公开(公告)号：KR1020060099701A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020050021084

申请日：2005-03-14

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이헌 ,  김봉훈 ,  홍성훈

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 금속 덴드라이트를 이용하여 상변화 재료층과의 접촉면적을 감소시킨 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법이 개시된다.
본 발명에 의한 상변화 메모리 소자는 제 1 전극; 상기 제 1 전극의 상부에 형성된 상변화 재료층; 상기 상변화 재료층의 상부에 형성된 고속 이온 도체층; 상기 고속 이온 도체층의 상부에 형성된 제 2 전극; 및 상기 제 2 전극에 음의 전압이 걸리도록 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극에 일정 전압을 일정 시간 인가함으로써 상기 고속이온도체층을 관통하여 상기 제 2 전극과 상기 상변화재료층을 연결하는 금속 덴드라이트를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상변화 메모리 소자, 금속 덴드라이트

公开(公告)号：KR100647062B1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：KR1020050021084

申请日：2005-03-14

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이헌 ,  김봉훈 ,  홍성훈

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 금속 덴드라이트를 이용하여 상변화 재료층과의 접촉면적을 감소시킨 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법이 개시된다.
본 발명에 의한 상변화 메모리 소자는 제 1 전극; 상기 제 1 전극의 상부에 형성된 상변화 재료층; 상기 상변화 재료층의 상부에 형성된 고속 이온 도체층; 상기 고속 이온 도체층의 상부에 형성된 제 2 전극; 및 상기 제 2 전극에 음의 전압이 걸리도록 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극에 일정 전압을 일정 시간 인가함으로써 상기 고속이온도체층을 관통하여 상기 제 2 전극과 상기 상변화재료층을 연결하는 금속 덴드라이트를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상변화 메모리 소자, 금속 덴드라이트

Abstract translation: 一种相变存储器件及其制造方法，所述相变存储器件具有与使用金属枝晶的相变材料层的减小的接触面积。