公开(公告)号：CN103922269A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410019257.1

申请日：2014-01-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  H04R27/00

CPC classification number: B81C1/00325 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0198

Abstract: MEMS器件、MEMS器件的系统、制作MEMS器件的方法。一种MEMS器件、制作MEMS器件的方法和MEMS器件的系统被示出。在一个实施例中，MEMS器件包括第一聚合物层，设置在第一聚合物层上的MEMS衬底和由MEMS衬底支撑的MEMS结构。该MEMS器件进一步包括在MEMS衬底中设置的第一开口和在第一聚合物层中设置的第二开口。

公开(公告)号：CN103922269B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410019257.1

申请日：2014-01-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  H04R27/00

CPC classification number: B81C1/00325 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0198

Abstract: MEMS器件、MEMS器件的系统、制作MEMS器件的方法。一种MEMS器件、制作MEMS器件的方法和MEMS器件的系统被示出。在一个实施例中，MEMS器件包括第一聚合物层，设置在第一聚合物层上的MEMS衬底和由MEMS衬底支撑的MEMS结构。该MEMS器件进一步包括在MEMS衬底中设置的第一开口和在第一聚合物层中设置的第二开口。

公开(公告)号：CN104215236A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310221698.5

申请日：2013-06-05

Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所

Inventor： 于连忠 ,  孙晨

IPC: G01C19/574 ,  G01C19/5769

CPC classification number: G01C19/5769 ,  B81B3/0048 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0118 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5747

Abstract: 一种MEMS反相振动陀螺仪，包括：测量体、与所述测量体相连接的上盖板以及下盖板；所述测量体为两个，沿垂直方向相对连接，每个所述测量体包括外框架、位于所述外框架内的内框架以及位于所述内框架内的质量块；两个所述测量体之间通过所述外框架相连接；所述外框架与所述内框架之间通过第一弹性梁相连接；所述质量块与所述内框架通过所述第二弹性梁相连接；所述内框架与所述外框架之间的相对边设置有梳状耦合结构；两个所述质量块在垂直方向上以相反方向振动，本发明通过测量所述梳状耦合结构之间的电容变化来测量旋转角速度。本发明具有检测灵敏度高、耦合能耗小、噪声小等特点。

公开(公告)号：CN1135614C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN98105197.9

申请日：1998-03-31

Applicant: 西门子公司

Inventor： 德克·托宾 ,  彼得·韦甘德

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/108

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87 ,  H01L28/88 ,  H01L28/91 ,  H01L28/92

Abstract: 一种形成半导体器件结构的方法，包括：在基片表面形成垂直延伸柱以提供第一结构；在其表面沉积流动性的牺牲材料，其从柱的顶表面和侧壁流出至基片表面的相邻部分以提供第二结构；在第二结构表面沉积非牺牲材料，其与第二结构的表面形貌一致，非牺牲材料覆盖牺牲材料以及柱的侧壁和顶表面；选择性地去除牺牲材料而保留非牺牲材料，以形成具有水平组件的第三结构，且水平组件由柱的一个较低的部分支承于基片表面之上某个预定的距离处。

公开(公告)号：CN106865490A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610562510.7

申请日：2016-07-15

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 俞一善

IPC: B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/036 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/032

Abstract: 本发明涉及微机电系统传感器的制造方法。一种MEMS传感器的制造方法包括：形成第一基板，其中，第一基板包括设置在其一个表面处的下部电极；形成第二基板，其中，第二基板包括设置在其一个表面处的第一凹凸部分；第一粘结步骤，将第一基板的一个表面与第二基板的一个表面粘结以面对彼此；形成第三基板，其中，第三基板包括设置在其一个表面处的上部电极；第二粘结步骤，将第二基板的另一表面与第三基板的一个表面粘结以面对彼此；以及第三基板的另一表面上形成电极线以连接至下部电极和上部电极。

公开(公告)号：CN1182952C

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN98115040.3

申请日：1998-06-19

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 加藤隆典 ,  张延平

IPC: B29C59/16 ,  H01L21/308

CPC classification number: B81C1/00126 ,  B32B3/02 ,  B32B27/06 ,  B81C2201/0159 ,  G03F7/00 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/2039 ,  Y10S430/167 ,  Y10S430/168

