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    Methods of forming void regions, dielectric regions and capacitor constructions
    6.
    发明授权
    Methods of forming void regions, dielectric regions and capacitor constructions 失效
    形成空隙区域，电介质区域和电容器结构的方法

    公开(公告)号：US06794261B2

    公开(公告)日：2004-09-21

    申请号：US10044206

    申请日：2002-01-11

    Applicant: Jerome Michael Eldridge

    Inventor： Jerome Michael Eldridge

    IPC: H01L2120

    CPC classification number: B81C1/00119 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0338 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0146 ,  H01L21/31138 ,  H01L28/40

    Abstract: In one aspect, the invention includes a method of forming a void region associated with a substrate, comprising: a) providing a substrate; b) forming a sacrificial mass over the substrate; c) subjecting the mass to hydrogen to convert a component of the mass to a volatile form; and d) volatilizing the volatile form of the component from the mass to leave a void region associated with the substrate. In another aspect, the invention includes a method of forming a capacitor construction, comprising: a) forming a first capacitor electrode over a substrate; b) forming a sacrificial material proximate the first capacitor electrode; c) forming a second capacitor electrode proximate the sacrificial material, the second capacitor electrode being separated from the first capacitor electrode by the sacrificial material, at least one of the first and second electrodes being a metal-comprising layer; and d) subjecting the sacrificial material to conditions which transport a component from the sacrificial material to the metal-comprising layer, the transported component leaving a void region between the first and second capacitor electrodes.

    Abstract translation: 一方面，本发明包括形成与衬底相关联的空隙区域的方法，包括：a）提供衬底; b）在衬底上形成牺牲物质; c）使所述物质经受氢气将所述物质的组分转化为挥发性形式; 以及d）从所述物质挥发所述组分的挥发性形式以留下与所述基材相关联的空隙区域。 另一方面，本发明包括一种形成电容器结构的方法，包括：a）在衬底上形成第一电容器电极; b）在第一电容器电极附近形成牺牲材料; c）在所述牺牲材料附近形成第二电容器电极，所述第二电容器电极通过所述牺牲材料与所述第一电容器电极分离，所述第一和第二电极中的至少一个是含金属的层; 以及d）对所述牺牲材料进行将组分从所述牺牲材料输送到所述含金属层的条件，所述传输部件在所述第一和第二电容器电极之间留下空隙区域。

    METHODS FOR MANUFACTURING A MICROSTRUCTURE
    9.
    发明申请
    METHODS FOR MANUFACTURING A MICROSTRUCTURE 审中-公开
    制造微结构的方法

    公开(公告)号：WO2009048321A2

    公开(公告)日：2009-04-16

    申请号：PCT/NL2008/000217

    申请日：2008-10-03

    Applicant: MICRONIT MICROFLUIDICS B.V. ,  VAN'T OEVER, Ronny ,  BLOM, Marko, Theodoor ,  OONK, Johannes

    Inventor： VAN'T OEVER, Ronny ,  BLOM, Marko, Theodoor ,  OONK, Johannes

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00119 ,  B81B2203/0376 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0146

    Abstract: Methods for manufacturing a microstructure, wherein use is made of powder blasting and/or etching and a single mask layer with openings and structures of varying dimensions, characterized in that the mask layer at least at one given point in time has been wholly worn away within at least one region by mask erosion while the microstructure is not yet wholly realized. Use can be made of a combination of 'vertical' erosion, i.e. parallel to the thickness direction, and 'horizontal' erosion, i.e. perpendicularly of the thickness direction, of the mask layer. The horizontal mask erosion occurs at the edges of the mask structure. By selecting the size of the mask openings and the mask structures in a correct manner the mask layer in a region with smaller mask structures will be fully worn away at a given point in time, while in another region with larger structures the mask layer still has sufficient thickness to serve as protection against the powder blasting or etching.

    Abstract translation: 用于制造微结构的方法，其中使用粉末喷射和/或蚀刻以及具有不同尺寸的开口和结构的单个掩模层，其特征在于，所述掩模层至少在一个给定点 随着时间的推移，在至少一个区域内被掩模侵蚀完全磨损，而微观结构尚未完全实现。 可以使用“垂直”侵蚀（即平行于厚度方向）和掩模层的“水平”侵蚀（即垂直于厚度方向）的组合。 水平掩模腐蚀发生在掩模结构的边缘处。 通过以正确的方式选择掩模开口和掩模结构的大小，具有较小掩模结构的区域中的掩模层将在给定时间点完全磨损，而在具有较大结构的另一区域中，掩模层仍然具有 足够的厚度以防止粉末喷射或蚀刻。

    Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitfähigen Substratoberfläche
    10.
    发明公开
    Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitfähigen Substratoberfläche 有权
    一种用于在导电基底表面的表面处理方法

    公开(公告)号：EP2058076A3

    公开(公告)日：2013-02-13

    申请号：EP08022416.5

    申请日：2007-04-20

    Applicant: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.

    Inventor： Quenzer, Hans-Joachim ,  Zwicker, Gerfried

    IPC: B23H3/00 ,  C25D3/00

    CPC classification number: B23H3/00 ,  B81C1/00634 ,  B81C2201/0146 ,  C25F3/14

    Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitenden Substratoberfläche, bei dem ein festes Ionen leitendes Material in Form von ZrO 2 aufweisendes Werkzeug wenigstens bereichsweise in Kontakt mit der Substratoberfläche, die Kohlenstoff wie etwa Graphit und/oder Glaskohlenstoff enthält, gebracht wird, das als anionischer Ionenleiter ausgebildet ist und an das ein elektrisches Potenzial angelegt wird, so dass aus dem anionischen Ionenleiter Anionen austreten, die sich an der Substratoberfläche zu einer mit der Substratoberfläche reaktiven Verbindung umwandeln, und dass die reaktionsfähige Verbindung mit dem Graphit oder Glaskohlenstoff an der Substratoberfläche eine gasförmige Verbindung eingeht, wodurch die Substratoberfläche lokal abgetragen wird.

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