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公开(公告)号：CN104795296B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201410024482.4
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01B1/04 , H01J1/312 , H01J29/18 , H01J31/127
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，包括：多个条形第一电极，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸；多个条形第二电极，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，所述多个条形第一电极和多个条形第二电极交叉且间隔设置，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极定义一电子发射单元，每一电子发射单元进一步包括位于条形第一电极与条形第二电极之间且依次层叠设置的一绝缘层、一电子收集层以及一半导体层，所述电子收集层为一导电层。本发明还提供一种电子发射显示器。
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公开(公告)号：CN104795295A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024419.0
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/308 , H01J1/312 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , Y10S977/939 , H01J29/04 , H01J1/30 , H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，其包括：依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射源还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层。
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公开(公告)号：CN104795294A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024369.6
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/12 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/02 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述第一电极为一碳纳米管层，每一电子发射单元中的半导体层具有多个间隔设置的孔洞，对应孔洞位置处的碳纳米管层悬空设置。
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公开(公告)号：CN101657875A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880011889.6
申请日：2008-04-23
Applicant: 株式会社克莱斯泰克
IPC: H01J1/312 , H01J3/14 , H01J37/305 , H01L21/027 , H01J37/073
CPC classification number: H01J37/073 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J1/312 , H01J37/06 , H01J37/3174 , H01J2201/312 , H01J2237/0635
Abstract: 本发明的面辐射型电子源具有：平面状的第一电极；与第一电极相对设置的平面状的第二电极；设置在第一电极和第二电极之间的电子通过层；以及对第二电极和第一电极施加电压的电源部。电子通过层中，隔开规定的间隔而设置多个量子细线，并从第二电极的表面辐射电子，量子细线在从第一电极朝向第二电极的第一方向上延伸。量子细线由硅构成，同时在第一方向上以规定间隔形成多个粗细度细的部分。
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公开(公告)号：CN100385543C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN03101080.6
申请日：2003-01-09
Applicant: 惠普公司
Abstract: 本发明披露了一种场发射平面电子发射器件(100)，其具有发射电极(112)，提取电极(120)，以及和该发射电极、提取电极电连接的平面发射器电子发射层(214)。该平面电子发射器(214)的构型使得优先于其外部区域的电子发射而偏重其中心区域的电子发射。实现该偏重的一个例子通过这样制造平面发射器电子发射层来实现，使得该平面发射器电子发射层具有沿深度方向比其内部(216b)较厚的外周边(216a)，当在发射电极和提取电极之间施加电场时，这减少了在外周边的电子发射。在内部区域比在外周边区域，电场以较高的速率从平面发射器电子发射层的表面朝向提取电极汲取电子。该平面发射器件(100)还包括和该平面电子发射器(216)电连接的聚集电极(124)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100376040C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN03800686.3
申请日：2003-03-07
Abstract: 所公开的是一种电子源(10)，该电子源包括形成于绝缘基片(1)一侧表面上的电子源元件(10a)。电子源元件(10a)包括下电极(2)，复合纳米晶体层(6)和表面电极(7)。复合纳米晶体层(6)包括多个多晶硅晶粒51，在每个晶粒(51)表面上形成的氧化硅薄膜(52)，存在于相邻晶粒(51)之间的大量纳米晶体硅(63)，以及在每个纳米晶体硅(63)表面形成的氧化硅膜(64)。氧化硅膜(64)是厚度小于纳米晶体硅(63)晶粒大小的绝缘膜。表面电极(7)是由碳薄膜(7a)和金属薄膜(7b)形成，碳薄膜(7a)层压在复合纳米晶体层(6)上与其相接触，而金属薄膜(7b)层压在碳薄膜(7a)上。
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公开(公告)号：CN1938808A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010783.0
申请日：2005-03-22
Applicant: 先锋株式会社 , 日本先锋微电子技术公司
CPC classification number: H01J9/022 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J31/127
Abstract: 本发明涉及电子发射装置及其制造方法、和利用电子发射装置的摄像装置或显示装置。该电子发射装置具有下部电极(11)和上部电极(15)，且由从上部电极侧发射电子的多个电子发射元件构成，其中，电子发射元件之间形成有空间，上部电极以在桥部(15a)横跨上述空间的方式延伸，在该制造方法中，当制造上述电子发射装置时，在桥部设置通孔或缺口部(15a)，通过把桥部作为掩模，来蚀刻上部电极下方的层叠体，从而形成上述空间。根据上述电子发射元件，通过桥部能够对相邻的电子发射元件的上部电极之间进行电连接，而不会使上部电极与电子发射元件侧面及基板接触，因此能够缩短电流路径，并且能够减小断线的可能性。
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公开(公告)号：CN1879184A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200580000709.0
申请日：2005-01-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J1/312
Abstract: 电子发射元件(10A)具有由电介质构成的发射极部(12)、施加用于电子发射的驱动电压(Va)的上部电极(14)以及下部电极(16)，上部电极(14)形成在发射极部(12)的上表面，下部电极(16)形成在发射极部(12)的下表面，上部电极(14)具有露出发射极部(12)的多个贯通部(20)，上部电极(14)中贯通部(20)的周部(26)的与发射极部(12)相对的面与发射极部o(12)分离开。
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公开(公告)号：CN1856857A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480023468.7
申请日：2004-12-28
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 光源(10A、10B)具有把多个电子发射元件(12A、12B)二维地排列起来的发光部(14)、对该发光部(14)的各电子发射元件(12A、12B)施加驱动电压(Va)的驱动电路(16A、16B)。驱动电路(16A、16B)根据来自外部(亮灯/熄灯开关等)的表示亮灯/熄灯的控制信号(Sc)，在各电子发射元件(12A、12B)的上部电极(18)和下部电极(20)上施加驱动电压(Va)，来驱动控制各电子发射元件(12A、12B)。各电子发射元件(12A、12B)具有板状的发射体(22)、形成在该发射体(22)的表面的上部电极(18)和形成在该发射体(22)的背面的下部电极(20)。
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