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公开(公告)号:KR101837500B1
公开(公告)日:2018-04-26
申请号:KR1020137006064
申请日:2011-08-31
Applicant: 메트글라스, 인코포레이티드 , 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
IPC: H01F1/153
CPC classification number: B22D11/0611 , B22D11/001 , H01F1/15308 , H01F1/15333 , H01F27/25 , H01F41/0226 , Y10T29/49071
Abstract: 강자성비정질합금리본은 FeSiBC(여기서, 80.5 ≤≤ 83 at.%, 0.5 ≤≤ 6 at.%, 12 ≤≤ 16.5 at.%, 0.01 ≤≤ 1 at.%이고,+++= 100)로표시되는조성물및 불순물을갖는다. 상기리본은냉각바디표면상에 1.1 N/m 이상의표면장력을갖는합금의용융상태로부터주조되고; 상기리본은상기냉각바디표면과대향하는리본표면돌출부를가지고; 상기돌출부높이는 3 ㎛내지상기리본두께의 4배이며, 상기돌출부의수는주조리본길이의 1.5 m 이내에서 10개미만이다. 상기리본은변압기코어, 회전기계, 전기초크, 자기센서및 펄스전원장치에적합하다.
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公开(公告)号:KR101847752B1
公开(公告)日:2018-04-10
申请号:KR1020167008159
申请日:2014-09-25
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: C22C1/002 , B03C1/02 , B03C1/30 , B22D11/001 , B22D11/0611 , B22F8/00 , B22F2998/10 , C21D9/52 , C21D2201/03 , C22B1/005 , C22B7/001 , C22B7/005 , C22C1/02 , C22C45/02 , C22C2202/02 , C23G5/04 , Y02P10/214 , Y02P10/24 , Y02W30/541 , B22F9/08 , B22F2009/001 , B22F2009/046 , B22F1/0074 , B22F1/0085
Abstract: 재생합금재료의제조방법은, 비정질합금리본을포함하는코어를파쇄하는공정; 준비된유기용제및 파쇄하는공정에서얻어진파쇄편을용기내에수용하고, 용기내에서파쇄편을유기용제에접촉시키는공정; 파쇄편을유기용제에접촉시킨후, 용기내로부터유기용제를선택적으로배출하는공정; 및유기용제를배출한후, 용기내에잔류하는유기용제를증발시키는공정;을포함하고, 유기용제를증발시킨후에용기로부터취출한파쇄편이재생합금용재료로서재이용된다.
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公开(公告)号:KR101837502B1
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:KR1020137006078
申请日:2011-08-30
Applicant: 메트글라스, 인코포레이티드 , 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
IPC: H01F1/153
CPC classification number: B22D11/0611 , H01F1/15308 , H01F1/15333 , H01F27/25 , H01F41/0226
Abstract: 강자성비정질합금리본은 FeSiBC(식에서, 80.5≤83 at.%, 0.5≤6 at.%, 12≤≤16.5 at.%, 0.01≤≤1 at.%이고,+++= 100임)로나타내어지는조성물및 불순물을갖는합금을포함하고, 상기리본은용융된상태의합금으로부터캐스트된다. 상기리본은트랜스포머코어, 회전용기계, 전기식쵸크, 자기센서및 펄스파워장치로사용되기에적합하다.
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公开(公告)号:KR1020170042497A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:KR1020167024463
申请日:2015-07-16
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: B23K35/0244 , B22F1/0003 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B22F9/24 , B22F2009/245 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2301/30 , B22F2303/30 , B22F2998/10 , B23K1/0016 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K2201/42 , C22C19/03 , C23C18/1637 , C23C18/1653 , C23C18/1844 , C23C18/38 , C25D3/60 , C25D5/22 , C25D5/40 , C25D21/10 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/13014 , H01L2224/13083 , H01L2224/13101 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1357
Abstract: 땜납피복볼(10A)은 Ni 및 P를포함하는구상의코어(11)와, 코어(11)를피복하도록형성된땜납층(12)을갖는다. 땜납피복볼(10B)은코어(11)와땜납층 (12)의사이에형성된 Cu 도금층(13)을더 갖는다. 땜납피복볼(10C)은 Cu 도금층 (13)과땜납층(12)의사이에형성된 Ni 도금층(14)을더 갖는다.
Abstract translation: 焊料涂覆的球10A具有包括Ni和P的球形芯11以及形成为覆盖芯11的焊料层12。 焊料涂覆球10B具有芯11和形成在焊料层12和焊料层12之间的镀铜层13。 焊料涂覆球10C具有Cu镀层13和形成在焊料层12和焊料层12之间的Ni镀层14。
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公开(公告)号:KR1020160048180A
公开(公告)日:2016-05-03
申请号:KR1020167008159
申请日:2014-09-25
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: C22C1/002 , B03C1/02 , B03C1/30 , B22D11/001 , B22D11/0611 , B22F8/00 , B22F2998/10 , C21D9/52 , C21D2201/03 , C22B1/005 , C22B7/001 , C22B7/005 , C22C1/02 , C22C45/02 , C22C2202/02 , C23G5/04 , Y02P10/214 , Y02P10/24 , Y02W30/541 , C22B7/006 , Y02W30/54 , B22F9/08 , B22F2009/001 , B22F2009/046 , B22F1/0074 , B22F1/0085
Abstract: 재생합금재료의제조방법은, 비정질합금리본을포함하는코어를파쇄하는공정; 준비된유기용제및 파쇄하는공정에서얻어진파쇄편을용기내에수용하고, 용기내에서파쇄편을유기용제에접촉시키는공정; 파쇄편을유기용제에접촉시킨후, 용기내로부터유기용제를선택적으로배출하는공정; 및유기용제를배출한후, 용기내에잔류하는유기용제를증발시키는공정;을포함하고, 유기용제를증발시킨후에용기로부터취출한파쇄편이재생합금용재료로서재이용된다.
