公开(公告)号：KR100642431B1

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：KR1020050091108

申请日：2005-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조경상 ,  최병룡 ,  김병기 ,  권순재

IPC: H05B33/02 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H05B33/14 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/565 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/52 ,  H05B33/22

Abstract: 본 발명은 무기 전자수송층을 포함하는 양자점 발광 다이오드에 관한 것으로, 본 발명의 양자점 발광 다이오드는 전자수송층이 무기물로 형성됨으로써 높은 전자 이동 속도와 전자 농도를 제공하여 다이오드의 발광효율을 향상시킬 수 있고, 또한 전극과 유기 전자수송층 간의 계면, 양자점 발광층과 유기 전자수송층 간의 계면에서 유-무기 물질 사이에 발생되는 저항을 방지함으로써 다이오드의 발광효율을 향상시킬 수 있다.
무기 전자수송층, 양자점 발광 다이오드, 유-무기 계면

公开(公告)号：KR1020060101184A

公开(公告)日：2006-09-22

申请号：KR1020050091108

申请日：2005-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조경상 ,  최병룡 ,  김병기 ,  권순재

IPC: H05B33/02 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H05B33/14 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/565 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/52 ,  H05B33/22

Abstract: 본 발명은 무기 전자수송층을 포함하는 양자점 발광 다이오드에 관한 것으로, 본 발명의 양자점 발광 다이오드는 전자수송층이 무기물로 형성됨으로써 높은 전자 이동 속도와 전자 농도를 제공하여 다이오드의 발광효율을 향상시킬 수 있고, 또한 전극과 유기 전자수송층 간의 계면, 양자점 발광층과 유기 전자수송층 간의 계면에서 유-무기 물질 사이에 발생되는 저항을 방지함으로써 다이오드의 발광효율을 향상시킬 수 있다.
무기 전자수송층, 양자점 발광 다이오드, 유-무기 계면

公开(公告)号：KR1020060094862A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：KR1020060009821

申请日：2006-02-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최병룡 ,  박완준 ,  이은경 ,  현재웅

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L29/8605

CPC classification number: H01L21/02603 ,  H01L21/28026 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/8605

Abstract: 본 발명은 실리콘 나노 와이어, 실리콘 나노 와이어를 포함하는 반도체 소자 및 실리콘 나노 와이어의 제조 방법에 관한 것이다. (가) 실리콘 기판 표면에 규칙적으로 형성된 다수의 마이크로 캐버티 형태를 포함하는 마세 굴곡을 형성시키는 단계; (나) 상기 기판 상에 나노 와이어 형성을 위한 촉매 작용을 하는 물질을 증착하여 금속층을 형성시키는 단계; (다) 상기 금속층을 가열함으로써, 상기 기판 표면의 미세 굴곡 내에 상기 금속층을 덩어리화하여 촉매를 형성시키는 단계; 및 (라) 상기 촉매와 상기 기판 사이에 나노 와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 실리콘 나노 와이어 제조 방법과 이에 의해 제조된 실리콘 나노 와이어 및 실리콘 나노 와이어를 포함하는 반도체 소자를 제공한다.

公开(公告)号：KR100612875B1

公开(公告)日：2006-08-14

申请号：KR1020040097007

申请日：2004-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송인재 ,  최병룡

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/156 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1872 ,  H01L33/18 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 실리콘에 기반을 둔 n형 또는 p형의 기판을 준비하는 단계와; 기판 일면의 적어도 한 부위를 폴리실리콘으로 만드는 단계와; 폴리실리콘이 형성된 기판의 면을 산화시켜 기판과 그 위에 실리콘 산화층이 있는 구조로 만들어, 실리콘 산화층 형성 과정에서, 폴리실리콘의 그레인 경계를 통해 이동되는 산소에 의해 산화가 촉진되어 실리콘 산화층과 기판 사이의 계면에 미소 결함 굴곡을 형성하는 단계와; 실리콘 산화층을 식각하여, 실리콘 산화층 형성 과정에서 실리콘 산화층과 기판 사이의 계면에 형성된 미소 결함 굴곡을 노출시키는 단계와; 노출된 미소 결함 굴곡 부분을 기판과 반대형으로 도핑하여 도핑 영역을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 실리콘 광소자 및 이를 적용한 화상 입력 및/또는 출력장치가 개시되어 있다.

