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公开(公告)号：KR1019980037967A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960056791
申请日：1996-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재우
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 미세 콘택 형성방법에 관해 개시한다.
1차로 콘택홀을 형성한 후 이를 포함하는 결과물 전면에 형성하는 절연막의 두께를 조절하여 1차로 형성한 콘택홀의 폭보다 작은 폭을 갖는 미세 콘택홀을 형성한다.
따라서 종래 기술에 의한 미세 콘택 형성방법에서 처럼 포토레지스트나 폴리머를 사용하는 것에 비해 반응챔버나 그에 관련된 변수들에 의한 영향을 배제할 수 있을 뿐만 아니라 쉽고 안정적으로 미세 콘택홀의 폭을 다양하게 조절할 수 있으므로 반도체장치를 보다 쉽게 고 집적화할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980021246A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960040033
申请日：1996-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재우
IPC: H01L21/28
Abstract: 반도체소자 제조방법을 개시하고 있다. 이는, 트랜지스터 등과 같은 하부구조물이 형성된 반도체 기판 상에 절연층, 폴리실리콘으로된 식각방지막, 두꺼운 하부 포토레지스트층, 식각마스크로 사용될 산화막, 및 상부 포토레지스트층을 차례로 형성하고, 상기 상부 포토레지스트층을 패터닝한 다음, 패터닝된 상기 상부 포토레지스트층을 마스크로하여 상기 산화막과 하부 포토레지스트층을 패터닝하고, 상기 하부 포토레지스트층을 식각마스크로 사용하여 상기 절연층을 식각한다. 본 발명에 따르면, 폴리실리콘층을 MLR층 아래에 형성함으로써, 셀프얼라인 콘택 형성시 포토레지스트 손실로 인한 콘택홀 상단의 패턴 손실을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980016806A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019960036500
申请日：1996-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재우
IPC: H01L21/28
Abstract: 콘택홀 형성방법이 개시되어 있다. 이 방법은 반도체기판 상에 형성된 층간절연막을 선택적으로 식각하여 콘택홀을 형성하는 방법에 있어서, 상기 층간절연막의 소정영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 결과물 전면에 저온산화막을 소정의 두께로 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로하여 상기 저온산화막 및 상기 층간절연막을 연속적으로 이방성 식각함으로써, 상기 포토레지스트 패턴 사이의 층간절연막 아래의 반도체기판을 노출시키면서 상기 포토레지스트 패턴에 의한 개구부보다 작은 크기의 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 포토레지스트 패턴의 개구부를 사진공정의 한계해상도에 해당하는 크기로 형성할 경우에 콘택홀의 크기를 사진공정의 한계해상도보다 작게 형성할 수 있으므로, 고집적 반도체소자에 적합한 콘택홀을 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970052388A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950059280
申请日：1995-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 게이트 전극층을 형성하는 공정에서 산화공정을 추가하여 게이트 전극층을 형성하기 위한 식각공정에서 게이트 전극상에 형성되는 TiSi막의 측벽이 식각충격을 받는 것을 방지하고, 아울러 게이트용 폴리실리콘막을 수직적으로 형성할 수 있는 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 게이트 산화막, 게이트용 폴리실리콘막, TiSi막, 그리고 제1산화막을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 제1산화막상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 게이트 전극층이 형성될 영역을 정의하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제1산화막을 식각하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 애싱하여 제거하는 공정과; 상기 제1산화막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 TiSi막을 식각하는 공정과; 상기 제1산화막 패턴의 상부 및 양측벽, 그리고 상기 TiSi막의 양측벽을 포함하여 상기 게이트용 폴리실리콘막상에 제2산화막을 형성하는 공정과; 상기 제1산화막 패턴의 상부 및 양측벽, 그리고 상기 TiSi막의 양측벽을 제외한 상기 게이트용 폴리실리콘막상의 제2산화막을 제거하는 공정과; 상기 제2산화막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 게이트용 폴리실리콘막 및 상기 게이트 산화막을 순차적으로 식각하는 공정을 포함하고 있다. 이 방법에 의해서, 게이트용 폴리실리콘막의 식각공정에서 게이트 전극층으로 사용되는 TiSi막의 측벽을 보호할 수 있고, 아울러 폴리실리콘을 이용하여 형성된 게이트 전극의 측벽을 수직적으로 형성할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970018123A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950032900
申请日：1995-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재우
IPC: H01L21/30
Abstract: 공정의 단순화를 통해 단위시간당 생산량(throughput)과 수율(yield)이 증가된 반도체 장치의 다층배선 패턴형성방법에 관해 개시한다. 본 발명은 반도체 기판위에 형성된 산화막 위에 제1도전층, 제2도전층 및 산화막을 순차적으로 적층하고, 상기 산화막위에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 산화막을 식각하여 산화막패턴을 형성하는 제1식각 단계, 상기 제1식각단계와 인시투(in-situ)로 행해지며, 상기 포토레지스트패턴 및 산화막패턴을 식각마스크로하여 상기 제2도전층 및 제1도전층을 차례대로 식각하는 제2식각단계 및 상기 포토레지스트 패턴을 애싱과 스트립으로 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 다층배선 패턴의 형성방법을 제공한다.