Abstract translation: 一种再生合金材料的制造方法,其特征在于,包括:非晶态合金带的磁心粉碎的工序; 将制备的有机溶剂和在粉碎步骤中获得的粉碎碎片放入容器中,并将碎片与容器中的有机溶剂接触; 在将碎片与有机溶剂接触后,从容器中选择性地排出有机溶剂; 在排出有机溶剂之后,残留在容器中的有机溶剂蒸发。 将有机溶剂蒸发后从容器中取出的碎片作为再生合金材料再次使用。
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公开(公告)号:KR1020150037483A
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:KR1020140061736
申请日:2014-05-22
Applicant: 토야마켄 , 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
IPC: H01L41/187 , H01L41/08
CPC classification number: H01L41/43 , H01L41/1873
Abstract: 온도안정성이뛰어난비납계의압전세라믹스및 이를이용한압전체소자를제공한다. 일반식: sA1B1O-t(Bi·A2)TiO-(1-s-t)BaMO(단, A1은알칼리금속으로부터선택되는적어도일종의원소이고, B1은적어도일종의전이금속원소로서 Nb를포함하고, A2는알칼리금속으로부터선택되는적어도일종의원소이고, M은적어도일종의 4A족원소로서 Zr을포함한다)로표시되는산화물을주성분으로서포함하고, 상기일반식에서, s 및 t가 0.905≤s≤0.918, 0.005≤t≤0.02이고, 25℃에서의압전상수 d33및 200℃에서의압전상수 d33가 (d33-d33)/d33≤0.13의관계를만족하는압전세라믹스.
Abstract translation: 本发明提供一种具有温度稳定性的无铅压电陶瓷和使用该压电陶瓷的压电元件。 压电陶瓷包括以通常的方式表示的氧化物作为主要成分:sA1B1O_3-t(Bi·A2)TiO_3-(1-st)BaMO_3(然而,A1是选自碱金属的一种元素; B1至少包括 Nb是一种过渡金属元素; A2是一种选自碱金属的元素; M是包含Zr的4A元素),其中通式s和t为0.905 <= s <= 0.918和0.005 <= t <= 0.02,在25℃下的压电常数d33(25)和在200℃下的另一个d33(200)满足关系式(d33_(25)-d33_(200))/ d33_(25)<= 0.13。
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公开(公告)号:KR1020140089334A
公开(公告)日:2014-07-14
申请号:KR1020147004339
申请日:2012-09-28
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
IPC: C04B35/468 , H01C7/02
CPC classification number: H01C7/023 , C04B35/4682 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B38/007 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/6584 , H01C7/02 , H01C7/025
Abstract: 조성식이 [(Bi·A)
x (Ba
1-y R
y )
1-x ](Ti
1-z M
z )
a O
3 (다만, A는 Na, Li, K 중 적어도 1종, R은 희토류 원소 (Y를 포함) 중 적어도 1종, M은 Nb, Ta, Sb 중 적어도 1종)으로 나타내고, 상기 a, x, y, z가, 0.90≤a≤1.10, 0-
公开(公告)号:KR101378089B1
公开(公告)日:2014-03-27
申请号:KR1020097023841
申请日:2007-05-02
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
Inventor: 토미자와,히로유키
CPC classification number: H01F1/0577 , C22C38/005 , C22C38/04 , C22C38/06
Abstract: 본 발명의 RTB계 소결 자석은, 희토류 원소 R: 12원자% 이상 17원자% 이하, 붕소 B: 5.0원자% 이상 8.0원자% 이하, Al: 0.1원자% 이상 1.0원자% 이하, Mn: 0.02원자% 이상 0.5원자% 미만, 전이 금속 T: 잔량부의 조성을 가지고 있다. 희토류 원소 R은 Y(이트륨)을 포함하는 희토류 원소로부터 선택된 적어도 1종으로서 Nd 및 Pr 중 적어도 일방을 포함하고, 전이 원소 T는 Fe을 주성분으로 한다.
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公开(公告)号:KR101361358B1
公开(公告)日:2014-02-10
申请号:KR1020097008597
申请日:2007-10-26
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: H01C7/025 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G29/006 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , H01C7/045 , H01C17/06533 , H01G4/1227 , H01G7/06 , H01L21/31691 , H01L28/20
Abstract: Pb를 함유하지 않고, 큐리온도를 양의 방향으로 시프트 할 수 있는 한편, 실온 비저항의 상승을 최소한으로 억제하면서 높은 점프 특성을 얻을 수 있는 반도체 자기 조성물을 제공한다.
(BaR)TiO
3 가소분 또는 Ba(TiM)O
3 가소분(R 및 M은 반도체화 원소)으로 이루어지는 BT 가소분과, (BiNa)TiO
3 가소분으로 이루어지는 BNT 가소분의 혼합 가소분을 소결하여 이루어지는, BaTiO
3 의 Ba의 일부를 Bi-Na로 치환한 반도체 자기 조성물에 있어서,
상기 BT 가소분 또는 BNT 가소분 혹은 그들의 혼합 가소분에, BaCO
3 및/또는 TiO
2 를 첨가하여 이루어지는 반도체 자기 조성물이다.
반도체 자기 조성물
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