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公开(公告)号：TW201617470A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104134610
申请日：2015-10-22
Applicant: ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 賀加 蘇維 , HAUKKA, SUVI , 吉文斯 麥克 , GIVENS, MICHAEL , 雪洛 艾立克 , SHERO, ERIC , 溫克 傑利 , WINKLER, JERRY , 拉薩內尼 佩托 , RAISANEN, PETRI , 阿西凱寧 泰瑪 , ASIKAINEN, TIMO , 朱馳宇 , ZHU, CHIYU , 安提拉 雅各 , ANTTILA, JAAKKO
CPC classification number: H01L29/4966 , C23C16/06 , C23C16/34 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , H01L21/28562 , H01L21/32051 , H01L29/517
Abstract: 一種用於在反應空間中將包括氮之鈦鋁薄膜或鉭鋁薄膜沈積在基板上的製程可包含至少一個沈積循環。沈積循環可包含使基板與氣相鈦前驅體或氣相鉭前驅體及氣相鋁前驅體交替且連續地接觸。氣相鈦前驅體或氣相鉭前驅體及氣相鋁前驅體中之至少一者可在氣相氮前驅體之存在下接觸基板。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于在反应空间中将包括氮之钛铝薄膜或钽铝薄膜沉积在基板上的制程可包含至少一个沉积循环。沉积循环可包含使基板与气相钛前驱体或气相钽前驱体及气相铝前驱体交替且连续地接触。气相钛前驱体或气相钽前驱体及气相铝前驱体中之至少一者可在气相氮前驱体之存在下接触基板。
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公开(公告)号：TW202030353A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108140979
申请日：2019-11-12
Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 麥提能 米卡 , MATTINEN, MIIKA , 雷鐵娜 米可 , RITALA, MIKKO , 雷可拉 瑪庫 , LESKELA, MARKKU
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , H01L21/205
Abstract: 本發明揭示藉由循環沉積製程在基板上沉積過渡金屬硫族化物膜之方法。該等方法可包括：使基板與至少一種包含鉿前驅物或鋯前驅物中至少一者之含過渡金屬的氣相反應物接觸，及使基板與至少一種含硫族元素的氣相反應物接觸。亦提供半導體裝置結構，其包含藉由本揭示之方法所沉積之過渡金屬硫族化物膜。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示借由循环沉积制程在基板上沉积过渡金属硫族化物膜之方法。该等方法可包括：使基板与至少一种包含铪前驱物或锆前驱物中至少一者之含过渡金属的气相反应物接触，及使基板与至少一种含硫族元素的气相反应物接触。亦提供半导体设备结构，其包含借由本揭示之方法所沉积之过渡金属硫族化物膜。
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公开(公告)号：TWI698549B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW108129100
申请日：2015-07-15
Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 懷特 卡爾 , WHITE, CARL , 席羅 艾瑞克 , SHERO, ERIC , 威克勒 傑瑞德 李 , WINKLER, JERELD LEE , 馬夸特 大衛 , MARQUARDT, DAVID
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , B05B1/20
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公开(公告)号：TW202022493A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108141828
申请日：2019-11-18
Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 霍泰里 漢奴 , HUOTARI, HANNU , 馬耶斯 珍 威廉 , MAES, JAN WILLEM
IPC: G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本發明揭示一種用來形成紫外(UV)輻射反應性含金屬氧化物膜之方法。該方法可包括：經由將基板加熱至低於400°C之沉積溫度將UV輻射反應性含金屬氧化物膜沉積於基板上方，使基板與包含金屬組分、氫組分、及碳組分之第一氣相反應物接觸，及使基板與包含含氧前驅物之第二氣相反應物接觸，其中UV輻射反應性含金屬氧化物膜於UV照射後之區域具有第一蝕刻速率及UV輻射反應性含金屬氧化物膜之未經UV輻射照射之區域具有第二蝕刻速率，其中第二蝕刻速率不同於第一蝕刻速率。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用来形成紫外(UV)辐射反应性含金属氧化物膜之方法。该方法可包括：经由将基板加热至低于400°C之沉积温度将UV辐射反应性含金属氧化物膜沉积于基板上方，使基板与包含金属组分、氢组分、及碳组分之第一气相反应物接触，及使基板与包含含氧前驱物之第二气相反应物接触，其中UV辐射反应性含金属氧化物膜于UV照射后之区域具有第一蚀刻速率及UV辐射反应性含金属氧化物膜之未经UV辐射照射之区域具有第二蚀刻速率，其中第二蚀刻速率不同于第一蚀刻速率。
