公开(公告)号：KR102236809B1

公开(公告)日：2021-04-05

申请号：KR1020157034823A

申请日：2014-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리 첸 ,  메리트 펑크 ,  즈잉 첸

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/32458 ,  H05H1/24

Abstract: 소스 플라즈마를 여기시켜 전자 빔을 생성하는 플라즈마 소스 챔버, 및 전자 빔에 대한 기판의 노출을 위해 기판을 수용하는 프로세스 챔버를 구비하는 프로세싱 시스템이 개시된다. 프로세싱 시스템은 또한, 전자 빔이 프로세스 챔버에 들어갈 때 소스 플라즈마로부터 전자 빔 안으로 전자를 주입하는 전자 주입기를 포함한다. 전자 빔은 프로세스 챔버에서 실질적으로 동일한 수의 전자 및 정으로 하전된 이온을 포함한다. 일 실시형태에서, 프로세싱 챔버는 또한, 전자 빔에 포함되는 전자를 포획하여 자기장 생성기와 기판 사이에 전압 전위를 생성하기 위해, 프로세스 챔버에 자기장을 생성하는 자기장 생성기를 포함한다. 전압 전위는 정으로 하전된 이온을 기판으로 가속시키고 기판에 도달하는 전자를 최소로 한다.

公开(公告)号：KR102236133B1

公开(公告)日：2021-04-05

申请号：KR1020140101738A

申请日：2014-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아르노 알랭 쟝 도앙도페르 ,  시노부 미야자키

IPC: H01L21/02

Abstract: 보틀 교환 시에 보틀 내로 먼지 등이 들어가는 것을 억제할 수 있는 보틀 교환 장치를 제공한다. 또한, 처리액용 배관에 대하여 확실히 접속할 수 있는 보틀 캡을 제공한다. 보틀(B)은 캡(C)을 구비한다. 캡(C)은 처리액용 스트로부(C40)와 처리액용 접속부(C45)를 구비한다. 처리액용 스트로부(C40)는 처리액용 유로(R1)를 형성하고, 또한 보틀(B) 내로 연장된다. 처리액용 접속부(C45)는 처리액용 스트로부(C40)의 단부에 설치된다. 케미컬 카트(31)는 보틀(B)의 처리액용 접속부(C45)와 접속되고, 보틀(B)로부터 공급된 처리액이 유통하는 처리액용 배관(D45)을 구비하는 접속 기구부(D20)와, 처리액용 접속부(C45)와 처리액용 배관(D45)을 접속하는 접속 위치에 보틀(B)을 반송하는 슬라이드·회전 기구부(D60)를 구비한다.

公开(公告)号：KR20210035220A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020217004605A

申请日：2019-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토시 오오카와

IPC: H01L21/67 ,  B05B1/14 ,  B05B12/12 ,  B05B13/04 ,  B24B7/22 ,  G01B11/06 ,  G01K1/02

CPC classification number: H01L21/6708 ,  B05B1/14 ,  B05B12/122 ,  B05B13/041 ,  B24B7/228 ,  G01B11/06 ,  G01K1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

Abstract: 기판을 처리하는 기판 처리 시스템으로서, 기판을 에칭하는 에칭 장치와, 상기 에칭 장치를 제어하는 제어 장치를 가지고, 상기 에칭 장치는, 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 노즐과, 상기 액 공급 노즐과 일체로 마련되어, 기판에 접촉하지 않고 당해 기판의 두께를 계측하는 두께 계측부와, 상기 액 공급 노즐과 상기 두께 계측부를 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구를 가지고, 상기 제어 장치는, 상기 액 공급 노즐과 상기 두께 계측부를 수평 방향으로 이동시키면서, 당해 두께 계측부에 의해 기판의 두께를 계측하도록, 상기 액 공급 노즐, 상기 두께 계측부 및 상기 이동 기구를 제어한다.

