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公开(公告)号：KR101770735B1
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020110061801
申请日：2011-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코
Abstract: 일측면에따라자기열효과물질미세분말의제조방법을제공한다. 상기제조방법은할로겐화망간, 할로겐화철, B, Si, Ge, As, Sb 및 Te 로부터선택된 1종이상의금속(T)의소스물질, 인(P) 및환원성금속을혼합하여혼합물을형성하는단계; 상기혼합물을용융시키기위하여열처리하는단계; 및상기열처리된혼합물을냉각시키는단계;를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供了一种制造磁热效应材料的细粉末的方法。 该制造方法包括由源材料，所述（P）和在所述一个从卤化物，卤化锰铁，硼，硅，锗的金属（T）的还原性金属混合形成混合物，As，Sb和碲; 热处理混合物以熔化; 并冷却热处理过的混合物。
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公开(公告)号：KR101555191B1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：KR1020090010847
申请日：2009-02-11
CPC classification number: H05K1/162 , C08G59/4215 , C08G59/686 , C08K3/04 , C08L63/00 , H01G4/206 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H05K2201/0323 , H01L2924/00
Abstract: 비스페놀계에폭시화합물및 지환족에폭시화합물을포함하는 45 부피% 내지 50 부피%의에폭시화합물, 2.0 부피% 내지 3.1 부피%의카본블랙, 상기에폭시화합물 100 부피부에대하여 80 부피부내지 104 부피부의산 무수물계경화제및 상기에폭시화합물 100 부피부에대하여 1 부피부내지 3 부피부의 3차알킬아민계경화촉매를포함하는카본/에폭시수지조성물및 이를이용하여제조된카본-에폭시유전막이제공된다.
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公开(公告)号：KR1020150089789A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020140010796
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코
CPC classification number: F25B21/00 , F25B2321/00 , H01F1/012 , Y02B30/66
Abstract: 고온단열교환기, 저온단열교환기, 상기고온단열교환기와상기저온단열교환기사이에서온도구배를형성하는자성체, 그리고열교환매질을포함하고, 하기관계식 1을만족하는자기냉각기및 이를포함하는장치에관한것이다. [관계식 1] k = T/T=ΔS/ΔS> 1 상기관계식 1에서, T는고온단열교환기의온도이고, T는저온단열교환기의온도이고, ΔS는 T에서자성체의엔트로피변화량이고, ΔS는 T에서자성체의엔트로피변화량이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括高温端热交换器，低温端热交换器，在高温端热交换器和低温端热交换器之间形成温度梯度的磁体的磁性冷却器，以及热交换器 满足以下关系式1的介质，以及包含该关系式的装置。 [关系式1] k = T_h / T_c =ΔS_c/ΔS_h> 1在关系式1中，T_h是高温端热交换器的温度，T_c是低温端热交换器的温度，ΔS_h是熵 T_h中的磁体的变化，ΔS_c是T_c中的磁体的熵变。
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公开(公告)号：KR1020150042029A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：KR1020130120735
申请日：2013-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 망간(Mn); 망간(Mn)의일부를치환한적어도 1종의 4d 전이원소또는희토류원소; 및적어도 1종의비금속원소또는준금속원소를포함하는자기열물질및 상기자기열물질을포함하는제품에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种磁热材料，以及包括该磁热材料的产品。 磁热材料包括：锰（Mn）; 至少一个元素代替4d过渡元素或稀土元素的一部分锰（Mn）; 和非金属元素或类金属元素的至少一种元素。
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公开(公告)号：KR1020130112600A
公开(公告)日：2013-10-14
申请号：KR1020120035108
申请日：2012-04-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01F1/015 , C01B35/04 , H01F1/012 , Y02P20/129
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a magnetic heating effect material in a transition metal pnictide system with doped boron is provided to reduce magnetic hysteresis, thereby increasing a magnetic entropy change value. CONSTITUTION: A transition metal halide is heat-treated. A pnictogen element is heat-treated. A pnictogen oxide is heat-treated. A boron oxide is heat-treated. A mixture of a reducing metal is heat-treated. [Reference numerals] (AA) Intensity
Abstract translation: 目的：提供一种在具有掺杂硼的过渡金属溅射体系中制造磁加热效应材料的方法，以减少磁滞，从而增加磁熵变值。 构成：过渡金属卤化物被热处理。 烤炉元件经过热处理。 硝酸氧化物被热处理。 氧化硼被热处理。 将还原金属的混合物热处理。 （标号）（AA）强度
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100754396B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020060015159
申请日：2006-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/5012 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L2251/308
Abstract: 본 발명에 의하면 양자점 발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 양자점 발광소자는 절연기판, 절연기판에 지지되고, 가교제(cross-link agent)에 의해 상호 교차 결합(cross-link)되어 있는 양자점들의 단일막 또는 다층막으로 이루어진 양자점 발광층, 양자점 발광층에 대해 캐리어를 주입하도록 외부 전원과 연결된 아노드 (anode) 전극 및 캐소드 (cathode) 전극, 아노드 전극과 양자점 발광층 사이에 개재되고, P-타입 폴리머 반도체로 이루어진 정공 전달층 및 캐소드 전극과 양자점 발광층 사이에 개재되고, 금속 산화물 또는 n-타입 폴리머 반도체로 이루어진 전자 전달층을 포함한다.
