公开(公告)号：KR100560963B1

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：KR1020040011765

申请日：2004-02-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임기빈 ,  박기연 ,  여재현 ,  김성태 ,  김영선 ,  박인성 ,  이승환

IPC: H01L21/20

Abstract: 원자층 증착 공정을 이용하여 향상된 누설 전류 제어 특성과 우수한 절연 특성을 가지는 물질의 형성 방법 및 이에 따른 박막의 형성 방법, 그리고 이를 이용한 캐패시터의 제조 방법이 개시되어 있다. 제1 원소를 포함하는 제1 반응물을 기판 상에 화학 흡착시키고, 화학 흡착된 제1 반응물과 제2 원소를 포함하는 제2 반응물을 화학적으로 반응시켜 기판 상에 제1 원소와 제2 원소의 화학적 결합에 의해 이루어진 물질을 형성한다. 상술한 과정을 5회 이상 반복하여 약 5 내지 30Å의 물질을 형성한 후, 제2 원소를 포함하는 제1 플러싱 가스를 형성된 물질에 적용하여 물질의 특성을 개선한다. 박막 내의 탄소를 효과적으로 제거할 수 있어 누설 전류를 현저히 감소시킬 수 있고, 산소 결핍을 방지하여 우수한 절연성능을 가지는 박막을 형성할 수 있다. 또한 양질의 박막과 이를 이용한 신뢰성 높은 메모리 소자를 인-시츄 공정에서 경제적으로 생산할 수 있으므로 반도체 제조 공정의 전체적인 시간과 비용을 절감할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050036194A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：KR1020030071811

申请日：2003-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임기빈 ,  김성태 ,  김영선 ,  남갑진 ,  박인성 ,  정은애 ,  박기연 ,  이승환

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544

Abstract: 소스의 충분한 공급이 가능하면서도, 유지보수가 용이한 소스 공급 장치, 이를 이용한 소스 공급 방법과 원자층 증착방법이 개시되어 있다. 기상 소스가 수용된 소스 보관 용기, 기상 소스 충전 수단, 반응기에 인접한 기상 소스 충전 용기 그리고 소스 충전 용기의 기상 소스를 반응기에 공급하는 소스 공급 수단을 가지는 소스 공급 장치를 제공한다. 또한, 우선 액상 소스를 기상 소스로 기화시키고, 이어서, 기상 소스를 소스 충전용기에 충전시킨 후, 소스 충전용기의 기상 소스를 반응기에 공급하는 과정을 포함하는 소스 공급방법과 이를 이용한 원자층 증착 방법을 제공한다. 소스 공급시간의 연장이나 소스의 변질을 일으킬 수 있는 소스 온도의 상승 없이 짧은 시간에 소스를 충분히 공급할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020040070481A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：KR1020030006513

申请日：2003-02-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박인성 ,  임기빈 ,  박기연 ,  여재현 ,  이윤정

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/022 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/0218 ,  H01L28/56

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for forming a dielectric layer are provided to form two dielectric layers by using a CVD(Chemical Vapor Deposition) method and an ALD(Atomic Layer Deposition) method. CONSTITUTION: The first chamber(110) is used for forming the first dielectric layer by using a CVD method. The second chamber(120) is used for forming the second dielectric layer by using an ALD method. The third chamber is used for forming the third dielectric layer by using the CVD method. The fourth chamber is used for forming the fourth dielectric layer by using the ALD method. A carrier chamber(170) includes four sides of the first to the fourth sides. The first and the second chambers are connected to the first and the second side of the carrier chamber. A load lock chamber(150) is connected to the third side of the carrier chamber. A cooling chamber(160) is connected to the fourth side of the carrier chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成电介质层的装置和方法，以通过使用CVD（化学气相沉积）方法和ALD（原子层沉积）方法形成两个电介质层。 构成：第一室（110）用于通过使用CVD法形成第一介电层。 第二室（120）用于通过使用ALD方法形成第二介质层。 第三室用于通过使用CVD法形成第三介质层。 第四室用于使用ALD法形成第四介质层。 载体室（170）包括第一至第四侧的四个侧面。 第一和第二室连接到载体室的第一和第二侧。 负载锁定室（150）连接到载体室的第三侧。 冷却室（160）连接到载体室的第四侧。