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公开(公告)号：CN101471212B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710125661.7
申请日：2007-12-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/13
CPC classification number: H01J1/14 , H01J2201/19 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种热发射电子器件，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格，且行电极引线与列电极引线之间电绝缘；多个热电子发射单元，每个热电子发射单元对应一个网格设置，每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体，该第一电极与第二电极间隔设置于每个网格中，并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接，所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接，所述热电子发射体为至少一根碳纳米管长线。
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公开(公告)号：CN101471212A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710125661.7
申请日：2007-12-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/13
CPC classification number: H01J1/14 , H01J2201/19 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种热发射电子器件，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格，且行电极引线与列电极引线之间电绝缘；多个热电子发射单元，每个热电子发射单元对应一个网格设置，每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体，该第一电极与第二电极间隔设置于每个网格中，并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接，所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接，所述热电子发射体为至少一根碳纳米管长线。
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公开(公告)号：CN103189958B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180053479.X
申请日：2011-10-28
Applicant: 欧司朗股份有限公司
Inventor： 沃尔夫冈·塞茨
IPC: H01J61/073 , H01J1/20 , H01J9/04
CPC classification number: H01J9/042 , H01J1/20 , H01J9/04 , H01J61/0732 , H01J2201/19 , H01J2209/02
Abstract: 本发明涉及一种用于制造高压放电灯（10）的电极（16）的方法，包括下面的步骤：a）优选借助激光束扫略电极表面的至少一部分，以用于生成氧化层（步骤120）；b）至少部分地升华在步骤a）中产生的氧化层（步骤120）；并且c）还原剩余的氧化层（140）。本发明还涉及一种具有如此制造的至少一个电极的高压放电灯（10）。
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公开(公告)号：CN103189958A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180053479.X
申请日：2011-10-28
Applicant: 欧司朗股份有限公司
Inventor： 沃尔夫冈·塞茨
IPC: H01J61/073 , H01J1/20 , H01J9/04
CPC classification number: H01J9/042 , H01J1/20 , H01J9/04 , H01J61/0732 , H01J2201/19 , H01J2209/02
Abstract: 本发明涉及一种用于制造高压放电灯（10）的电极（16）的方法，包括下面的步骤：a）优选借助激光束扫略电极表面的至少一部分，以用于生成氧化层（步骤120）；b）至少部分地升华在步骤a）中产生的氧化层（步骤120）；并且c）还原剩余的氧化层（140）。本发明还涉及一种具有如此制造的至少一个电极的高压放电灯（10）。
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公开(公告)号：CN109065420A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810900938.7
申请日：2018-08-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
CPC classification number: H01J1/13 , H01J9/04 , H01J2201/19
Abstract: 本发明公开一种具有三维结构表面的热阴极及其制备方法，属于真空元器件技术领域。所述热阴极包括浸渍铝酸盐的多孔钨基和形成于多孔钨基表面的贵重金属薄膜，所述多孔钨基的发射表面开槽形成规则排列的凹陷结构。本发明还公开了该热阴极的制备方法。本发明提供的热阴极可增加阴极电子发射面的有效面积，从而显著提高阴极的电流发射强度，为真空微波器件的理想电子源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1949449B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200510100365.2
申请日：2005-10-14
Applicant: 北京富纳特创新科技有限公司 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/15 , H01J1/20 , H01J1/304 , H01J2201/19 , H01J2201/196 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一电子发射体，其包括一维纳米结构；一相对于该电子发射体设置的阳极；一第一电源，用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场；及一第二电源，用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压，可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流；此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质，可获取稳定性较佳的发射电流；另一方面，该加热电压较低，发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。
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公开(公告)号：CN1949449A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200510100365.2
申请日：2005-10-14
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/15 , H01J1/20 , H01J1/304 , H01J2201/19 , H01J2201/196 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一电子发射体，其包括一维纳米结构；一相对于该电子发射体设置的阳极；一第一电源，用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场；及一第二电源，用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压，可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流；此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质，可获取稳定性较佳的发射电流；另一方面，该加热电压较低，发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。
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公开(公告)号：US07915798B2
公开(公告)日：2011-03-29
申请号：US12288996
申请日：2008-10-23
Applicant: Peng Liu , Liang Liu , Kai-Li Jiang , Shou-Shan Fan
Inventor： Peng Liu , Liang Liu , Kai-Li Jiang , Shou-Shan Fan
IPC: H01J1/46
CPC classification number: H01J1/14 , H01J2201/19 , H01J2201/30469
Abstract: A thermionic emission device includes an insulating substrate, and one or more grids located thereon. Each grid includes a first, second, third and fourth electrode down-leads located on the periphery thereof, and a thermionic electron emission unit therein. The first and second electrode down-leads are parallel to each other. The third and fourth electrode down-leads are parallel to each other. The first and second electrode down-leads are insulated from the third and fourth electrode down-leads. The thermionic electron emission unit includes a first electrode, a second electrode, and a thermionic electron emitter. The first electrode and the second electrode are separately located and electrically connected to the first electrode down-lead and the third electrode down-lead respectively. The thermionic electron emitter includes at least one carbon nanotube wire.
