公开(公告)号：KR1020110104322A

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：KR1020100023405

申请日：2010-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기철 ,  이종철 ,  임기빈 ,  여재현

IPC: H01L21/02 ,  H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/11568 ,  H01L21/02142

Abstract: 다층 유전막을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 기판 상에 금속 원자 및 실리콘 원자를 포함하는 다층 유전막을 형성하는 단계를 포함하되, 다층 유전막을 형성하는 단계는 포함된 금속 원자 및 실리콘 원자의 개수 합계 중 실리콘 원자의 개수가 가지는 비율인 실리콘 농도가 서로 다른 적어도 2개의 결정질 금속 실리케이트 막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020080109458A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：KR1020070057821

申请日：2007-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  윤경렬 ,  임기빈 ,  여재현 ,  강상열

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02337 ,  H01L27/10855

Abstract: A method for fabricating capacitor is provided to remove impurity, suppress oxidation of the bottom electrode, and reduce leakage current, so improving an electrical characteristic. A method for fabricating capacitor is comprised of steps: forming a bottom electrode(134); forming a metal nitride layer(136a) on the bottom electrode; performing heat treatment to a metal nitride layer at the first under the nitrogen atmosphere; forming a metal oxide layer(136b) on the metal nitride layer; forming an upper electrode(138) on the metal oxide layer.

Abstract translation: 提供制造电容器的方法以去除杂质，抑制底部电极的氧化，并减少漏电流，从而改善电气特性。 制造电容器的方法包括以下步骤：形成底部电极（134）; 在底部电极上形成金属氮化物层（136a）; 在氮气氛下首先对金属氮化物层进行热处理; 在所述金属氮化物层上形成金属氧化物层（136b）; 在所述金属氧化物层上形成上电极（138）。

公开(公告)号：KR1020080093624A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：KR1020070037583

申请日：2007-04-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  강상열 ,  임기빈 ,  최훈상 ,  정은애

IPC: H01L21/31 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/56 ,  H01L29/511

Abstract: A multiple dielectric film for a semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to prevent oxidization of a lower electrode during a formation of a capacitor of the semiconductor device, thereby reducing the leakage current of the semiconductor device by using the multiple dielectric film as a dielectric film of the semiconductor device. A multiple dielectric film(130) for a semiconductor device includes at least two staked dielectric layers. Each of the dielectric layers is made of a composite layer(110) composed of a zirconium-hafnium oxide or a metal oxide layer(120) composed of an amorphous metal oxide. Adjacent dielectric layers are made by different materials. The dielectric layers are three stacked layers. The three stacked layers have a first dielectric layer composed of the composite layer, a second dielectric layer composed of the metal oxide layer, and a third dielectric layer composed of the composite layer. The metal oxide layer is composed of Al2O3, La2O3, Y2O3, LaAlO3, or YAlO3.

Abstract translation: 提供一种用于半导体器件的多电介质膜及其制造方法，用于在半导体器件的电容器形成期间防止下电极的氧化，从而通过使用多个电介质膜来减少半导体器件的漏电流 作为半导体器件的电介质膜。 用于半导体器件的多重电介质膜（130）包括至少两个固定的电介质层。 每个电介质层由由氧化锆锆或由非晶态金属氧化物构成的金属氧化物层（120）构成的复合层（110）制成。 相邻的电介质层由不同的材料制成。 电介质层是三层叠层。 三层叠层具有由复合层构成的第一电介质层，由金属氧化物层构成的第二电介质层和由复合层构成的第三电介质层。 金属氧化物层由Al2O3，La2O3，Y2O3，LaAlO3或YAlO3组成。

公开(公告)号：KR1020080079491A

公开(公告)日：2008-09-01

申请号：KR1020070019744

申请日：2007-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정은애 ,  이종철 ,  오규환 ,  윤경렬 ,  임기빈 ,  여재현 ,  최훈상 ,  강상열

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/91

Abstract: A method for fabricating a capacitor having a high-k dielectric and a capacitor manufactured by the method are provided to improve the electrical characteristic of a cell capacitor by forming a titanium nitride layer on a first dielectric. A lower electrode(120a) is formed on a semiconductor substrate(100). A first dielectric(134) having a metal oxide layer is formed on the lower electrode. A titanium nitride layer is deposited on the first dielectric to form a second dielectric(136) on an upper surface of the first dielectric, and also an upper electrode is formed on the second dielectric. The titanium nitride layer contains excessive titanium than nitride. In case the titanium nitride layer is TixN1-x(0