公开(公告)号：KR20210034496A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020200113584A

申请日：2020-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나오키 신도 ,  료 구와지마 ,  사토시 도다

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68771

Abstract: 본 발명은, β-디케톤인 가스를 사용해서 기판에 형성된 금속막을 에칭하는 데 있어서, 당해 기판의 금속 오염을 방지하는 것이다. 내부가 배기되어 진공 분위기가 형성됨과 함께, 알루미늄과 첨가 금속으로 이루어지는 합금을 모재로 하는 벽부를 구비하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 마련된, 표면에 금속막이 형성된 기판을 적재하는 스테이지와, 상기 금속막을 산화하는 산화 가스와, β-디케톤인 에칭 가스를 상기 스테이지에 공급하여, 산화된 상기 금속막을 에칭하기 위해서 상기 처리 용기에 마련되는 가스 공급부와, 상기 가스 공급부로부터 상기 처리 용기 내에 상기 에칭 가스를 공급할 때, 상기 벽부를 60℃ 내지 90℃로 가열하는 벽부용 가열부를 구비하는 에칭 장치를 구성한다.

公开(公告)号：KR20210033485A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020217003912A

申请日：2019-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야토 타노우에 ,  타카시 우노 ,  사토시 오오카와 ,  스구루 에노키다

IPC: H01L21/67 ,  B23K26/53 ,  B23K101/40 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/683 ,  B23K2101/40

Abstract: 기판을 처리하는 기판 처리 시스템으로서, 제 1 기판의 표면과 제 2 기판의 표면이 접합된 중합 기판에 대하여, 상기 제 1 기판의 내부에 있어서 면 방향으로 중심부로부터 적어도 당해 제 1 기판의 제거 대상인 주연부를 향해 연신하는 내부면 개질층을 형성하는 제 1 개질 장치와, 상기 제 1 기판의 내부에 있어서, 상기 주연부와 중앙부와의 경계를 따라 두께 방향으로 연신하는 주연 개질층을 형성하는 제 2 개질 장치와, 상기 내부면 개질층을 기점으로 상기 제 1 기판의 이면측을 분리하는 분리 장치를 가진다.

公开(公告)号：KR20210033418A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020200114454A

申请日：2020-09-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로아키 치하야 ,  아인슈타인 노엘 아바라 ,  쇼타 이시바시

IPC: H01L43/12 ,  C23C14/54 ,  G01N21/17 ,  G01N21/21 ,  G01N27/72 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L22/14 ,  C23C14/54 ,  C23C14/566 ,  G01N27/72 ,  G01R33/032 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G01N2021/1727 ,  G01N2021/218

Abstract: 성막한 자성막의 자화 특성의 측정을 실행할 수 있는 성막 시스템 및 그것에 이용되는 자화 특성 측정 장치 및 자화 특성 측정 방법을 제공한다.
기판 상에 자성막을 성막하는 처리 모듈과, 처리 모듈에서 성막된 자성막의 자화 특성을 측정하는 자화 특성 측정 장치와, 처리 모듈과 자화 특성 측정 장치 사이에서 기판을 반송하는 반송부를 구비한다. 자화 특성 측정 장치는, 기판에 자장을 인가하는 동시에 상기 기판에 인가하는 자장을 조정 가능한 영구 자석 자기 회로를 갖는 자장 인가 기구와, 상기 기판의 자화 특성을 검출하는 검출기를 구비한다.

公开(公告)号：KR102232637B1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020180026846A

申请日：2018-03-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마코토 후지카와 ,  레이지 니이노 ,  히로유키 하시모토 ,  다츠야 야마구치 ,  슈지 노자와

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/67011 ,  B05D1/60 ,  B05D1/002 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02518 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109

Abstract: 본 발명은, 종형의 반응 용기 내에서 선반 형상으로 유지된 복수의 기판에 대하여 성막 처리를 행하는 데 있어서, 기판의 중심부의 막 두께와 주연부의 막 두께를 각각 제어할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
반응 용기(11) 내에서의 기판(W)의 유지 영역의 후방에 설치된, 상기 성막 가스를 토출하는 성막 가스 토출부(41)와, 기판(W)의 유지 영역의 전방에 설치된, 성막 가스를 배기하는 배기구(15)와, 기판 유지구(21)를 종축의 주위로 회전시키기 위한 회전 기구(34)와, 성막 가스 토출부(41)로부터 토출되는 성막 가스의 온도보다도 반응 용기(11) 내를 낮은 온도로 가열하는 가열부(24)를 구비하는 장치를 구성한다. 성막 가스 토출부(41)에서, 제1 토출구(43)는 토출된 성막 가스가 반응 용기(11) 내의 가스 강온용 부재에 충돌해서 강온되도록, 제2 토출구(42)는 토출된 성막 가스가 가스 강온용 부재에 충돌하지 않도록, 각각 상이한 방향으로 개구된다.

