公开(公告)号：WO2020036467A1

公开(公告)日：2020-02-20

申请号：PCT/KR2019/010448

申请日：2019-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한민석 ,  이가희 ,  최유리

IPC: H04M1/725 ,  A61B5/16 ,  A61B5/00

Abstract: 사용자의 음성 입력에 기초하여 응답 메시지를 제공하는 서버 및 그 동작 방법을 제공한다. 본 개시의 일 실시예에 따르면, 사용자로부터 입력된 음성 입력에 기초하여 사용자의 건강 상태 정보를 인식하고, 기 저장된 헬스 데이터를 분석하고, 분석된 헬스 데이터에 기초하여 응답 메시지를 생성하고, 생성된 응답 메시지를 출력하는 서버 및 그 동작 방법을 제공한다. 본 개시의 일 실시예는, 사용자의 음성 입력으로부터 사용자의 이벤트 정보를 인식하고, 인식된 이벤트의 타입 및 빈도에 관한 정보에 기초하여 응답 메시지를 생성하고, 생성된 응답 메시지를 제공하는 서버 및 그 동작 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020170053065A

公开(公告)日：2017-05-15

申请号：KR1020150155357

申请日：2015-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한민석 ,  김선아 ,  노민진 ,  손민식 ,  송상곤 ,  이승아

IPC: G06F17/30 ,  G06F3/048

CPC classification number: G06F3/048 ,  G06F17/30

Abstract: 본발명은추천객체를제공하기위한전자장치및 방법에관한것이다. 다양한실시예에따른전자장치에있어서, 디스플레이; 및프로세서를포함하고, 상기프로세서는, 상기디스플레이에표시된제1 객체를포함하는폴더를생성하기위한요청을수신하고, 상기수신된요청에응답하여, 상기제1 객체에연관된제1 정보에기반하여적어도하나의추천객체를검색하고, 상기검색된적어도하나의추천객체를표시하도록설정할수 있다. 또한다른실시예들이가능하다.

Abstract translation: 提供推荐对象的电子装置和方法 根据各种实施例的电子设备，包括：显示器; 并且处理器可操作来接收创建包含显示在显示器上的第一对象的文件夹的请求，并且响应于接收到的请求，基于与第一对象相关联的第一信息 可以搜索至少一个推荐对象，并将显示的至少一个推荐对象设置为显示。 其他实施例是可能的。

公开(公告)号：KR1020110051588A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：KR1020090108237

申请日：2009-11-10

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 티케이씨

Inventor： 이의형 ,  김남석 ,  서운호 ,  한민석 ,  주영현 ,  최주일

IPC: C25D3/38

CPC classification number: C25D17/005 ,  C25D17/001 ,  C25D17/008 ,  C25D17/02 ,  C25D21/10

Abstract: PURPOSE: A device and a method for plating substrates are provided to perform plating processes without the turning of substrates since the plated surface of a substrate is faced upward and supported. CONSTITUTION: A substrates plating device comprises a substrate support member, an anode electrode, a power source, a plating liquid feed member, a plating bath(240), and a first drive unit. The substrate support member supports the substrate so the plated surface of the substrate is faced upward. The anode electrode is placed on the top of the substrate support member. The power source applies voltage on anode electrode and substrate. The plating liquid supply member supplies the plating liquid to the substrate. The plating liquid feed member is placed on the top of the anode electrode. The plating liquid feed member comprises a plating liquid nozzle. The plating liquid nozzle discharges plating liquid downward. The plating bath has an opened lower part. The plating bath accepts the plating liquid nozzle and an anode electrode inside. The first drive unit elevates the substrate support member to open and close the opened lower part of the plating bath.

Abstract translation: 目的：提供一种用于电镀基板的装置和方法，用于执行电镀工艺而不转动基板，因为基板的镀覆表面面向上并被支撑。 构成：基板电镀装置包括基板支撑构件，阳极电极，电源，电镀液供给构件，电镀槽（240）和第一驱动单元。 衬底支撑构件支撑衬底，使得衬底的电镀表面面向上。 阳极被放置在基板支撑件的顶部上。 电源在阳极电极和基板上施加电压。 电镀液供给部件将电镀液供给到基板。 电镀液供给部件配置在阳极电极的顶部。 电镀液供给部件包括电镀液喷嘴。 电镀液喷嘴向下排放电镀液。 电镀浴具有打开的下部。 镀浴在内部接受电镀液喷嘴和阳极电极。 第一驱动单元升高基板支撑构件以打开和关闭电镀槽的打开的下部。

公开(公告)号：KR100301370B1

公开(公告)日：2001-10-27

申请号：KR1019980015302

申请日：1998-04-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최창원 ,  이창환 ,  정철 ,  한민석

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a DRAM cell capacitor is provided to prevent an over-etching of a polysilicon layer generating at a top portion of a storage contact plug by forming a storage node so that an opening to form a storage node is filled with a polysilicon. CONSTITUTION: A storage contact hole(114) is formed on a substrate(100) by a first insulating layer. A contact plug(116) is formed by filling the storage contact plug with a first conductive material. A second insulating layer(118) is formed on the first insulating layer and the storage contact plug. A storage node mask is formed by defining a storage node formation region on the second insulating layer. After forming the storage node, the second conductive material is removed through a planarizing etching process. The second insulating layer is removed to expose the first insulating layer of both sides of the storage node.

