中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

181 records (took 0.03 seconds)

    印刷配線板之製造方法
    91.
    发明专利
    印刷配線板之製造方法 审中-公开
    印刷配线板之制造方法

    公开(公告)号：TW200715928A

    公开(公告)日：2007-04-16

    申请号：TW095135488

    申请日：2006-09-26

    Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

    Inventor： 市橋知子 ,  中島慶一 ,  栗井良浩 ,  中村幸子 NAKAMURA, SACHIKO ,  池尻篤泰

    IPC: H05K ,  B23K

    Abstract: 提供一種印刷配線板之製造方法,係用多層積層板製造印刷配線板之方法;在表層銅箔(4a)表面形成於波長9.3���m-10.6���m範圍之吸光度為0.05以上的加工層(5a)後,自該加工層側以CO2雷射照射,以在該表層銅箔(4a)與其下之內層(3a)形成孔(6)。藉此,可用低加工能量正確地形成既定孔徑的孔(6)。因此,該印刷配線板製造方法能降低對內層銅箔之損害且加工性優異。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种印刷配线板之制造方法,系用多层积层板制造印刷配线板之方法;在表层铜箔(4a)表面形成于波长9.3���m-10.6���m范围之吸光度为0.05以上的加工层(5a)后,自该加工层侧以CO2激光照射,以在该表层铜箔(4a)与其下之内层(3a)形成孔(6)。借此,可用低加工能量正确地形成既定孔径的孔(6)。因此,该印刷配线板制造方法能降低对内层铜箔之损害且加工性优异。

    蝕刻液及其補充液、以及使用其之導體圖案形成方法
    92.
    发明专利
    蝕刻液及其補充液、以及使用其之導體圖案形成方法 审中-公开
    蚀刻液及其补充液、以及使用其之导体图案形成方法

    公开(公告)号：TW200626750A

    公开(公告)日：2006-08-01

    申请号：TW094145507

    申请日：2005-12-21

    Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

    Inventor： 栗田雅代 ,  秋山大作

    IPC: C23F ,  H05K

    Abstract: 本發明係蝕刻液及其補充液、以及使用其之導體圖案形成方法。本發明之蝕刻液係對選自Ni、Cr、Ni–Cr合金及Pd中至少1種金屬進行蝕刻，該蝕刻液係水溶液，其含有選自NO、N2O、NO2、N2O3及該等的離子中至少1種成分，以及酸成分。本發明的導體圖案(1)之形成方法，係對選自Ni、Cr、Ni–Cr合金及Pd中至少1種金屬，利用上述蝕刻液進行蝕刻而形成導體圖案(1)。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系蚀刻液及其补充液、以及使用其之导体图案形成方法。本发明之蚀刻液系对选自Ni、Cr、Ni–Cr合金及Pd中至少1种金属进行蚀刻，该蚀刻液系水溶液，其含有选自NO、N2O、NO2、N2O3及该等的离子中至少1种成分，以及酸成分。本发明的导体图案(1)之形成方法，系对选自Ni、Cr、Ni–Cr合金及Pd中至少1种金属，利用上述蚀刻液进行蚀刻而形成导体图案(1)。

    銅或銅合金之蝕刻液,使用該蝕刻液之電子基板之製造方法
    93.
    发明专利
    銅或銅合金之蝕刻液,使用該蝕刻液之電子基板之製造方法 失效
    铜或铜合金之蚀刻液,使用该蚀刻液之电子基板之制造方法

