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公开(公告)号：KR1020100129284A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020107019265
申请日：2009-03-12
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
IPC: C04B35/46 , H01C7/02 , C04B35/468 , C04B35/50
CPC classification number: C04B35/4682 , C01G23/003 , C01G29/006 , C01G33/006 , C01P2002/52 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/85 , H01C7/02 , H01C7/023
Abstract: 본 발명은, 발명자들에 의해 제안된 BaTiO
3 의 Ba의 일부가 Bi-Na로 치환되어, 결정입계에 P형 반도체를 갖는 반도체 자기 조성물에 관하여, 실온 저항율이 100Ω·㎝ 이하로 낮고, 통전에 의한 경시변화를 작게 한 반도체 자기 조성물-전극접합체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
BaTiO
3 의 Ba의 일부가 Bi-Na로 치환되어, 결정입계에 P형 반도체를 갖는 반도체 자기 조성물에 전극을 접합한 반도체 자기 조성물-전극접합체이고, 전극접합 후, 100℃ 이상 600℃ 이하에서 0.5시간 이상 24시간 이하의 열처리를 행하는 반도체 자기 조성물-전극접합체의 제조 방법.-
公开(公告)号：KR1020100098662A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：KR1020107014201
申请日：2008-12-24
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
Inventor： 시마다,타케시
IPC: C04B35/468 , C04B35/462 , C04B35/46 , H01C7/02
CPC classification number: C04B35/4682 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01G29/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , H01C7/025
Abstract: BaTiO
3 의 Ba의 일부를 Bi-Na로 치환한 반도체 자기 조성물에 있어서, 실온 저항율을 낮게 유지하면서, 점프 특성을 임의로 컨트롤할 수 있는 반도체 자기 조성물을 제공한다.
BaTiO
3 의 Ba의 일부가 Bi-Na로 치환되어, 결정립계에 P형 반도체를 갖는 반도체 자기 조성물로 하고, P형 반도체의 존재 비율을 가소조건, 첨가물의 첨가량, 소결조건 등에 의해 변화시키고, 이에 의해 점프 특성을 높이 유지하면서, 실온 저항율을 임의로 컨트롤한다.-
公开(公告)号：KR101463646B1
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：KR1020107019265
申请日：2009-03-12
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
IPC: C04B35/46 , H01C7/02 , C04B35/468 , C04B35/50
CPC classification number: C04B35/4682 , C01G23/003 , C01G29/006 , C01G33/006 , C01P2002/52 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/85 , H01C7/02 , H01C7/023
Abstract: 본 발명은, 발명자들에 의해 제안된 BaTiO
3 의 Ba의 일부가 Bi-Na로 치환되어, 결정입계에 P형 반도체를 갖는 반도체 자기 조성물에 관하여, 실온 저항율이 100Ω·㎝ 이하로 낮고, 통전에 의한 경시변화를 작게 한 반도체 자기 조성물-전극접합체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
BaTiO
3 의 Ba의 일부가 Bi-Na로 치환되어, 결정입계에 P형 반도체를 갖는 반도체 자기 조성물에 전극을 접합한 반도체 자기 조성물-전극접합체이고, 전극접합 후, 100℃ 이상 600℃ 이하에서 0.5시간 이상 24시간 이하의 열처리를 행하는 반도체 자기 조성물-전극접합체의 제조 방법.-
公开(公告)号：KR1020120093834A
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：KR1020127005989
申请日：2010-10-05
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , C04B35/47 , H01C7/02
CPC classification number: C04B35/4682 , C01G29/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/5436 , C04B2235/6584 , C04B2235/95 , H01B1/08 , H01C7/025 , H05B3/141 , H05B2203/02 , C04B35/468 , C04B35/47 , H01C7/027
Abstract: BaTiO
3 계 반도체 자기 조성물이고, 실온 저항률이 낮고, 그 경시변화가 작고, 또한 우수한 점프 특성을 나타내는 반도체 자기 조성물을 제공한다. [(Bi
θ -Na
δ )
x (Ba
1
-
y R
y )
1-x ]TiO
3 (단, R 은 희토류 원소 중의 적어도 1종)의 조성식을 갖고, 상기 x, y, θ, δ가 0 3 가소분을 준비하는 공정에서 상기 몰비 Bi/Na를 1.05?1.24로 칭량하거나, 또는 혼합 가소분을 구성할 때 Bi 원료분말을 첨가하고 상기 몰비 Bi/Na를 1.04?1.23으로 조정하는 반도체 자기 조성물의 제조 방법이다.-
公开(公告)号：KR101545763B1
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：KR1020107019261
申请日：2009-03-12
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/46 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6583 , C04B2235/663 , H01C17/06533
Abstract: BaTiO-(BiNa)TiO계재료의점프특성을향상시킨다. BaTiO의 Ba의일부를 Bi-Na로치환한반도체자기조성물의제조방법에있어서, (BaQ)TiO가소분(Q는반도체화원소)을준비하는공정과, (BiNa)TiO가소분을준비하는공정과, 상기 (BaQ)TiO가소분및 상기 (BiNa)TiO가소분을혼합하는공정과, 혼합한가소분을성형하고소결하는공정과, 얻어진소결체를 600℃이하에서열처리하는공정과, 상기공정에서제작한소자를이용한 PTC 히터를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090074061A
公开(公告)日：2009-07-03
申请号：KR1020097008597
申请日：2007-10-26
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: H01C7/025 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G29/006 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , H01C7/045 , H01C17/06533 , H01G4/1227 , H01G7/06 , H01L21/31691 , H01L28/20
Abstract: Disclosed is a semiconductor ceramic composition containing no Pb, wherein the Curie temperature is shifted to the positive direction and high jump characteristics are obtained while suppressing increase in room temperature resistivity to the minimum. Specifically disclosed is a semiconductor ceramic composition obtained by sintering a calcinated powder mixture of a BT calcinated powder composed of a (BaR)TiO3 calcinated powder or a Ba(TiM)O3 calcinated powder (wherein R and M are semiconductorizing elements) and a BNT calcinated powder composed of (BiNa)TiO3 calcinated powder, wherein a part of Ba in BaTiO3 is substituted by Bi-Na. The semiconductor ceramic composition is obtained by adding BaCO3 and/or TiO2 into the BT calcinated powder, the BNT calcinated powder or a mixture of them.