Abstract translation: 热电子发射装置包括绝缘基板和位于其上的一个或多个网格。 每个栅格包括位于其周边上的第一，第二，第三和第四电极下引线及其中的热离子电子发射单元。 第一和第二电极下引线彼此平行。 第三和第四电极下引线彼此平行。 第一和第二电极下引线与第三和第四电极下引线绝缘。 热电子发射单元包括第一电极，第二电极和热离子电子发射体。 第一电极和第二电极分别位于第一电极下引线和第三电极引线下电连接。 热离子电子发射体包括至少一个碳纳米管线。
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9.发明授权Electron emission device comprising carbon nanotubes yarn and method for generating emission current 有权包含碳纳米管纱线的电子发射装置和产生发射电流的方法公开(公告)号：US07638933B2
公开(公告)日：2009-12-29
申请号：US11478406
申请日：2006-06-28
Applicant: Kai-Li Jiang , Peng Liu , Yang Wei , Liang Liu , Shou-Shan Fan
Inventor： Kai-Li Jiang , Peng Liu , Yang Wei , Liang Liu , Shou-Shan Fan
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/15 , H01J1/20 , H01J1/304 , H01J2201/19 , H01J2201/196 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: An exemplary electron emission device includes an electron emitter, an anode opposite to and spaced apart from the electron emitter, a first power supply circuit, and a second power supply circuit. The first power supply circuit is configured for electrically connecting the electron emitter and the anode with a power supply to generate an electric field between the electron emitter and the anode. The second power supply circuit is configured for electrically connecting the electron emitter with a power supply to supply a heating current for heating the electron emitter whereby electrons emit therefrom. Methods for generating an emission current with a relatively higher stability also are provided.
Abstract translation: 示例性的电子发射装置包括电子发射极，与电子发射极相对且间隔开的阳极，第一电源电路和第二电源电路。 第一电源电路被配置为用电源电连接电子发射器和阳极，以在电子发射器和阳极之间产生电场。 第二电源电路被配置为将电子发射器与电源电连接以提供用于加热电子发射器的加热电流，从而电子从其发射。 还提供了用于产生具有相对较高稳定性的发射电流的方法。
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公开(公告)号：US06190579B1
公开(公告)日：2001-02-20
申请号：US09435508
申请日：1999-11-08
Applicant: Garth W. Billings
Inventor： Garth W. Billings
IPC: H01B102
CPC classification number: H01B1/06 , B82Y10/00 , H01J1/14 , H01J1/142 , H01J1/144 , H01J1/148 , H01J1/304 , H01J2201/19
Abstract: Electron emission materials consisting of carbides, borides, and oxides, and related mixtures and compounds, of Group IVB metals Hf, Zr, and Ti, Group IIA metals Be, Mg, Ca, Sr, and Ba, and Group IIIB metals Sc, Y, and lanthanides La through Lu are used in electrodes. The electron emission materials include ternary Group IVB-IIIB, IVB-IIA, and IIIB-IIA oxides and quaternary Group IVB-IIIB-IIA oxides. These electron emission materials are typically contained in a refractory metal matrix formed of tungsten, molybdenum, tantalum, rhenium, and their alloys, but may also be used by themselves. These materials and electrodes have high melting points, low vapor pressures, low work functions, high electrical and thermal conductivity, and high thermionic electron emission and field emission properties.
Abstract translation: 由ⅣB族金属Hf，Zr和Ti，IIA族金属Be，Mg，Ca，Sr和Ba以及IIIB族金属组成的由碳化物，硼化物和氧化物组成的电子发射材料及相关混合物和化合物Sc，Y ，镧系元素La-Lu用于电极。 电子发射材料包括IVB-IIIB族，IVB-IIA族和IIIB-IIA族氧化物，IVB-IIIB-IIA族四元族氧化物。 这些电子发射材料通常包含在由钨，钼，钽，铼及其合金形成的难熔金属基体中，但也可以自己使用。 这些材料和电极具有高熔点，低蒸汽压力，低功函数，高导热性和高热电子发射和场发射性能。
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