금속 덴드라이트를 이용하여 상변화 재료층과의 접촉면적을감소시킨 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법
    91.
    发明公开
    금속 덴드라이트를 이용하여 상변화 재료층과의 접촉면적을감소시킨 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 失效
    使用金属浸渍剂降低相位层材料层的接触面的相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020060099701A

    公开(公告)日:2006-09-20

    申请号:KR1020050021084

    申请日:2005-03-14

    Abstract: 금속 덴드라이트를 이용하여 상변화 재료층과의 접촉면적을 감소시킨 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법이 개시된다.
    본 발명에 의한 상변화 메모리 소자는 제 1 전극; 상기 제 1 전극의 상부에 형성된 상변화 재료층; 상기 상변화 재료층의 상부에 형성된 고속 이온 도체층; 상기 고속 이온 도체층의 상부에 형성된 제 2 전극; 및 상기 제 2 전극에 음의 전압이 걸리도록 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극에 일정 전압을 일정 시간 인가함으로써 상기 고속이온도체층을 관통하여 상기 제 2 전극과 상기 상변화재료층을 연결하는 금속 덴드라이트를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
    상변화 메모리 소자, 금속 덴드라이트

    고굴절률 나노 구조체 형성 소재, 이를 이용하여 형성된 나노 구조체 및 그 제조 방법

    公开(公告)号:KR102252351B1

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:KR1020200118600

    申请日:2020-09-15

    Inventor: 이헌 김관

    Abstract: 본발명은고굴절률나노입자를이용하여열 또는자외선에의해경화되는나노구조체형성소재를이용하여고굴절나노구조체를제조하는기술적사상에관한것으로, 본발명은입사광을굴절시키는복수의나노입자, 상기복수의나노입자를분산시키는고분자안정제및 광개시제(photo-initiator) 및열개시제(thermal-initiator) 중어느하나의개시제, 상기복수의나노입자, 상기고분자안정제및 단량체(monomer)를포함하고, 상기복수의나노입자가분산된분산용매를포함하는고굴절률나노구조체의형성소재를고분자복제몰드에적용하여고굴절률나노구조체의형성소재를경화시켜서메타렌즈, 메타표면같은각종응용소자에이용할수 있는고굴절률나노구조체를제조하는기술에관한것이다.

    발광형 냉각 소자
    93.
    发明授权

    公开(公告)号:KR102230346B1

    公开(公告)日:2021-03-22

    申请号:KR1020190148377

    申请日:2019-11-19

    Abstract: 본발명은발광형냉각소자를개시한다. 본발명의실시예에따른발광형냉각소자는기판상에형성되고, 가시광선영역및 중적외선영역의파장을갖는태양광을반사시키는반사층; 및상기반사층상에형성되고, 중적외선영역의파장을갖는태양광을흡수하여방사하는폴리머매트릭스와, 상기폴리머매트릭스내에형성되어특정색을발광하는발광미세입자가혼입된복사냉각발광층을포함하는것을특징으로한다.

    복사냉각 성능 측정장치
    94.
    发明公开

    公开(公告)号:KR20210013917A

    公开(公告)日:2021-02-08

    申请号:KR20190091722

    申请日:2019-07-29

    Abstract: 개시된본 발명에의한복사냉각성능측정장치는, 복사냉각가능한시료를향해광을모사하는제1모사부, 시료를사이에두고제1모사부와마주하여실외환경을모사하는제2모사부및, 제2모사부를향해복사냉각되는시료의온도를측정하는측정부를포함하며, 제2모사부는, 시료가내부에마련되며격리된진공의챔버부및, 챔버부의일측에시료를사이에두고제1모사부와마주하여시료로부터방사되는복사열에너지를흡수하되, 냉각재에의해냉각된환경을제공하는냉각부를포함한다. 이러한구성에의하면, 외부환경에영향을받지않음으로써, 정확하고균일한복사냉각성능측정이가능해진다.