公开(公告)号：KR20210031825A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020200112179A

申请日：2020-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유사쿠 하시모토 ,  마사토시 가와키타 ,  다이키 시바타

IPC: H01L21/67 ,  G03F7/16 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D1/002 ,  B05C5/001 ,  B05C9/14 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/68764

Abstract: 본 발명은, 기판에 형성되는 피막의 막 두께의 면내 균일성 향상에 유효한 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치를 제공한다.
도포 처리 방법은, 기판의 표면의 중심에 성막 액을 공급하면서 제1 회전 속도로 기판을 회전시키고, 기판의 표면에 공급된 성막 액이 기판의 외주에 도달하기 전에 성막 액의 공급을 정지시키는 것과, 성막 액의 공급이 정지된 후, 제2 회전 속도로 기판의 회전을 계속시키는 것과, 성막 액의 공급이 정지된 후, 제2 회전 속도에 의한 기판의 회전이 완료될 때까지의 기간의 적어도 일부를 포함하는 공급 기간에 있어서, 기액 혼합의 냉각 유체를 기판의 이면의 외주 부분에 공급하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR20210031615A

公开(公告)日：2021-03-22

申请号：KR1020200113921A

申请日：2020-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나오키 타지마 ,  타케시 토비마츠

IPC: H01L21/67 ,  B01D46/00 ,  B01D46/42

CPC classification number: H01L21/67017 ,  B01D46/0039 ,  B01D46/42

Abstract: 복수의 병렬 배치된 기판 처리 장치에 대하여 필터를 거쳐 공급하는 청정 공기의 온도를 균일하게 한다. 병렬로 배치된 복수의 기판 처리 장치의 상방에 설치되는 필터를 가지는 필터 장치로서, 상기 필터의 상방에 형성된 덕트 공간에 있어서의 상기 기판 처리 장치의 병렬 방향의 일단부측에 공기류 입구가 형성되고, 상기 공기류 입구로부터 유입된 공기는, 상기 덕트 공간을 상하 방향으로 구획하는 기류 유도 부재에 의해, 상기 기류 유도 부재의 전면측으로부터 상기 덕트 공간의 타단부측으로 안내되고, 상기 타단부측으로 안내된 공기 중 적어도 일부는 상기 기류 유도 부재의 배면측으로 돌아오도록 구성되고, 상기 덕트 공간 내의 공기는 상기 필터를 거쳐 상기 기판 처리 장치로 흐르도록 구성되어 있다.

公开(公告)号：KR20210031610A

公开(公告)日：2021-03-22

申请号：KR1020200112738A

申请日：2020-09-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유이치로 구누기모토 ,  다카후미 하야마 ,  히데히로 스즈키

IPC: H01L21/67 ,  B05B15/50 ,  G01B11/02 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/162 ,  B05B15/50 ,  G01B11/022 ,  G01B11/028

Abstract: 본 발명은, 기판에 액 처리를 행하는 데 있어서, 처리가 이상으로 되는 것을 확실성 높게 방지하는 것이다. 기판이 적재되는 적재부와, 상기 적재부에 적재된 상기 기판에 처리액을 공급해서 처리를 행하는 노즐과, 상기 노즐을 촬상하여, 화상 데이터를 취득하기 위한 촬상부와, 상기 노즐로부터의 상기 처리액의 공급이 행하여지지 않는 기간 내에서의 서로 다른 타이밍에서 상기 촬상부에 의해 취득된 복수의 상기 화상 데이터에 기초하여, 상기 노즐 내에 마련되는 상기 처리액의 유로에서의 당해 처리액 또는 당해 처리액 이외의 액체에 의해 형성되는 액면을 검출하는 검출부를 구비하도록 액 처리 장치를 구성한다.