公开(公告)号：KR1020120093834A

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：KR1020127005989

申请日：2010-10-05

Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사

Inventor： 이노,켄타로 ,  시마다,타케시 ,  키다,토시키

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/626 ,  C04B35/47 ,  H01C7/02

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/95 ,  H01B1/08 ,  H01C7/025 ,  H05B3/141 ,  H05B2203/02 ,  C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  H01C7/027

Abstract: BaTiO
3 계 반도체 자기 조성물이고, 실온 저항률이 낮고, 그 경시변화가 작고, 또한 우수한 점프 특성을 나타내는 반도체 자기 조성물을 제공한다. [(Bi
θ -Na
δ )
x (Ba
1
-
y R
y )
1-x ]TiO
3 (단, R 은 희토류 원소 중의 적어도 1종)의 조성식을 갖고, 상기 x, y, θ, δ가 0 3 가소분을 준비하는 공정에서 상기 몰비 Bi/Na를 1.05?1.24로 칭량하거나, 또는 혼합 가소분을 구성할 때 Bi 원료분말을 첨가하고 상기 몰비 Bi/Na를 1.04?1.23으로 조정하는 반도체 자기 조성물의 제조 방법이다.

公开(公告)号：KR101545763B1

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：KR1020107019261

申请日：2009-03-12

Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사

Inventor： 시마다,타케시 ,  이노,켄타로 ,  키다,토시키

IPC: C04B35/46 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/46 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/663 ,  H01C17/06533

Abstract: BaTiO-(BiNa)TiO계재료의점프특성을향상시킨다. BaTiO의 Ba의일부를 Bi-Na로치환한반도체자기조성물의제조방법에있어서, (BaQ)TiO가소분(Q는반도체화원소)을준비하는공정과, (BiNa)TiO가소분을준비하는공정과, 상기 (BaQ)TiO가소분및 상기 (BiNa)TiO가소분을혼합하는공정과, 혼합한가소분을성형하고소결하는공정과, 얻어진소결체를 600℃이하에서열처리하는공정과, 상기공정에서제작한소자를이용한 PTC 히터를포함한다.

公开(公告)号：KR1020140089334A

公开(公告)日：2014-07-14

申请号：KR1020147004339

申请日：2012-09-28

Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사

Inventor： 이노,켄타로 ,  시마다,타케시 ,  우에다,이타루 ,  키다,토시키

IPC: C04B35/468 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/023 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/64 ,  C04B38/007 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6584 ,  H01C7/02 ,  H01C7/025

Abstract: 조성식이 [(Bi·A)
x (Ba
1-y R
y )
1-x ](Ti
1-z M
z )
a O
3 (다만, A는 Na, Li, K 중 적어도 1종, R은 희토류 원소 (Y를 포함) 중 적어도 1종, M은 Nb, Ta, Sb 중 적어도 1종)으로 나타내고, 상기 a, x, y, z가, 0.90≤a≤1.10, 0

公开(公告)号：KR1020110009653A

公开(公告)日：2011-01-28

申请号：KR1020107019261

申请日：2009-03-12

Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사

Inventor： 시마다,타케시 ,  이노,켄타로 ,  키다,토시키

IPC: C04B35/46 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/46 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/663 ,  H01C17/06533

Abstract: BaTiO
3 -(Bi
1
/2 Na
1
/2 )TiO
3 계 재료의 점프 특성을 향상시킨다. BaTiO
3 의 Ba의 일부를 Bi-Na로 치환한 반도체 자기 조성물의 제조 방법에 있어서, (BaQ)TiO
3 가소분(Q는 반도체화 원소)을 준비하는 공정과, (BiNa)TiO
3 가소분을 준비하는 공정과, 상기 (BaQ)TiO
3 가소분 및 상기 (BiNa)TiO
3 가소분을 혼합하는 공정과, 혼합한 가소분을 성형하고 소결하는 공정과, 얻어진 소결체를 600℃ 이하에서 열처리하는 공정과, 상기 공정에서 제작한 소자를 이용한 PTC 히터를 포함한다.