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公开(公告)号:KR100273901B1
公开(公告)日:2000-12-15
申请号:KR1019970057131
申请日:1997-10-31
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor: 민용기
IPC: G02F1/015
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film actuated mirror array is provided to prevent a MOS transistor from being damaged owing to a thermal cause. CONSTITUTION: The first sacrifice layer is formed by depositing and patterning a sacrifice material layer on an entire surface of an insulation substrate(510). A membrane(540) is formed on the first sacrifice layer, and one side thereof is contact with the insulation substrate(510). A MOS transistor(550) having a gate oxide layer(550a), a gate electrode(550b), a source region(550c), and a drain region(550d) is formed on the exposed insulation substrate(510) of a side of the membrane(540). An interlayer insulation layer(560) is formed so as to protect a top of the MOS transistor and isolate the MOS transistor from the exterior. A bottom electrode is formed on the membrane(540). An active layer(580) is formed on the bottom electrode(570) so that a part of the bottom electrode(570) may be exposed. A part of the interlayer insulation layer(560) is removed so that a part of the source region(550c) and a part of the drain region(550d) may be exposed. A top electrode(590) is formed on the active layer(580), and a drain pad(610) is formed so as to connect the drain region(550d) and the bottom electrode(570), which is exposed from the active layer(580). A passivation layer(620) is formed on the drain pad(610) and the MOS transistor(550). A common wiring layer(630) is formed on the passivation layer(620) so as to be connected with the top electrode(590). A mirror support part(660) is formed so as to be connected and supported with and by a part of the top electrode(590). A mirror(670) is formed on a top of the mirror support part(660).
Abstract translation: 目的:提供一种用于制造薄膜致动反射镜阵列的方法,以防止MOS晶体管由于热原因而被损坏。 构成:通过在绝缘基板(510)的整个表面上沉积和图案化牺牲材料层来形成第一牺牲层。 在第一牺牲层上形成膜(540),其一面与绝缘基板(510)接触。 在一边的暴露绝缘基板(510)上形成具有栅极氧化物层(550a),栅极电极(550b),源极区域(550c)和漏极区域(550d)的MOS晶体管(550) 膜(540)。 形成层间绝缘层(560),以保护MOS晶体管的顶部并将MOS晶体管与外部隔离。 在膜(540)上形成底部电极。 在底部电极(570)上形成有源层(580),使底部电极(570)的一部分露出。 去除层间绝缘层(560)的一部分,使得源极区(550c)的一部分和漏区(550d)的一部分可能被露出。 顶部电极(590)形成在有源层(580)上,并且形成漏极焊盘(610),以便连接从有源层暴露的漏极区域(550d)和底部电极(570) (580)。 在漏极焊盘(610)和MOS晶体管(550)上形成钝化层(620)。 在钝化层(620)上形成公共布线层(630),以与顶部电极(590)连接。 反射镜支撑部分(660)形成为与顶部电极(590)的一部分连接和支撑。 反射镜(670)形成在镜支撑部(660)的顶部。
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公开(公告)号:KR100229788B1