公开(公告)号：KR1020060059327A

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：KR1020040098377

申请日：2004-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송인재 ,  최병룡

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0058 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14698 ,  H01L27/156 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 실리콘에 기반을 둔 n형 또는 p형의 기판을 준비하는 단계와; 기판 일면의 적어도 한 부위를 원하는 미소 캐버티 길이를 가지는 미소 결함 굴곡을 형성하기 위한 소정 깊이의 폴리실리콘으로 만드는 단계와; 폴리실리콘이 형성된 기판의 면을 산화시켜 기판과 그 위에 실리콘 산화층이 있는 구조로 만들어, 실리콘 산화층 형성 과정에서, 폴리실리콘과 기판을 이루는 물질의 산화율 차이에 기인하여 실리콘 산화층과 기판 사이의 계면에 원하는 미소 캐버티 길이를 가지는 미소 결함 굴곡을 형성하는 단계와; 실리콘 산화층의 폴리실리콘이 형성되어 있던 부위를 식각하여, 실리콘 산화층 형성 과정에서 실리콘 산화층과 기판 사이의 계면에 형성된 미소 결함 굴곡을 노출시키는 단계와; 노출된 미소 결합 굴곡 부분을 기판과 반대형으로 도핑하여 도핑 영역을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020050078017A

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：KR1020040006114

申请日：2004-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호 ,  최병룡

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B82Y30/00 ,  G03F1/50 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/14

Abstract: 표면 플라즈몬 공명(SPR; surface plasmon resonance)을 이용한 나노구조 형성방법이 개시된다. 개시된 방법은 반도체 기판 상에 포토 레지스트 층을 형성하는 단계와, 포토 레지스트 층 상에 나노 구조체를 형성하는 단계와, 나노 구조체가 형성된 반도체 기판으로 빛을 조사하여 포토 레지스트 층을 감광하는 단계와, 감광된 포토 레지스트 층을 현상하는 단계 및 현상된 포토 레지스트 층을 이용하여 반도체 기판을 건식 식각함으로써 반도체 기판이 나노구조를 갖도록 하는 단계를 포함한다. 따라서, 미리 제조된 나노 구조체를 포토 레지스트 층에 형성한 후 SPR을 적용함으로써 기존의 반도체 공정에 손쉽게 적용할 수 있는 높은 효율의 공정으로 짧은 시간에 대면적의 기판에 나노 구조를 간단하게 형성할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050032299A

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：KR1020030068332

申请日：2003-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김준영 ,  최병룡 ,  이은경

IPC: H01L21/283

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/823878 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: A contact structure of a semiconductor device is provided to embody an electrically and physically stable semiconductor device and guarantee reliability of the semiconductor device by preventing a spike phenomenon that might occur in an interconnection structure used in a conventional semiconductor device. A semiconductor substrate(21) is prepared. A conductive doping layer(23) is doped with an opposite polarity to the semiconductor substrate, formed on a part of the semiconductor substrate. A conductive layer(24) is formed on the doping layer. An insulated doping layer(25) is formed under the doping layer. The semiconductor substrate and the conductive doping layer constitute a p-n junction. The insulated doping layer includes oxygen or nitrogen.

Abstract translation: 提供半导体器件的接触结构以体现电和物理稳定的半导体器件，并通过防止在常规半导体器件中使用的互连结构中可能发生的尖峰现象来保证半导体器件的可靠性。 制备半导体衬底（21）。 在半导体衬底的一部分上形成与半导体衬底相反极性的导电掺杂层（23）。 导电层（24）形成在掺杂层上。 在掺杂层下方形成绝缘的掺杂层（25）。 半导体衬底和导电掺杂层构成p-n结。 绝缘掺杂层包括氧或氮。