Abstract translation: 提供一种制造具有高k电介质的电容器和通过该方法制造的电容器的方法，以通过在第一电介质上形成氮化钛层来改善电池电容器的电特性。 在半导体衬底（100）上形成下电极（120a）。 具有金属氧化物层的第一电介质（134）形成在下电极上。 氮化钛层沉积在第一电介质上以在第一电介质的上表面上形成第二电介质（136），并且在第二电介质上形成上电极。 氮化钛层含有比氮化物更多的钛。 在氮化钛层为TixN1-x（0

公开(公告)号：KR1020070056565A

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020050115430

申请日：2005-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임기빈 ,  이종철 ,  윤경렬 ,  여재현 ,  정은애 ,  김영선

IPC: H01L21/8242

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor capacitor is provided to prevent the generation of short between adjacent lower electrodes by forming a spacer containing a metallic oxide at both upper sidewalls of each lower electrode. A mold layer with opening portions is formed on a semiconductor substrate(30). A lower electrode thin film is formed along an upper surface of the resultant structure. A sacrificial layer is formed thereon. A polishing process is performed on the resultant structure until the mold layer is exposed to the outside. An upper portion of the exposed mold layer is removed from the resultant structure to expose an upper sidewall of the lower electrode thin film. A thin film having a relatively high etch selectivity compared to the mold layer and sacrificial layer is formed. A spacer(72) is formed at both upper sidewalls of the lower electrode thin film by performing an etch back process on the resultant structure.

Abstract translation: 提供一种制造半导体电容器的方法，以通过在每个下电极的两个上侧壁处形成包含金属氧化物的间隔来防止在相邻的下电极之间产生短路。 在半导体衬底（30）上形成具有开口部分的模制层。 沿所得结构的上表面形成下电极薄膜。 在其上形成牺牲层。 对所得到的结构进行抛光处理，直到模具层暴露于外部。 暴露的模制层的上部从所得结构中去除以暴露下部电极薄膜的上侧壁。 形成与模具层和牺牲层相比具有相对高的蚀刻选择性的薄膜。 通过对所得结构执行回蚀处理，在下电极薄膜的两个上侧壁处形成间隔物（72）。

公开(公告)号：KR100644410B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020050071636

申请日：2005-08-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤경렬 ,  박영근 ,  임기빈 ,  여재현 ,  정은애 ,  김영선

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: A method for forming a metal oxide layer and a method for manufacturing a semiconductor capacitor using the same are provided to obtain excellent electrical properties from the metal oxide layer and to secure a thin equivalent oxide thickness by performing a post-treatment under a low temperature after forming a zirconium oxide thin film. A thin film(20) containing zirconium oxide is formed on a semiconductor substrate(10). A post-treatment is performed on the thin film in a predetermined temperature range of 10 to 150 ‹C to control properly the compositional rate of zirconium and oxide and remove carbon from the thin film. The thin film is formed by using an ALD(Atomic Layer Deposition).

Abstract translation: 提供一种用于形成金属氧化物层的方法和使用该方法制造半导体电容器的方法，以从金属氧化物层获得优异的电学性质，并且通过在低温下进行后处理以确保薄的等效氧化物厚度 形成氧化锆薄膜。 在半导体衬底（10）上形成含有氧化锆的薄膜（20）。 在10至150℃的预定温度范围内对薄膜进行后处理以适当地控制锆和氧化物的组成比并从薄膜去除碳。 通过使用ALD（原子层沉积）形成薄膜。

公开(公告)号：KR1020060060897A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：KR1020040099688

申请日：2004-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장원준 ,  박인선 ,  박재영 ,  임기빈 ,  형용우