    진위 판정 장치 및 이의 제조 방법

    公开(公告)号:KR1020180109472A

    公开(公告)日:2018-10-08

    申请号:KR1020170039250

    申请日:2017-03-28

    Inventor: 이헌 최학종

    Abstract: 진위판정장치는, 베이스, 상기베이스의상면에형성되며, 외부로부터입사되는자연광을이용하여구조색을갖는제1 이미지를구현할수 있는제1 회절패턴및 상기베이스의하면에형성되며, 외부로부터간섭광이조사될경우선택적으로진위감별을위한제2 이미지를구현할수 있는제2 회절패턴을포함한다. 이로써, 진위판정장치는, 심미감을확보하면서동시에진위판정의정확도를확보할수 있다.

    선택적 반사형 필름 및 이의 제조 방법
    98.
    发明授权
    선택적 반사형 필름 및 이의 제조 방법 有权
    选择性反射膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR101812874B1

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:KR1020160031442

    申请日:2016-03-16

    Abstract: 선택적반사형필름는투명기판및 상기투명기판상에배치되고, 굴절율이상대적으로높은제1 투명유전체패턴및 굴절율이상대적으로낮은제2 투명유전체패턴을포함하여특정파장에대한빛을선택적으로반사시키는적어도하나의서브픽셀을갖는적어도하나의단위픽셀을포함한다. 이로써, 입사광의특정파장영역의광만을반사시키고, 나머지영역의광을투과시킬수 있다.

    Abstract translation: 选择性反射膜包括透明基板和设置在透明基板上的第二透明电介质图案,第一透明电介质图案具有相对高的折射率,第二透明电介质图案具有相对低的折射率, 并且至少一个单位像素具有一个子像素。 由此,可以仅反射入射光的特定波长区域中的光并且在剩余区域中透射光。

    나노 패턴 및 마이크로 패턴을 구비하는 계층 구조물의 제조 방법
    99.
    发明授权
    나노 패턴 및 마이크로 패턴을 구비하는 계층 구조물의 제조 방법 有权
    用于制造具有纳米图案和微图案的分层结构的方法

    公开(公告)号:KR101788933B1

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:KR1020150161936

    申请日:2015-11-18

    Abstract: 계층구조물의제조방법에있어서, 베이스상에나노사이즈의예비나노패턴들을갖는예비나노패턴구조물을형성하는한 후, 예비나노패턴의경도로강화시켜예비나노패턴으로부터제1 경도를갖는제1 나노패턴을형성함으로써, 베이스상에예비나노패턴구조물로부터제1 나노패턴구조물을형성한다. 제1 나노패턴구조물상에, 제1 경도보다낮은제2 경도를갖고나노사이즈의제2 나노패턴들을갖는제2 나노패턴구조물을형성한다. 이후, 제2 나노패턴구조물상에마이크로사이즈를갖는마스크패턴을형성한후, 마스크패턴을식각마스크로이용하고제1 나노패턴구조물을식각저지막으로이용하여제2 나노패턴구조물을패터닝하여, 제2 나노패턴구조물로부터제2 나노패턴들을상부에각각구비한마이크로패턴들을포함하는마이크로패턴구조물을형성한다.

    Abstract translation: 在层结构的制造方法中,形成具有纳米尺寸的基底上的纳米预图案初步纳米图案结构后,提高预纳米图案uigyeong道路具有由预纳米图案的第一硬度的第一纳米图案 由此在基部上从初始纳米图案结构形成第一纳米图案结构。 在第一纳米图案结构上,形成具有第二纳米图案的第二纳米图案化结构,所述第二纳米图案具有比第一硬度低的第二硬度并纳米化。 然后,第二和上形成具有纳米图案结构的微尺寸的掩模图案,使用所述第一纳米图案结构作为蚀刻停止膜使用掩模图案作为蚀刻掩模来图案化第二纳米图案结构之后, 2纳米图案结构分别位于第二纳米图案的顶部。

    컬러 필터
    100.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020170072050A

    公开(公告)日:2017-06-26

    申请号:KR1020150180407

    申请日:2015-12-16

    CPC classification number: G02B5/20 G02F1/1335

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른컬러필터는기판, 상기기판위에일정주기로배치되어있는복수의적층체를포함하고, 상기적층체는제1 금속층, 상기제1 금속층위에위치하는유전체층, 상기유전체위해위치하는제2 금속층을포함하며, 상기적층체는가시광선영역에서전기공진및 자기공진이동시에발생하며, 공진되지않은빛을투과시킨다.

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