铁电发射体
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1337727A

    公开(公告)日:2002-02-27

    申请号:CN01122405.3

    申请日:2001-07-05

    Inventor: 柳仁暻

    CPC classification number: H01J1/30 H01J2201/306

    Abstract: 本发明公开一种铁电发射体。本发明的铁电发射体包括具有第一侧面,相对的第二侧面和顶面的铁电层,沿着铁电层顶面形成的第一和第二电极,和具有预定图形的掩模层,并沿着第一和第二电极之间的铁电层的顶面形成。当用于铁电转换发射光刻时,本发明的铁电发射体允许电子从掩模层的宽或窄间隙中和从诸如环行的隔离图形中发射,同时,在热电电子发射中易于重新还原。

    铁电发射体
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1211825C

    公开(公告)日:2005-07-20

    申请号:CN01122404.5

    申请日:2001-07-05

    Inventor: 柳仁暻

    Abstract: 在半导体光刻工艺中使用的铁电多层发射体包括下电极,具有顶表面和两个端部分并覆盖在下电极上的铁电层,在除铁电层顶面两个端部分之外的区域上形成的插入电极,具有侧部和具有两个端部分的顶面的介电层,其具有预定图形并沿着铁电层的顶面和插入电极形成,在铁电层对面的介电层一侧上形成的假上电极。本发明的铁电发射体保证电子从掩模层的宽和窄空隙中和在诸如环行的隔离图形中均匀发射,用于铁电转换发射光刻。

    铁电发射体
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1185673C

    公开(公告)日:2005-01-19

    申请号:CN01122405.3

    申请日:2001-07-05

    Inventor: 柳仁暻

    CPC classification number: H01J1/30 H01J2201/306

    Abstract: 本发明公开一种铁电发射体。本发明的铁电发射体包括具有第一侧面,相对的第二侧面和顶面的铁电层,沿着铁电层顶面形成的第一和第二电极,和具有预定图形的掩模层,并沿着第一和第二电极之间的铁电层的顶面形成。当用于铁电转换发射光刻时,本发明的铁电发射体允许电子从掩模层的宽或窄间隙中和从诸如环行的隔离图形中发射,同时,在热电电子发射中易于重新还原。

    铁电电子束源和用于产生电子束的方法

    公开(公告)号:CN1722356A

    公开(公告)日:2006-01-18

    申请号:CN200510078809.7

    申请日:2005-05-17

    Inventor: 森田慎三

    CPC classification number: H01J1/30 H01J2201/306

    Abstract: 梳状电极形成在铁电薄膜的主表面上,以及平面电极形成在铁电薄膜的背表面上。然后,铁电薄膜的主表面的性能被转变成半导电性。然后,在给定的气氛中设置包括铁电薄膜、梳状电极和平面电极的组合体。在该环境下,对梳状电极施加负电压以极化铁电薄膜,并对平面电极施加负脉冲电压,由此从铁电薄膜的主表面产生电子束。

    显示器件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101006544A

    公开(公告)日:2007-07-25

    申请号:CN200580028474.6

    申请日:2005-08-02

    CPC classification number: H01J31/127 H01J1/316 H01J2201/306

    Abstract: PED包括在后基板内表面(4a)上形成为矩阵形式的信号线(18a,18b)和扫描线(18c,18d),并且PZT膜(24)用作各个交点处的电子发射元件。通过在元件电极(21,22)之间施加电压,各个PZT膜(24)发射具有依赖于PZT膜(24)形状的横截面形状的电子束。

    铁电发射体
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1344001A

    公开(公告)日:2002-04-10

    申请号:CN01122404.5

    申请日:2001-07-05

    Inventor: 柳仁暻

    Abstract: 在半导体光刻工艺中使用的铁电多层发射体包括下电极,具有顶表面和两个端部分并覆盖在下电极上的铁电层,在除铁电层顶面两个端部分之外的区域上形成的插入电极,具有侧部和具有两个端部分的顶面的介电层,其具有预定图形并沿着铁电层的顶面和插入电极形成,在铁电层对面的介电层一侧上形成的假上电极。本发明的铁电发射体保证电子从掩模层的宽和窄空隙中和在诸如环行的隔离图形中均匀发射,用于铁电转换发射光刻。

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