본 발명의 양자점 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, 양자점 박막 위에 습식의 성막공정을 직접 적용함으로써 제조공정 및 제조단가의 절감이 가능하고, 양자점 박막의 계면을 높은 균일도로 형성하고 양자점 간의 상호 결속를 강화함으로써 구동 효율이 향상되며, 외부 유해물질에 의한 표시기능의 저하가 방지되면서도 낮은 턴-온 전압(turn-on voltage)이 유지된다.-
公开(公告)号：KR101430373B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020130147766
申请日：2013-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 다수의 중공 채널들을 포함하는 템플릿, 상기 템플릿의 각 채널 내에 형성된 나노와이어 및 상기 템플릿의 일부 구간이 제거되어 단일의 나노와이어 또는 다수의 나노와이어들이 노출되는 기능부를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 복합체 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 나노와이어 복합체는 저가의 단순 공정에 의해 제조가 가능하고 소형으로 제작이 가능하므로 공진기 또는 각종 센서로 용도 전개가 가능하다.
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公开(公告)号：KR101304635B1
公开(公告)日：2013-09-05
申请号：KR1020060002189
申请日：2006-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/883 , C09K11/565 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/26 , H05B33/14
Abstract: 본 발명은 무기물 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 무기물인 반도체 나노 결정층을 포함하는 발광 다이오드에서 반도체 나노결정층의 상부에 형성되는 전자 수송층 또는 정공수송층은 비정질 무기물로 이루어지며, 반도체 결정층의 하부에 형성되는 정공 수송층 또는 전자 수송층은 무기물로 이루어진 무기물 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 무기물 발광 다이오드의 제조방법은 반도체 결정층의 반도체 발광물질의 특성을 유지할 수 있는 방법으로 무기물 발광 다이오드를 제조할 수 있으며, 안정하게 구동되고, 발광효율이 높은 무기물 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
무기물 발광 다이오드, 비정질 무기 전자수송층, 반도체 결정층-
公开(公告)号：KR1020100091582A
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：KR1020090010847
申请日：2009-02-11
CPC classification number: H05K1/162 , C08G59/4215 , C08G59/686 , C08K3/04 , C08L63/00 , H01G4/206 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H05K2201/0323 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A carbon/epoxy resin composition and a manufacturing method of a carbon-epoxy dielectric film using thereof are provided to use the composition for manufacturing various semiconductors including a built-in capacitor. CONSTITUTION: A carbon/epoxy resin composition contains the following: 45~50vol% of epoxy compound including a bisphenol-based epoxy compound and an alicyclic epoxy compound; 2.0~3.1vol% of carbon black; 80~104 parts of acid anhydride by volume, for 100 parts of epoxy compound by volume; and 1~3 parts of tertiary alkylamine hardening catalyst, for 100 parts of epoxy compound by volume.
Abstract translation: 目的：提供一种碳/环氧树脂组合物及其使用的碳 - 环氧电介质膜的制造方法，以使用用于制造包括内置电容器的各种半导体的组合物。 构成：碳/环氧树脂组合物含有以下物质：45〜50体积％的环氧化合物，包括双酚型环氧化合物和脂环族环氧化合物; 2.0〜3.1vol％的炭黑; 80〜104份酸酐体积，100份环氧化合物按体积计; 和1〜3份叔烷基胺硬化催化剂，按体积计100份环氧化合物。
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