본 발명에 의하면 제1식각단계와 제2식각단계가 인시투로 행해져서 공정이 단순화되어 단위시간당 생산량이 증가하고, 층간유전을 여유도 확보 및 소오스/드레인 영역을 형성하기 위한 이온주입마스크로서 기능하는 산화막패턴의 손실이 방지되어 수율이 증가한다.-
公开(公告)号：KR1019970018055A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950031800
申请日：1995-09-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 높은 종횡비를 갖는 콘택홀 형성시 콘택홀이 형성되기 전에 식각공정이 정지되는 현상 및 감광막의 잠식에 의한 임계면적 손식을 최소화할 수 있는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 장치의 제조방법은 반도체 기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 절연막상에 중간막을 형성하는 공정과, 절연막상에 감광막을 형성하는 공정과, 1차식각공정을 수행하여 중간막을 식각하고 이어서 절연막을 일부분 식각하는 공정과, 남아 있는 절연막을 제거하는 공정과, 2차식각공정을 수행하여 남아 있는 절연막을 식각하는 공정과, 남아 있는 중간막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1019970006556B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930028364
申请日：1993-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/278
Abstract: The method and apparatus for displaying the full range at an auxiliary camera so that an operator recognizes the full range and the recording range while recording. The 1st video camera equipped with a view finder displays the information of the recording in a view finder. And the 1st camera has a zoom function. The 2nd video camera equipped with a view finder and interfaced to the 1st camera detects and processes the information relating to a 1st video camera's zoom. The method comprises the steps of: (a) generating the OSD signal which represents the 1st camera's recording range; (b) mixing the step (a)'s output signal and the 2nd camera's output signal; and (c) providing the information step (a)'s result or step (b)'s result.
Abstract translation: 用于在辅助照相机上显示全范围的方法和装置，使得操作者在记录时识别全范围和记录范围。 装有取景器的第一台摄像机在取景器中显示录像的信息。 而第一台相机具有变焦功能。 配备有取景器并与第一相机接口的第二台摄像机检测并处理与第一台摄像机的变焦有关的信息。 该方法包括以下步骤：（a）产生代表第一相机记录范围的OSD信号; （b）混合步骤（a）的输出信号和第二相机的输出信号; 和（c）提供信息步骤（a）的结果或步骤（b）的结果。
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公开(公告)号：KR1019960032681A
公开(公告)日：1996-09-17
申请号：KR1019950003254
申请日：1995-02-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768
Abstract: 반도체 장치의 다층배선 형성방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상에 알루미늄을 함유하는 제1도전층 및 절연층을 차례로 형성하고, 상기 절연층 상에 개구부가 형성될 부분을 한정하는 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하고 산소가 제1비율로 주입된 식각가스를 이용하여 상기 절연층을 건식식각하여 상기 제1도전층을 노출시키는 비아홀을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하고 산소가 제2비율로 주입된 식각가스를 이용하여 상기 제1도전층의 노출을 보장하기 위해 상기 결과물에 대한 오버-에칭(over-etching)을 진행하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 다음, 상기 결과물 상에 제2도전층을 형성한다. 본 발명에 의하면, 비아 홀 형성시 발생하는 폴리머나 비휘발성 부산물등의 부산물들을 완전히 제거할 수 있다. 따라서, 반도체 장치의 수율과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019950022810A
公开(公告)日：1995-07-28
申请号：KR1019930028364
申请日：1993-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/278
Abstract: 뷔 파인더를 구비한 제1 비디오카메라에 촬영범위 화면표시 장치 및 방법에 있어서, 상기 제1 비디오카메라와 동일광각에서 피사체의 영상을 제2 비디오카메라에서 취득하고, 상기 제1 비디오카메라의 줌상태 입출력 신호를 받아 촬영범위를 나타나는 OSD 신호를 발생한다. 상기 OSD의 출력과 제1 비디오카메라의 출력을 믹신한후 상기 제1 비디오카메라의 출력과 상기 믹싱한 출력을 선택하여 상기 뷔 파인더로 제공토록 되어 있다.
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