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公开(公告)号：KR101599724B1
公开(公告)日：2016-03-04
申请号：KR1020090012501
申请日：2009-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3142 , H01L21/31604 , H01L21/31641 , H01L27/10852 , H01L28/40
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는기판상에형성된하부전극, 하부전극상에형성되며, Hf, Al, Zr, La, Ba, Sr, Ti 및 Pb를포함하는그룹에서선택된금속의제1 산화물을포함하는제1 유전막, 제1 유전막상에형성되며, Hf, Al, Zr, La, Ba, Sr, Ti 및 Pb를포함하는그룹에서선택된금속의제2 산화물을포함하는제2 유전막으로서, 제2 산화물은제1 산화물과서로다른제2 유전막, 제2 유전막상에형성되며, 금속유기산질화막을포함하는제3 유전막및 제3 유전막상에형성된상부전극을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150110032A
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020140033797
申请日：2014-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/23229 , G06F3/017 , G06F3/0304 , G06F2203/04806 , G09B19/0092 , H04N5/2257 , H04N5/23216 , H04N9/07
Abstract: 본개시는영상데이터를획득하는카메라모듈, 영상데이터에서적어도하나의포인팅오브젝트의위치에대응되는피사체에대한영상데이터를적어도하나의포인팅오브젝트의위치및 움직임중 적어도하나에따라제어하는제어모듈을포함할수 있고, 다른실시예로도적용이가능하다.
Abstract translation: 本公开可以包括：用于获取图像数据的相机模块; 以及控制模块，用于根据至少一个指向对象的位置和移动中的至少一个来控制对象上的至少一个指向对象的位置的被摄体上的图像数据。 可以应用其他实施例。
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公开(公告)号：KR1020150109862A
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020140033311
申请日：2014-03-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L63/0861 , G06K9/00087 , G06K9/00979 , H04L63/102 , H04W4/80 , H04W12/06
Abstract: 다양한실시예들에따르면, 제1 지문데이터와제2 지문데이터의동일성을판단하는동작; 상기판단을기반으로보안영역의접근권한을획득하는동작; 상기획득한권한을기반으로상기보안영역에저장된정보중 적어도하나를획득하는동작; 및근거리통신(Near Field Communication)으로연결된제2 전차장치로상기획득한정보를전송하는동작을포함할수 있다. 다른실시예들이가능하다.
Abstract translation: 根据各种实施例，能够通过指纹验证进行通信的电子设备包括以下操作：确定第一指纹数据和第二指纹数据之间的身份; 基于确定获得对安全区域的访问权限; 基于获得的权限获取存储在安全区域中的信息中的至少一个; 并将获得的信息发送到通过近场通信连接的第二电子设备。 其他实施例是可能的。
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公开(公告)号：KR1020150069155A
公开(公告)日：2015-06-23
申请号：KR1020130155240
申请日：2013-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0488 , G06F3/04812 , G06F2203/04108 , G06F2203/04801
Abstract: 본발명은전자장치의터치인디케이터디스플레이방법및 그전자장치에관한것으로, 전자장치의동작방법에있어서, 공동제작할오브젝트를다른전자장치로전송하여공유하는과정; 상기다른전자장치로부터수신되는메시지에서, 상기오브젝트의터치정보를획득하는과정; 상기터치정보를기반으로, 상기오브젝트의표면터치와호버링터치를구분하는과정; 및상기표면터치와호버링터치를구별할수 있는인디케이터를디스플레이하는과정을포함하는것을특징으로한다. 본발명은상술한실시예와다른실시예들도포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及电子装置的指示器显示方法及其电子装置。 电子设备的操作方法包括以下步骤：将通过将其发送到其他电子设备共同生产的对象共享; 从所述另一电子设备接收的消息中获取所述对象的触摸信息; 基于触摸信息区分物体的表面触摸和悬停触摸; 并显示能够区分表面触摸和盘旋触摸的指示器。 本发明可以具有与上述实施例不同的其它实施例。
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公开(公告)号：KR1020150026056A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020130104383
申请日：2013-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/0346