公开(公告)号：KR100165417B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950021392

申请日：1995-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정흥식 ,  한민석 ,  신지철

IPC: H01L21/30

Abstract: 고해상도, 저결함, 및 치수정밀도를 가지는 반도체 장치의 미세 패턴 제조방법에 관해 개시한다, 본 발명에 의한 반도체장치의 미세패턴 제조방법은 반도체 기판상에 형성된 패터닝하고자 하는 층위에 식각 마스크 층을 형성하는 단계, 상기 식각 마스크충위에 포토레지스트를 도포하고 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 결과물 전면에 플라즈마 식각 공정을 진행하여 상기 포토레지스트 패턴의 측벽에 폴리머 스페이서를 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴과 상기 포토레지스트 패턴의 측벽에 증착된 폴리머 스페이서를 식각마스크로 이용하여 상기 식각마스크층을 식각하여 식각마스크를 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴과 상기 포토레지스트 패턴의 측벽에 증착된 폴리머 스페이서를 제거하는 단� � 및 상기 식각마스크를 이용하여 상기 패터닝하고자 하는 층을 식각하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세 패턴 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의하며느 포토레지스트 패턴과 그 측벽에 형성된 폴리머 스페이서를 식각마스크로 사용한 미세패턴 제조방법에 있어서, 식각에 의해 생성된 패턴의 프로파일이 불량하게 되는 문제점이 해결되어 져결함 및 치수정밀도를 지니는 미세패턴의 형성이 가능하다.

公开(公告)号：KR1019970008354A

公开(公告)日：1997-02-24

申请号：KR1019950023171

申请日：1995-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이강현 ,  정홍식 ,  한민석

IPC: H01L21/28

Abstract: 폴리머를 이용한 작은 콘택홀을 갖는 반도체 장치의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판상에 패터닝하고자 하는 소정의 층을 형성하는 단계와, 상기 소정의 층 상에 제1콘택홀을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판의 전면에 상기 포토레지스트 패턴의 소모없이 폴리머층을 형성하는 단계와, 상기 폴리머층을 건식식각하여 상기 포토레지스트 패턴을 측벽에 스페이서를 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴 및 스페이서를 마스크로 상기 소정의 층을 건식식각하여 상기 제1콘택홀보다 작은 제2콘택홀을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 폴리머층을 이용하여 사진공정의 한계해상도 이하의 스몰 콘택홀을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100098361B1

公开(公告)日：1996-04-16

申请号：KR1019920012081

申请日：1992-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신지철 ,  한민석

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：KR1019960000365B1

公开(公告)日：1996-01-05

申请号：KR1019920012081

申请日：1992-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신지철 ,  한민석

IPC: H01L21/28

Abstract: forming the first insulating film on top of a semiconductor memory device; patterning a photoresist as a predetermined contact part pattern after passivating the photoresist on the first insulating film; sinking the oxide film due to a low temperature plasma method on the photoresist patterned; forming the first contact part by different directional etching the first insulating film and the oxide film continuously due to the low temperature plasma method; eliminating the photoresist; forming the second contact part simultaneously as forming a spacer by different directional etching the second insulating film after sinking the second insulating film at front side of the first contact part.

Abstract translation: 在半导体存储器件的顶部上形成第一绝缘膜; 在使所述第一绝缘膜上的所述光致抗蚀剂钝化之后，将光致抗蚀剂图案化为预定的接触部位图形; 在图案化的光刻胶上由于低温等离子体法而使氧化膜沉淀; 通过低温等离子体方法不同地连续地蚀刻第一绝缘膜和氧化膜，形成第一接触部分; 消除光刻胶; 通过在第一接触部分的前侧吸收第二绝缘膜之后通过不同的方向蚀刻第二绝缘膜来同时形成第二接触部分而形成间隔物。

公开(公告)号：KR1019930024152A

公开(公告)日：1993-12-22

申请号：KR1019920009077

申请日：1992-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황재성 ,  한민석

IPC: H01L21/027

Abstract: 다수의 영역으로 분리될 패턴금속층 위에 제1 포토레지스트층을 도포하고, 그 위에 절연층을 적층한 후, 다시 제2의 포토레지스트층을 도포하는 단계와, 상기 금속층이 분리 패터닝되도록 분리 영역이 있는 마스크는 그 패턴을 포위하는 또다른 패턴(가상 패턴:dummy pattern)이 함께 포함되어 있고, 상기 제2의 포토레지스트 상에 마스킹 되어 노광 현상 및 식각을 거쳐 상기 금속층을 패터닝 하는 단계로 이루어져, 금속층에 패턴간 분리 영역이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속층의 패턴 분리 방법.

公开(公告)号：KR1019990041068A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970061600

申请日：1997-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이강현 ,  한민석

IPC: H01L27/108

Abstract: HSG 형상의 커패시터 하부전극 패턴이 형성된 반도체 기판에서 하부전극 패턴 외에 절연막 표면에 형성된 원치 않는 HSG를 제거하는 방법에 대해 개시한다. 본 발명은 절연막 표면에 형성된 원치 않는 HSG를 제거하기 위하여 커패시터 패턴을 구성하는 폴리실리콘과 절연막을 구성하는 산화막과 식각선택비가 10∼50:1의 조건이 되는 플라즈마를 이용한 건식식각을 이용하여 HSG 형상의 하부전극 패턴의 표면을 100∼500Å 정도로 에치백 함으로써 절연막 표면에 형성된 HSG를 제거한다.