公开(公告)日:1999-11-15
申请号:KR1019960018394
申请日:1996-05-29
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor: 민용기
IPC: G02F1/015
CPC classification number: G02B26/0858 , Y10S359/904
Abstract: 본 발명은 투사형 화상 표시 장치의 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 종래의 하부 전극이 신호 전극으로 작동하는데 따른 이소 컷팅부의 형성과 그 이소 컷팅부의 형성으로 인한 상부전극과 하부전극의 쇼트(short) 현상, 이소 컷팅 부위의 변형부에서 발생하는 크랙(crack) 현상 등의 문제점을 해결하기 위해서, 각 픽셀간의 전기적 절연을 위한 이소컷팅부가 요구되지 않는 공통전극으로 하부전극을 사용하고, 신호전극으로 상부전극을 사용할 수 있는 구조로 광로 조절 장치를 제조하는 방법을 제공함으로써, 제품의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号:KR100225587B1
公开(公告)日:1999-10-15
申请号:KR1019970006132
申请日:1997-02-27
Applicant: 대우전자주식회사
IPC: H04N5/74
Abstract: 박막형 광로 조절 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는, M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장되고 일측 상부에 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스, 각기 ⅰ) 상기 액티브 매트릭스의 상부에 형성된 멤브레인, ⅱ) 상기 멤브레인의 상부에 각기 형성된 하부 전극, ⅲ) 상기 하부 전극의 상부에 각기 형성된 변형층 및 ⅳ) 상기 변형층의 상부에 형성된 상부 전극을 포함하며 서로 같은 방향으로 구동하는 복수개의 액츄에이팅부, 그리고 상기 액츄에이팅부들의 상부에 형성된 거울을 포함한다. 상기 장치에 따르면, 액티브 매트릭스 상부의 드레인 패드가 형성된 부분을 피하여 액츄에이팅부들을 형성한 후, 금속선을 통하여 드레인 패드로부터 하부 전극들에 화상 신호를 인가하기 때문에, 액티브 매트릭스에 내장된 트랜지스터가 손상을 입는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 액츄에이팅부들의 일측에 두껍게 공통 전극선을 형성함으로써, 공통 전극선 내부의 전압 강하를 최소화하여 상부 전극들에 변형층들이 변형을 일으키는 데 필요한 충분한 전압을 인가할 수 있다. 그리고, 제2 희생층을 도포하고 복수 개의 지지부를 통하여 거울을 지지함으로써, 거울의 수평도를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号:KR100220690B1
公开(公告)日:1999-09-15
申请号:KR1019960042748
申请日:1996-09-25
Applicant: 대우전자주식회사
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은 향상된 광 효율을 갖을 뿐만 아니라 제조 공정시 요구되는 고온에 의한 악영향을 줄일 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 어레이는 다수의 스위칭 소자를 갖는 구동기판, 액츄에이터의 어레이 및 거울의 어레이를 포함한다. 상기 각 액츄에이터는 관련 스위칭 소자와 중첩되지 않고 관련 스위칭 소자의 옆에 형성되어져 있다. 상기 각 거울은 액츄에이터의 상부 끝단에 붙여진 오목한 부분을 통해 액츄에이터와 이격되어 2층 구조로 별도로 형성되어져 있으므로, 박막형 광로 조절 장치의 구동에 의해 액츄에이터가 휘어지더라도 거울은 평형을 유지할 수 있게 되고, 거울에 입사되는 광속을 더 정확하고 효과적으로 반사할 수 있게 되어 박막형 광로 조절 장치의 어레이의 전반적인 광효율을 증가시킬 수 있다. 게다가, 상기 각 액츄에이터가 관련 스위칭 소자와 중첩되지 않고 관련 스위칭 소자의 옆에 위치하기 때문에, 액츄에이터의 형성시 요구되는 고온 공정이 모두 끝난 후에 구동기판과 액츄에이터 사이의 전기적인 연결 공정을 함으로서 고온에 의해 발생되는 스파킹 (spiking) 등의 단락 현상을 줄일 수 있다.
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公开(公告)号:KR100207366B1
公开(公告)日:1999-07-15
申请号:KR1019940014155
申请日:1994-06-22
Applicant: 대우전자주식회사