CPC classification number: G06F1/1694 , G06F1/1626 , G06F1/1637 , G06F1/1652 , G06F3/017 , G06F3/0346 , G06F3/0362 , G06F3/041 , G06F2203/04102 , G06F2203/04108
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 구름 운동(rolling motion) 가능한 곡면 바닥(curved bottom)을 형성하고, 외관을 형성하는 하우징과, 상기 하우징에 수용되고 상기 구름 운동에 대응하는 움직임 데이터를 획득하는 적어도 하나의 센서 및 상기 하우징에 수용되고 상기 움직임 데이터에 대응하는 적어도 하나의 기능을 수행하는 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있다. 다양한 다른 실시예들이 가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及具有弯曲底部的电子设备及其操作方法。 根据本发明的实施例，电子设备包括：形成弯曲底部以执行滚动运动并形成外观的壳体; 存储在所述壳体中的至少一个传感器，并获得与所述滚动运动相对应的运动数据; 以及至少一个处理器，其被存储在壳体中并且执行与运动数据相对应的至少一个功能。 可以执行各种不同的实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150011870A
公开(公告)日：2015-02-03
申请号：KR1020130086659
申请日：2013-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 기술에 따른 전자 장치의 위치 추적 방법은 출발 지점으로부터 상대적 위치를 산출하는 보행 추측 항법을 이용하여 전자 장치의 위치 추적 방법에 있어서, 기준 위치를 설정하는 동작; 상기 설정된 기준 위치를 기초하여 상기 전자 장치의 보행 추측 항법 정보를 획득하는 동작; 상기 설정된 기준 위치를 기초하여 생성된 다른 전자 장치의 보행 추측 항법 정보를 수신하는 동작; 및 상기 전자 장치의 보행 추측 항법 정보 및 상기 다른 전자 장치의 보행 추측 항법 정보에 기반하여 상기 다른 전자 장치의 위치 정보를 추적하는 동작을 포함한다.
Abstract translation: 一种跟踪电子装置位置的方法，其特征在于包括以下步骤：设置参考位置; 基于设定的参考位置获取电子设备上的步行推算信息; 接收基于所设定的基准位置产生的另一电子设备上的步行推算信息; 以及基于所述电子设备上的步行推算信息和所述另一电子设备上的步行推算信息，在所述另一电子设备上跟踪位置信息。
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公开(公告)号：KR101397292B1
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：KR1020070088574
申请日：2007-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H04B7/15542 , H04W16/30
Abstract: 본 발명은 통신 시스템에서 신호를 송수신 하는 시스템 및 방법에 관한 것으로, 제1 및 제2시간 구간동안 시분할 이중화 방식으로 셀의 내부 영역에 위치하는 제1이동국과 통신하며, 상기 제1시간 구간동안 주파수 분할 이중화 방식으로 상기 셀의 외부 영역에 위치하는 제2이동국과 통신하는 기지국과, 상기 제1시간 구간동안 상기 기지국으로부터 송신되는 신호와 상기 제2이동국으로부터 송신되는 신호를 동시에 감지하고, 상기 동시에 감지된 신호들을 상기 기지국과 상기 제2이동국으로 동시에 송신하는 중계국을 포함함을 특징으로 한다.
TDD(Time Division Duplexing), FDD(Frequency Division Duplexing), HDD(Hybrid Division Duplexing), 주파수 재사용, RS(Relay Station), 간섭.-
公开(公告)号：KR1020100021392A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：KR1020090101490
申请日：2009-10-24
Applicant: 주식회사 제이알테크 , 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A terminal support using tilt type sliding hinge is provided to prevent random tilt rotation of display unit of a mobile phone. CONSTITUTION: A supporting plate(200) is extended long in a board-shape. The bracket is coupled to the front part of the support plate. A stopper is formed at bent bottom of front support plate. The stopper of the support plate is hung at the stopper of the bracket. An inner spring, outer spring, and spring ball are inserted at a holding hole.