Abstract: 一种制造一个微结构的方法，包括首先制备一个包括第一膜和紧贴在第一膜上的第二膜的叠层基底，第二膜是用可以被同步辐射光所蚀刻的材料制成。一个带有一种图形的掩模件紧贴在层叠结构的第二膜的表面上或者与第二膜表面保持一段距离，掩模件的图形是由同步辐射光不能透过的材料制成。然后使同步辐射光通过掩模件照射在第二膜的部分表面上以便将照射到的部分侵蚀掉并且将第一膜的部分表面区域暴露在一个蚀刻区域的底部上。

公开(公告)号：CN1203148A

公开(公告)日：1998-12-30

申请号：CN98115040.3

申请日：1998-06-19

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 加藤隆典 ,  张延平

IPC: B29C59/16 ,  H01L21/308

CPC classification number: B81C1/00126 ,  B32B3/02 ,  B32B27/06 ,  B81C2201/0159 ,  G03F7/00 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/2039 ,  Y10S430/167 ,  Y10S430/168

Abstract: 一种制造一个微结构的方法,包括首先制备一个包括第一膜和紧贴在第一膜上的第二膜的叠层基底,第二膜是用可以被同步辐射光所蚀刻的材料制成。一个带有一种图形的掩模件紧贴在层叠结构的第二膜的表面上或者与第二膜表面保持一段距离,掩模件的图形是由同步辐射光不能透过的材料制成。然后使同步辐射光通过掩模件照射在第二膜的部分表面上以便将照射到的部分侵蚀掉并且将第一膜的部分表面区域暴露在一个蚀刻区域的底部上。

公开(公告)号：CN104215236B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310221698.5

申请日：2013-06-05

Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所

Inventor： 于连忠 ,  孙晨

IPC: G01C19/574 ,  G01C19/5769

CPC classification number: G01C19/5769 ,  B81B3/0048 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0118 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5747

Abstract: 一种MEMS反相振动陀螺仪，包括：测量体、与所述测量体相连接的上盖板以及下盖板；所述测量体为两个，沿垂直方向相对连接，每个所述测量体包括外框架、位于所述外框架内的内框架以及位于所述内框架内的质量块；两个所述测量体之间通过所述外框架相连接；所述外框架与所述内框架之间通过第一弹性梁相连接；所述质量块与所述内框架通过所述第二弹性梁相连接；所述内框架与所述外框架之间的相对边设置有梳状耦合结构；两个所述质量块在垂直方向上以相反方向振动，本发明通过测量所述梳状耦合结构之间的电容变化来测量旋转角速度。本发明具有检测灵敏度高、耦合能耗小、噪声小等特点。

公开(公告)号：CN101061432A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200580039211.5

申请日：2005-10-14

Applicant: 伊利诺斯大学理事会

Inventor： 拉尔夫·G·努若 ,  威廉·R·蔡尔兹 ,  迈克尔·J·莫特拉 ,  李健在

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/038 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/34 ,  G03F7/346

Abstract: 一种制造微结构的方法，包括选择性活化含硅弹性体的部分表面，使该活化部分与物质接触，以及使该活化部分与物质结合，使得该表面的活化部分和与该活化部分接触的物质不可逆地连接。通过在该含硅弹性体的表面上配置掩模以及用UV射线照射该露出部分可以实现这种选择性活化。

公开(公告)号：CN1643701A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806400.6

申请日：2003-01-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥村美香 ,  堀川牧夫 ,  佐藤公敏

IPC: H01L29/84 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明的目的在于提供在形成与半导体衬底例如搭载加速度传感器的硅衬底接触的电极时，降低光致抗蚀剂覆盖的台阶的技术，而且，为了达到上述目的，在形成牺牲层(4)或者半导体膜(50)和固定电极(51)之前，形成用于形成电极(90)的开口(80)，由此不需要厚的光致抗蚀剂。