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은 광로조절장치에 관한 것으로서, 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 표면에 각각의 트랜지스터에 전기적으로 연결된 패드를 2개씩 갖는 구동기판과; 상기 구동기판에 상기 패드를 각각 에워싸며 분리되게 형성된 지지부와, 상기 지지부의 상부에 접촉되며 중앙부와 요(凹)자의 형태를 이루는 2개의 레그와, 상기 레그의 반대쪽에 공간에 노출되게 위치하며 중앙부와 철(凸)자의 형태를 이루는 돌출부를 갖는 멤브레인과, 상기 멤브레인의 레그 상부의 소정 부분에 형성된 신호전극과, 상기 팬드와 신호전극을 전기적으로 연결하도록 지지부와 멤브레인을 관통하여 형성된 플러그와, 상기 신호전극의 상부에 형성된 변형부와, 상기 변형부 및 멤브레인의 노출된 부분의 상부에 부분에 형성되며 상기 변형부 상부에 형성된 것이 바이어스전극이 되는 반사막으로 이루어진 액츄에이터를 구비한다. 따라서, 중앙부가 일측 끝단이 레그의 타측 끝과 일치되므로 경사시에도 일측 끝단이 지지부 보다 항상 높게 되므로 구동기판과 접촉되는 것을 방지할 수 있고, 크랙의 발생을 억제할 수 있어 수명을 연장시킬 수 있고 광효율을 향상시킬 수 있으며, 또한, 변형부의 측부에 형성된 스페이서에 의해 희생막을 제거할 때 변형부와 에칭용액이 접촉되지 않도록하여 변형부가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号:KR100160893B1
公开(公告)日:1999-02-01
申请号:KR1019950023348
申请日:1995-07-31
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor: 민용기
IPC: H01L21/768
Abstract: 본 발명은 광로 조절 장치의 콘택홀 주위를 평탄화시키기 위한 다층 배선 평탄화 방법을 개시한다. 본 발명은 구동 기판상에 형성된 제1절연층을 패터닝시켜서 콘택홀을 형성시키고 상기 제1절연층상에 제1도전층을 형성시키는 제1단계와, 상기 제1도전층상에 스핀 온 코팅 공정에 의하여 제2절연층을 형성시킨 후 식각시켜서 상기 제1도전층의 일부를 노출시키는 제2단계와, 상기 제1도전층상에 압전 세라믹 또는 전왜 세라믹을 적층시켜서 제3절연층을 형성시키는 제3단계로 이루어진 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법에 의해서 달성되며 이에 의해서 도전층간의 전기적 쇼트 현상을 방지시키고 평탄한 표면을 제공하므로 광로 조절 장치의 성능을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号:KR1019980086407A
公开(公告)日:1998-12-05
申请号:KR1019970057131
申请日:1997-10-31
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor: 민용기
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은 M×N(M, N은 정수)개의 액츄에이터를 가지는 박막형 광로조절장치의 제조방법에 있어서, 가)절연기판의 전면에 희생 물질층을 적층한 후, 패터닝하여 제 1 희생층을 형성하는 단계와; 나)절연기판상에 일측단이 접촉 지지되고 이에 연장하여 제 1 희생층의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계와; 다)멤브레인 측부의 노출된 절연기판상에 게이트 산화층, 게이트 전극, 소오스 영역과 드레인 영역을 갖는 모스트랜지스터를 형성하는 단계와; 라)멤브레인의 상부에 하부전극을 형성하는 단계와; 마)하부전극의 일부가 노출되도록 하부전극의 상부에 변형층을 형성하는 단계와; 바)변형층의 상부에 상부전극을 형성하면서, 드레인 영역과 변형층으로부터 노출된 하부전극을 연결하는 드레인 패드를 형성하는 단계와; 사) 드레인 패드와 모스트랜지스터 상부에 보호층을 형성하는 단계와; 아) 보호층 상부에 상부전극과 연결되는 공통 배선층을 형성하는 단계와; 자) 상부전극의 일부영역에 접촉 지지되는 거울을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR1019980057860A
公开(公告)日:1998-09-25
申请号:KR1019960077163
申请日:1996-12-30
Applicant: 대우전자주식회사
IPC: G02F1/015
Abstract: 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 방법은, M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 일측 상부에 드레인패드가 형성된 액티브 매트릭스를 제공하는 단계, 상기 액티브 매트릭스의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계, 상기 멤브레인의 상부에 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 하부 전극의 상부에 변형층을 형성하는 단계, 상기 변형층의 상부에 상부 전극을 형성하는 단계, 상기 상부 전극, 상기 변형층, 상기 하부 전극 및 상기 멤브레인을 차례로 패터닝하는 단계, 그리고 상기 패터닝된 멤브레인의 일측에 공동 전극선을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법에 따르면, 액티브 매트릭스 상부의 드레인 패드가 형성된 부분을 피하여 액츄에이팅부들을 형성한 후, 금속선을 통하여 드레인 패드로부터 하부 전극들에 화상 신호를 인가하기 때문에, 액티브 매트릭스에 내장된 트랜지스터가 손상을 입는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 액츄에이팅부들의 일측에 두껍게 공통 전극선을 형성함으로써, 공통 전극선 내부의 전압 강하를 최소화하여 상부 전극들에 변형층들이 변형을 일으키는 데 필요한 충분한 전압을 인가할 수 있다. 그리고, 제2 희생층을 도포하고 복수 개의 지지부를 통하여 거울을 지지함으로써, 거울의 수평도를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号:KR1019970077762A