Abstract translation: 公开了一种不含Pb的半导体陶瓷组合物，其中居里温度向正方向移动，并且在将室温电阻率的增加抑制到最小的同时获得高跳跃特性。 具体公开了通过烧结由（BaR）TiO 3煅烧粉末或Ba（TiM）O 3煅烧粉末（其中R和M是半导体元素）组成的BT煅烧粉末和煅烧的BNT的煅烧粉末混合物而获得的半导体陶瓷组合物 由（BiNa）TiO 3煅烧粉末组成的粉末，其中BaTiO 3中的Ba的一部分被Bi-Na取代。 通过向BT煅烧粉末，BNT煅烧粉末或它们的混合物中加入BaCO 3和/或TiO 2获得半导体陶瓷组合物。
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公开(公告)号：KR1020160042402A
公开(公告)日：2016-04-19
申请号：KR1020157037055
申请日：2014-07-01
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
IPC: H01C7/02 , C04B35/468
Abstract: 반도체자기조성물에비금속계전극이베이킹에의해형성된 PTC 소자이고, 상기반도체자기조성물은, BaTiO형산화물로이루어지는페로브스카이트구조를갖고, 상기비금속계전극은, 금속성분으로서 Al, Ni 중적어도일종을주성분으로하면서, 적어도 B를포함하고, 상기반도체자기조성물의비금속계전극측에, 상기반도체자기조성물의모상보다저항이작은저저항층이형성되어있는 PTC 소자.
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公开(公告)号：KR1020110009653A
公开(公告)日：2011-01-28
申请号：KR1020107019261
申请日：2009-03-12
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/46 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6583 , C04B2235/663 , H01C17/06533
Abstract: BaTiO
3 -(Bi
1
/2 Na
1
/2 )TiO
3 계 재료의 점프 특성을 향상시킨다. BaTiO
3 의 Ba의 일부를 Bi-Na로 치환한 반도체 자기 조성물의 제조 방법에 있어서, (BaQ)TiO
3 가소분(Q는 반도체화 원소)을 준비하는 공정과, (BiNa)TiO
3 가소분을 준비하는 공정과, 상기 (BaQ)TiO
3 가소분 및 상기 (BiNa)TiO
3 가소분을 혼합하는 공정과, 혼합한 가소분을 성형하고 소결하는 공정과, 얻어진 소결체를 600℃ 이하에서 열처리하는 공정과, 상기 공정에서 제작한 소자를 이용한 PTC 히터를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020140089334A
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020147004339
申请日：2012-09-28
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
IPC: C04B35/468 , H01C7/02
CPC classification number: H01C7/023 , C04B35/4682 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B38/007 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/6584 , H01C7/02 , H01C7/025
Abstract: 조성식이 [(Bi·A)
x (Ba
1-y R
y )
1-x ](Ti
1-z M
z )
a O
3 (다만, A는 Na, Li, K 중 적어도 1종, R은 희토류 원소 (Y를 포함) 중 적어도 1종, M은 Nb, Ta, Sb 중 적어도 1종)으로 나타내고, 상기 a, x, y, z가, 0.90≤a≤1.10, 0-
公开(公告)号：KR101361358B1
公开(公告)日：2014-02-10
申请号：KR1020097008597
申请日：2007-10-26
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: H01C7/025 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G29/006 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , H01C7/045 , H01C17/06533 , H01G4/1227 , H01G7/06 , H01L21/31691 , H01L28/20
Abstract: Pb를 함유하지 않고, 큐리온도를 양의 방향으로 시프트 할 수 있는 한편, 실온 비저항의 상승을 최소한으로 억제하면서 높은 점프 특성을 얻을 수 있는 반도체 자기 조성물을 제공한다.
(BaR)TiO
3 가소분 또는 Ba(TiM)O
3 가소분(R 및 M은 반도체화 원소)으로 이루어지는 BT 가소분과, (BiNa)TiO
3 가소분으로 이루어지는 BNT 가소분의 혼합 가소분을 소결하여 이루어지는, BaTiO
3 의 Ba의 일부를 Bi-Na로 치환한 반도체 자기 조성물에 있어서,
상기 BT 가소분 또는 BNT 가소분 혹은 그들의 혼합 가소분에, BaCO
3 및/또는 TiO
2 를 첨가하여 이루어지는 반도체 자기 조성물이다.
반도체 자기 조성물
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