公开(公告)号：KR1019970018150A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950032926

申请日：1995-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오석환 ,  배용국 ,  남정림

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 반도체소자의 크랙을 방지에 관한 것으로서, 특히 반도체 제조 공정상에서 박막의 크랙을 방지하는 반도체 제조방법에 관한 것이다. 반도체 제조공정상에서 박막이 쉽게 깨지는 것을 방지하기 위한 반도체 장치 제조 방법에 있어서, 상기 박막의 일부 영역에 둥근 패턴을 형성하는 단계를 구비하여, 상기 박막에 크랙이 발생하는 현상을 방지하는 것을 특징으로 하고, 또한, 상기 박막의 일부 영역에 복수의 더미(Dummy) 패턴을 형성하는 단계를 구비하며, 상기 박막에 크랙이 발생하는 현상을 방지하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 박막 크랙 방지에 대한 반도체 제조 방법은 반도체 제조공정시 복잡한 다층 박막 구조에서 스트레스(Stress)를 받는 구조의 패턴에 변형을 줌으로써 스트레스를 분산하여 박막의 크랙을 방지하는 효과를 제공한다.

公开(公告)号：KR1019970017948A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950031119

申请日：1995-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 여기성 ,  여정호 ,  남정림

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 유기 반사 방지막(ARC : anti reflected coting) 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 유기 포토레지스트층의 필요 부분에 선택적 노광을 하여 반사 방지막을 형성하도록 한 방법에 관한 것이다.
유기 포토 레지스트층에 마스크 패턴을 개재하여 소정의 부분을 선택적으로 노광하는 단계 및 유기 포토레지스트층의 노광된 부분은 제거하고 마스크 패턴이 개재된 부분은 남겨 열산화 베이크 과정을 통해 반사방지막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 유기 포토 레지스트층의 필요 부분에 선택적 노광을 함으로서, 패턴이 형성되지 않는 깊은 단차면 또는 좁은 공간서의 반사 방지막을 제거하는 잇점이 있다.

公开(公告)号：KR1019940010497B1

公开(公告)日：1994-10-24

申请号：KR1019920000153

申请日：1992-01-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정림

IPC: H01L21/31

Abstract: The equipment for uniform coating of the photoresist on wafers in photolithography process has outer (5) and inner (7) bowls which can change position up and down between the outer bowl and the spinner (1). The flow rate of exhaust gas is kept uniformally through the whole area of the wafer and that the rebounding effect of photoresist is restricted. The function of the inner bowl is as follows. The inner bowl moves down when the wafer rotates, so that the rebounce of photoresist is restricted. The inner bowl moves up to the wafer when the wafer stops to rotate and the exhaust starts, and hence the flow rate of the exhaust is kept uniform through the whole area of the wafer. As a result, the uniform photoresist coating is obtained.

Abstract translation: 用于在光刻工艺中在晶片上均匀涂覆光致抗蚀剂的设备具有外（5）和内（7）碗，其可以在外碗和旋转器（1）之间上下改变位置。 废气的流量通过晶片的整个区域均匀地保持，并且光刻胶的反弹效果受到限制。 内碗的功能如下。 当晶片旋转时，内碗向下移动，使得光致抗蚀剂的反弹受到限制。 当晶片停止旋转并且排气开始时，内碗向上移动到晶片，因此排气的流量通过晶片的整个区域保持均匀。 结果得到均匀的光刻胶涂层。

公开(公告)号：KR1019940001230B1

公开(公告)日：1994-02-17

申请号：KR1019910009661

申请日：1991-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정림

IPC: H01L21/304

Abstract: The device for increasing photo sensitivity and lengthening life span of laser devices, removes impurities in a gas supplied to the laser devices used at photolithography process in semiconductor manufacturing. The device having a laser device and a gas purifying device, comprises a box-type housing made of a first plate (1), having inner second plates (2) alternatingly attached to side walls to form layers in a comb shape; gas dispensing inlet (3) and gas discharging outlet (3"), respectively mounted at upper or lower section of the housing. The device ispositioned between the laser device and gas purifying device.

Abstract translation: 用于增加激光装置的光敏度和延长使用寿命的装置，在半导体制造中除去供应到在光刻工艺中使用的激光装置的气体中的杂质。 具有激光装置和气体净化装置的装置包括由第一板（1）制成的盒型壳体，其具有交替地附接到侧壁的内部第二板（2）以形成梳状的层; 气体分配入口（3）和气体排出口（3“），分别安装在壳体的上部或下部，该装置位于激光装置和气体净化装置之间。

公开(公告)号：KR1019940001311A

公开(公告)日：1994-01-19

申请号：KR1019920019247

申请日：1992-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정림

IPC: H01L21/304