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10852

Abstract: 본 발명은 반도체 소자와 그의 제조방법에 관한 것으로서, 더 구체적으로 디램 소자의 커패시터의 스토리지 전극 및 커패시터의 스토리지 전극을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 커패시터의 스토리지 전극은 반도체 기판 상의 절연막을 관통하는 콘택 플러그를 통하여 트랜지스터의 소오스 영역과 접촉되며 절연막 상에 정의된 스토리지 전극 형성영역 내에 콘캐이브 구조로 형성된 제 1 금속막과, 상기 제 1 금속막 상에 설정된 두께로 형성되며 후속 열처리 공정에 의하여 비정질에서 결정질 상태로 변화된 폴리실리콘 층, 그리고 상기 폴리실리콘 층 상에 설정된 두께로 형성된 제 2 금속막으로 구성됨을 특징으로 한다.
디램, 커패시터, 하부 전극, 스토리지 전극, 식각액

公开(公告)号：KR100546324B1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：KR1020030025533

申请日：2003-04-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기연 ,  김성태 ,  김영선 ,  박인성 ,  여재현 ,  이윤정 ,  임기빈

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L27/1085

Abstract: 산소결핍 금속 산화막과 금속 산화막을 차례로 형성하는 2단계 ALD 증착 공정에 의하여 금속 산화물로 이루어지는 고유전막을 형성하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 유기금속 화합물로 이루어지는 제1 반응물을 사용하는 ALD 공정에 의하여 반도체 기판상에 화학양론적으로 안정된 금속산화물에서의 산소 함량보다 적은 산소 함량을 가지는 금속 산화물로 이루어지는 산소결핍 금속 산화막을 형성한다. 상기 제1 반응물과 산화제로 이루어지는 제2 반응물을 사용하는 ALD 공정에 의하여 상기 산소결핍 금속 산화막 위에 금속 산화막을 형성한다. 본 발명에 따른 방법에 의하여 란탄 산화막을 형성하기 위하여 ALD 공정에 의하여 La
2 O
x (x 2 O
3 조성을 가지는 제2 란탄 산화막을 형성한다. 란탄 소스로서 알콕사이드 계열의 유기금속 화합물을 사용하는 것이 유리하다.
란탄 산화막, 유기금속 화합물, 알콕사이드, 산소결핍 금속 산화막

公开(公告)号：KR1020050117286A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：KR1020040042551

申请日：2004-06-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  임기빈 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  최한메 ,  남갑진

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40 ,  H01L28/65

Abstract: In a method of forming a layer using an atomic layer deposition process, after a substrate is loaded into a chamber, a reactant is provided onto the substrate to form a preliminary layer. Atoms in the preliminary layer are partially removed from the preliminary layer using plasma formed from an inert gas such as an argon gas, a xenon gas or a krypton gas, or an inactive gas such as an oxygen gas, a nitrogen gas or a nitrous oxide gas to form a desired layer. Processes for forming the desired layer may be simplified. A highly integrated semiconductor device having improved reliability may be economically manufactured so that time and costs required for the manufacturing of the semiconductor device may be reduced.

公开(公告)号：KR100532202B1

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：KR1020040049070

申请日：2004-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경석 ,  임기빈 ,  이광욱 ,  신원식 ,  김봉현

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 실린더 형상의 커패시터 제조 방법에서, 우선, 기판 상에 제1 몰드막, 상기 제1 몰드막에 비해 습식 세정액에 의한 식각 내성이 우수한 제2 몰드막, 지지막 및 제3 몰드막을 형성한다. 상기 막들을 순차적으로 식각하여 개구부를 형성한다. 상기 개구부의 내부면에 실린더형의 스토리지 전극을 형성한다. 상기 제3 몰드막 및 지지막을 부분적으로 제거하여 지지막 패턴을 형성한다. 상기 제2 몰드막과 지지막 패턴간의 식각 선택비가 70:1 보다 높은 제1 식각액을 사용하여 상기 제2 몰드막 을 1차 식각한다. 상기 제1 몰드막과 지지막 패턴간의 식각 선택비가, 상기 제1 식각액에 의해 식각되는 상기 제2 몰드막과 지지막 패턴간의 식각 선택비보다 더 높은 조건을 만족하는 제2 식각액을 사용하여 잔류된 몰드막들을 2차 식각한다. 상기 스토리지 전극 상에 유전막 및 플레이트 전극을 형성한다. 상기 방법에 의하면, 지지막 패턴의 소모가 감소되어 커패시터의 스토리지 노드 전극의 안정성을 향상시킬 수 있다.