公开(公告)日:1997-12-12
申请号:KR1019960018392
申请日:1996-05-29
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor: 민용기
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은 절연막을 형성하여 변형부에서의 크랙(Crack) 발생 방지 및 상부 전극과 하부 전극의 숏트(short)를 방지할 수 있는 광로 조절 장치에 관한 것으로서, 능동 소자가 매트릭스 구조로 형성된 구동 기판상에 보호막, 식각 스톱층, 희생층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 희생층의 표면을 평탄화 시킨후 소정 형상으로 패터닝하는 공정과, 상기 희생층 및 희생층의 패터닝으로 노출된 식각 스톱층상에 멤브레인, 하부전극 및 변형부를 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 변형부 및 하부 전극을 각각 소정 형상으로 패터닝 시키는 공정과, 상기 멤브레인, 식각 스톱층, 보호막을 순차적으로 식각시켜 소정 형상의 비아 홀(VIA-Hole)을 형성하는 공정과, 상기 비아 홀(VIA-Hole)의 상부에 비아 콘택(VIA-Contact)층을 형성하는 공정과, 상기 비아 콘택(VIA-Contact)층 상부에 절연층을 형성하는 공정과, 상기 절연층을 소정 형상으로 패터닝하는 공정과, 상기 절연층 및 절연층의 패터닝으로 노출된 상기 변형부의 상부에 상부 전극을 형성하는 공정과, 상기 상부 전극 및 멤브레인을 순차적으로 픽셀 형상으로 패터닝 하는 공정과, 상기 픽셀형상으로 패터닝된 기판의 전면에 보호막을 도포하는 공정과, 상기 희생층을 식각하여 전체적으로 제거하는 공정과, 상기 보호막의 일부분을 제거하여 상부전극을 노출시키는 공정으로 이루어진 광로 조절 장치의 제조 방법을 사용함으로써, 변형부에 발생하는 크랙을 방지하고 상부 전극과 하부 전극간의 쇼트를 방지하여 신뢰성이 높고 성능이 향상된 광로 조절 장치를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号:KR1019970077708A
公开(公告)日:1997-12-12
申请号:KR1019960018393
申请日:1996-05-29
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor: 민용기
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은, 투사형 화상 표시 장치의 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 종래의 절연특성이 우수한 옥사이드(Oxide)나 니트라이드(Nitrede)로 절연층을 형성하는데 있어서 변형부의 상부에서 식각 스톱 조건을 맞추기 어려운 문제점을 해결하기 위하여, 능동 소자가 매트릭스 구조로 형성된 구동 기판의 상부에 보호막, 식각 스톱층, 희생층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 희생층의 표면을 평탄화 시킨후 소정 형상으로 패터닝하는 공정과, 상기 희생층 및 희생층의 패터닝으로 노출된 식각 스톱층의 상부에 멤브레인, 하부전극 및 변형부를 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 변형부 및 하부 전극의 일부를 각각 픽셀 형상으로 식각하여 제거하는 공정과, 상기 멤브레인, 식각 스톱층, 보호막을 순차적으로 식각시켜 소정 형상의 비아 홀을 성하는 공정과, 상기 비아 홀의 상부에 비아 콘택층을 형성하는 공정과, 상기 비아 콘택층 및 변형부의 상부에 강유전체(Ferroelectric) 재료로 이루어진 절연층을 형성하는 공정과, 상기 절연층의 상부에 상부전극을 형성하는 공정과, 상기 상부전극, 절연층 및 멤브레인을 순차적으로 픽셀형상으로 패터닝 하는 공정과, 상기 픽셀 형상으로 패터닝된 기판의 전면에 보호막을 도포하는 공정과, 상기 희생층을 식각시켜 전체적으로 제거하는 공정과, 상기 보호막의 일부분을 제거하여 상기 상부 전극을 노출시키는 공정으로 이루어진 제조 방법으로 광로 조절 장치를 제조함으로써, 절연층을 형성하는 공정에 있어서 변형부의 상부에서의 식각 스톱 조건 등을 고려하지 않아도 되므로, 광로 조절 장치의 제조 공정을 간단히 할 수 있다.
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