du condensateur à un composant du circuit intégré et d'autre part la réalisation de connexions électriques de composants adjacents du circuit intégré.

Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路，包括：设置在基板（3）中的晶体管; 覆盖晶体管的绝缘层（105）; 和电容器C，所述电容器的下部电极（126）的基底设置在绝缘层（105）的上部界面处。 从绝缘层（105）的任一侧延伸的金属销用于将电容器的下电极连接到集成电路的部件，并提供与集成电路相邻的部件的电连接。

公开(公告)号：WO2003017362A1

公开(公告)日：2003-02-27

申请号：PCT/FR2002/002887

申请日：2002-08-14

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  MAZOYER, Pascale ,  CAILLAT, Christian

Inventor： MAZOYER, Pascale ,  CAILLAT, Christian

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10888

Abstract: Circuit intégré comprenant un substrat (1), au moins un condensateur (9) disposé au-dessus du substrat (1) et pourvu d'une première électrode (5), d'une deuxième électrode (8), et d'un diélectrique (7) disposé entre les deux électrodes, au moins un via de connexion entre le substrat (1) et un niveau conducteur situé au-dessus du condensateur (9), et un matériau diélectrique recouvrant le substrat (1) et entourant le condensateur (9) et le via (6). Le via comprend une première portion (18) disposée entre le substrat et le niveau inférieur de la première électrode, une deuxième portion (6) disposée entre le niveau inférieur de la première électrode et le niveau supérieur de la première électrode, et une troisième portion (12) en contact avec la première portion et affleurant ledit niveau conducteur, la deuxième portion étant réalisée avec le même matériau que la première électrode du condensateur.

Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路，包括：衬底（1），至少一个布置在衬底（1）上方并具有第一电极（5），第二电极（8）和电介质（7）的电容器（9） 布置在两个电极之间，至少在基板（1）和位于电容器（9）上方的导电电平之间的连接馈通，以及覆盖基板（1）并包围电容器（9）和馈通的电介质材料。 馈通包括布置在基板和第一电极的下层之间的第一部分（18），布置在第一电极的下层与第一电极的上层之间的第二部分（6） （12）与所述第一电极接触并与所述导电层齐平，所述第二部分由与所述电容器的第一电极相同的材料制成。

公开(公告)号：WO2003017360A1

公开(公告)日：2003-02-27

申请号：PCT/FR2002/002885

申请日：2002-08-14

Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  MALLARDEAU, Catherine ,  MAZOYER, Pascale ,  PIAZZA, Marc

Inventor： MALLARDEAU, Catherine ,  MAZOYER, Pascale ,  PIAZZA, Marc

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: Ce circuit intégré comprend un condensateur (23) formé au-dessus d'un substrat (1) à l'intérieur d'une première cavité dans un matériau diélectrique et comprenant une première électrode, une deuxième électrode, une fine couche diélectrique disposée entre les deux électrodes et une structure (7) de raccordement du condensateur. La structure de raccordement est formée au même niveau que le condensateur dans une deuxième cavité plus étroite que la première cavité, ladite deuxième cavité étant entièrement comblée par une prolongation de l'une au moins des électrodes du condensateur.

Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路，包括：电容器（23），其设置在电介质材料的第一腔内部的衬底（1）的顶部; 第一电极; 第二电极; 设置在两个电极之间的精细电介质层; 以及连接到电容器的结构（7）。 所述连接结构设置在与所述电容器相同的水平处，所述第二空腔比所述第一空腔窄，所述第二空腔由所述电容器的至少一个电极的延伸部完全填充。

公开(公告)号：EP1425795A1

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：EP02794818.1

申请日：2002-08-14

Applicant: Stmicroelectronics SA

Inventor： MAZOYER, Pascale ,  CAILLAT, Christian

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10888

Abstract: The invention concerns an integrated circuit comprising a substrate (1), at least a capacitor (9) arranged above the substrate (1) and provided with a first electrode (5), a second electrode (8), and a dielectric (7) arranged between the two electrodes, at least a connecting feedthrough between the substrate (1) and a conductive level located above the capacitor (9), and a dielectric material covering the substrate (1) and enclosing the capacitor (9) and the feedthrough. The feedthrough comprises a first portion (18) arranged between the substrate and the lower level of the first electrode, a second portion (6) arranged between the lower level of the first electrode and the upper level of the first electrode, and a third portion (12) in contact with the first electrode and flush with said conductive level, the second portion being made of the same material as the first electrode of the capacitor.