公开(公告)号：KR100459894B1

公开(公告)日：2004-12-04

申请号：KR1020020007707

申请日：2002-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은경 ,  최병룡 ,  김준영

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/068 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/547

Abstract: A silicon light-receiving device is provided. In the device, a substrate is based on n-type or p-type silicon. A doped region is ultra-shallowly doped with the opposite type dopant to the dopant type of the substrate on one side of the substrate so that a photoelectric conversion effect for light in a wavelength range of 100-1100 nm is generated by a quantum confinement effect in the p-n junction with the substrate. First and second electrodes are formed on the substrate so as to be electrically connected to the doped region. Due to the ultra-shallow doped region on the silicon substrate, a quantum confinement effect is generated in the p-n junction. Even though silicon is used as a semiconductor material, the quantum efficiency of the silicon light-receiving device is far higher than that of a conventional solar cell, owing to the quantum confinement effect. The silicon light-receiving device can also be formed to absorb light in a particular or large wavelength band, and used as a solar cell.

Abstract translation: 提供了一种硅光接收装置。 在该器件中，衬底基于n型或p型硅。 掺杂区是用衬底的一侧上的衬底的掺杂剂类型的相反类型的掺杂剂超浅掺杂的，从而通过量子限制效应产生对于波长范围为100-1100nm的光的光电转换效应 在与衬底的pn结中。 第一和第二电极形成在衬底上以电连接到掺杂区域。 由于硅衬底上的超浅掺杂区域，在p-n结中会产生量子限制效应。 尽管将硅用作半导体材料，但由于量子限制效应，硅光接收装置的量子效率远远高于常规太阳能电池的量子效率。 硅光接收装置也可以形成为吸收特定波长带或较大波长带的光并用作太阳能电池。

公开(公告)号：KR1020030072882A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020020012157

申请日：2002-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김준영 ,  최병룡 ,  이은경

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/32 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L33/34 ,  H01L27/15

Abstract: PURPOSE: A silicon light emitting device and a display apparatus using the same are provided to be capable of carrying out a multi-function by integrating a multi-step transistor at the silicon light emitting device. CONSTITUTION: A silicon light emitting device is provided with the first type semiconductor based substrate(11), a doped region(15) formed at one surface of the substrate, the first and second semiconductor material part(21,23) formed at the other surface of the substrate, the first electrode(13) electrically connected to the doped region, the second electrode(17) electrically connected to the first semiconductor material part, and the third electrode(19) electrically connected to the second semiconductor material part. At this time, the second semiconductor material part is made of the second type semiconductor layer and the first semiconductor material part is made of the first type semiconductor layer, thereby forming a multi-step transistor.

Abstract translation: 目的：提供硅发光器件和使用其的显示装置，以便能够通过在硅发光器件上集成多级晶体管来执行多功能。 构成：硅发光器件设置有第一类型半导体衬底（11），形成在衬底的一个表面处的掺杂区域（15），形成在另一个的第一和第二半导体材料部分（21,23） 电连接到掺杂区的第一电极（13），与第一半导体材料部分电连接的第二电极（17）和与第二半导体材料部分电连接的第三电极（19）。 此时，第二半导体材料部分由第二类型半导体层制成，并且第一半导体材料部分由第一类型半导体层制成，从而形成多级晶体管。

公开(公告)号：KR100354532B1

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：KR1019980004929

申请日：1998-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최병룡 ,  이정용

IPC: H01J1/30

Abstract: PURPOSE: A cold cathode device having plural emission parts is provided to improve emitting characteristics of electrons by arranging efficiently a plurality of emission portions. CONSTITUTION: A p type epi growth layer(32) is grown on a p+ wafer(31). A plurality of p+ emission portions(33) are formed on a center of an upper portion of the p type epi growth layer(32) in order to emit electrons. An n+ power supply portion(34) is formed around the p+ emission portions(33). An n++ shallow channel(35) is located at an upper portion of the p+ emission portions(33). An insulating layer(36) and a control portion(37) are formed at an upper portion of the p type epi growth layer(32) and an upper portion of the n+ power supply portion(34) in order to apply the orientation to the emitted electrons.