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公开(公告)号：TWI695905B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW108140178
申请日：2014-03-07
Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 尼斯卡嫩 安提 J. , NISKANEN, ANTTI J. , 陳尚 , CHEN, SHANG , 波爾 維爾傑米 , PORE, VILJAMI
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/34
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW202011582A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108114221
申请日：2019-04-24
Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 閔允基 , MIN, YOON KI
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11521
Abstract: 本發明提供一種基底處理方法以及使用所述基底處理方法製造的一種裝置，所述基底處理方法及裝置可改善沉積在臺階式結構上的絕緣層的蝕刻選擇性。基底處理方法包括：在臺階式結構上形成第一層，所述臺階式結構具有上表面、下表面及連接所述上表面與所述下表面的側表面；使所述第一層的至少一部分弱化；在所述第一層上形成第二層；以及對所述第一層與所述第二層實行等向性蝕刻製程。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种基底处理方法以及使用所述基底处理方法制造的一种设备，所述基底处理方法及设备可改善沉积在台阶式结构上的绝缘层的蚀刻选择性。基底处理方法包括：在台阶式结构上形成第一层，所述台阶式结构具有上表面、下表面及连接所述上表面与所述下表面的侧表面；使所述第一层的至少一部分弱化；在所述第一层上形成第二层；以及对所述第一层与所述第二层实行等向性蚀刻制程。
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公开(公告)号：TW202011543A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108131069
申请日：2019-08-29
Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 烏斯特拉肯 西奧多勒斯 , OOSTERLAKEN, THEODORUS
Abstract: 一種基材處理設備，其包含一基材支座(32)及一支座加熱器(50)，該基材支座具備一支撐表面(34)以用於在其上支撐一基材或一基材載具(24)，該支座加熱器經構成及配置以加熱該支撐表面(34)。該設備包含一熱屏蔽，其經構成及配置以在該支撐表面上無基材或基材載具(24)時覆蓋並屏蔽該基材支座(32)。
Abstract in simplified Chinese: 一种基材处理设备，其包含一基材支座(32)及一支座加热器(50)，该基材支座具备一支撑表面(34)以用于在其上支撑一基材或一基材载具(24)，该支座加热器经构成及配置以加热该支撑表面(34)。该设备包含一热屏蔽，其经构成及配置以在该支撑表面上无基材或基材载具(24)时覆盖并屏蔽该基材支座(32)。
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公开(公告)号：TWI681504B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW105103209
申请日：2016-02-02
Applicant: 荷商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 尼斯卡嫩 安提 具哈尼 , NISKANEN, ANTTI JUHANI , 安提拉 雅各 , ANTTILA, JAAKKO
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213
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公开(公告)号：TWI680531B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW108102948
申请日：2019-01-25
Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 崔丞佑 , CHOI, SEUNG WOO , 李承桓 , LEE, SEUNG HWAN , 朴柱赫 , PARK, JU HYUK
IPC: H01L21/683 , H01L21/31
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公开(公告)号：TWI680202B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW108122575
申请日：2014-03-07
Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 尼斯卡嫩 安提 J. , NISKANEN, ANTTI J. , 陳尚 , CHEN, SHANG , 波爾 維爾傑米 , PORE, VILJAMI
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/34
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