Abstract translation: 目的：提供使用倾斜式滑动铰链的端子支架，以防止手机显示单元的随机倾斜旋转。 构成：支撑板（200）延伸长板状。 支架联接到支撑板的前部。 在前支撑板的弯曲底部形成止动件。 支撑板的止动器悬挂在支架的止动器上。 内弹簧，外弹簧和弹簧球插入保持孔。
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公开(公告)号：KR1020090103121A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020080028510
申请日：2008-03-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/205 , H01L21/316
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L27/10852 , H01L28/75 , H01L28/90
Abstract: PURPOSE: A semiconductor manufacturing method is provided to apply the complex zirconium oxide layer to the various devices and to achieve high integration. CONSTITUTION: The semiconductor manufacturing method comprises as follows. The bottom electrode is formed on the semiconductor substrate(100). The first zirconium precursor source is adsorbed on the bottom electrode(180) and the non-reactive source is removed. The supply zirconium oxide layer(187) is supplied to the first zirconium precursor adsorption layer. The second zirconium precursor source is adsorbed on the zirconium oxide layer and the non-reactive source is removed. The second zirconium precursor adsorption layer is formed by supplying zirconium acid nitride film layer(188). The upper electrode is formed on the nitrified zirconium oxynitride film.
Abstract translation: 目的：提供半导体制造方法以将复合氧化锆层应用于各种器件并实现高集成度。 构成：半导体制造方法如下。 底电极形成在半导体衬底（100）上。 第一锆前体源被吸附在底部电极（180）上，并且去除非反应源。 向第一锆前体吸附层供给供给氧化锆层（187）。 第二锆前体源被吸附在氧化锆层上，并且去除非反应源。 第二锆前体吸附层是通过提供锆酸氮化物膜层（188）形成的。 在硝化氮氧化锆膜上形成上电极。
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公开(公告)号：KR1020080114338A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020070063796
申请日：2007-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/31144 , H01L21/76804 , H01L21/76831 , H01L27/10811 , H01L27/10888
Abstract: A semiconductor integrated circuit device and a manufacturing method thereof are provided to secure high electrical insulation between a conductive layer and a contact by burying a spacer in a recessed region and recessing the conductive layer in a distant direction from the contact. A semiconductor integrated circuit device includes a lower conductive pattern(11), an interlayer insulating layer(30), a capping insulating layer pattern(45), a spacer(50), and a contact(65). An interlayer insulating layer is positioned on a surface of the lower conductive layer pattern. An upper conductive layer pattern is positioned on the interlayer insulating layer. The capping insulating layer pattern is positioned on the upper conductive layer pattern. The spacer is formed in side walls of the upper conductive pattern and the capping insulating layer pattern. The contact penetrates through the interlayer insulating layer and is electrically connected to the lower conductive pattern. The upper conductive pattern is separated from the contact to interpose the spacer. The side wall of the upper conductive pattern is recessed than the side wall of the capping insulating pattern. The recessed region is buried by the spacer.
Abstract translation: 提供一种半导体集成电路器件及其制造方法，以通过在凹陷区域中埋入间隔物并使导电层沿远离接触部的方向凹陷来确保导电层和接触件之间的高电绝缘性。 半导体集成电路器件包括下导电图案（11），层间绝缘层（30），封盖绝缘层图案（45），间隔物（50）和触点（65）。 层间绝缘层位于下导电层图案的表面上。 上导电层图案位于层间绝缘层上。 封盖绝缘层图案位于上导电层图案上。 间隔件形成在上导电图案和封盖绝缘层图案的侧壁中。 触点穿过层间绝缘层并电连接到下导电图案。 上部导电图案与接触件分离以插入间隔件。 上导电图案的侧壁比封盖绝缘图案的侧壁凹陷。 凹陷区域被间隔物掩埋。
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