    公开(公告)号：TW200422434A

    公开(公告)日：2004-11-01

    申请号：TW093103475

    申请日：2004-02-13

    Applicant: 美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

    Inventor： 戶田健次 KENJI TODA

    IPC: C23F ,  H05K

    Abstract: 提供一種能製造側蝕少、抑制銅佈線的上部變細而且沒有短路的電子基板的銅或銅合金之蝕刻液，使用該蝕刻液之電子基板之製造方法。是按規定的形狀在電絕緣基材(1)上形成的銅層(2a)上進行蝕刻並形成銅佈線(2c)的電子基板之製造方法，主蝕刻後，通過含有(a)銅的氧化劑1～50克／升，(b)鹽酸1～200克／升以及(或者)有機酸1～200克／升和(c)選自聚烯二醇、以及聚胺和聚烯二醇的共聚物中的至少一種聚合物0.01～50克／升的水溶液除去銅佈線(2b)的底部殘存的應除去的銅(A)。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种能制造侧蚀少、抑制铜布线的上部变细而且没有短路的电子基板的铜或铜合金之蚀刻液，使用该蚀刻液之电子基板之制造方法。是按规定的形状在电绝缘基材(1)上形成的铜层(2a)上进行蚀刻并形成铜布线(2c)的电子基板之制造方法，主蚀刻后，通过含有(a)铜的氧化剂1～50克／升，(b)盐酸1～200克／升以及(或者)有机酸1～200克／升和(c)选自聚烯二醇、以及聚胺和聚烯二醇的共聚物中的至少一种聚合物0.01～50克／升的水溶液除去铜布线(2b)的底部残存的应除去的铜(A)。

    蝕刻液
    94.
    发明专利
    蝕刻液 失效
    蚀刻液

    公开(公告)号：TW200417304A

    公开(公告)日：2004-09-01

    申请号：TW092132879

    申请日：2003-11-24

    Applicant: 美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

    Inventor： 栗山雅代 ,  大串亮 ,  秋山大作

    IPC: H05K

    Abstract: 本發明之目的為提供一種可將鎳、鉻或鎳．鉻合金迅速溶解，並可抑制銅腐蝕的蝕刻液。本發明之解決方法是將1～50重量％的硫酸、0.1～20重量％的鹽酸、0.01～20重量％的具有捕捉銅離子功能的銅腐蝕抑制成分與水配製成蝕刻液。上述銅腐蝕抑制成分例如有：含有硫原子，且含有至少一種選自胺基、亞胺基、羧基、羰基及羥基的取代基的碳原子數為7以下的化合物；唑；唑系化合物；烷銨(benzalkonium)；以及烷基醇醯胺等。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的为提供一种可将镍、铬或镍．铬合金迅速溶解，并可抑制铜腐蚀的蚀刻液。本发明之解决方法是将1～50重量％的硫酸、0.1～20重量％的盐酸、0.01～20重量％的具有捕捉铜离子功能的铜腐蚀抑制成分与水配制成蚀刻液。上述铜腐蚀抑制成分例如有：含有硫原子，且含有至少一种选自胺基、亚胺基、羧基、羰基及羟基的取代基的碳原子数为7以下的化合物；唑；唑系化合物；烷铵(benzalkonium)；以及烷基醇酰胺等。

    蝕刻液及蝕刻方法
    98.
    发明专利
    蝕刻液及蝕刻方法 审中-公开
    蚀刻液及蚀刻方法

    公开(公告)号：TW201634753A

    公开(公告)日：2016-10-01

    申请号：TW105103129

    申请日：2016-02-01

    Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

    Inventor： 荻野悠貴 ,  OGINO, YUKI ,  東嶋真美 ,  TOJIMA, MAMI ,  林崎將大 ,  HAYASHIZAKI, MASAHIRO ,  王谷稔 ,  OTANI, MINORU

    IPC: C23F1/26 ,  C23F1/44

    CPC classification number: C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32133 ,  H05K3/067

    Abstract: 本發明的目的為提供一種能在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦並具有低毒性以及良好的保存安定性的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。本發明的蝕刻液能在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦，其包括選自於硫酸、鹽酸及三氯乙酸所組成的群組中至少一種類的酸以及選自於硫酮系化合物和硫醚系化合物所組成的群組中至少一種類的有機硫化合物。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的为提供一种能在铜的存在下选择性地蚀刻钛并具有低毒性以及良好的保存安定性的蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法。本发明的蚀刻液能在铜的存在下选择性地蚀刻钛，其包括选自于硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中至少一种类的酸以及选自于硫酮系化合物和硫醚系化合物所组成的群组中至少一种类的有机硫化合物。

Patent Agency Ranking