公开(公告)号：KR1020060003425A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020040052306

申请日：2004-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/741

Abstract: 도금을 이용하여 도전 패드들 간을 연결하는 방법 및 이에 의한 도전 패드들 간의 연결 구조체를 제시한다. 본 발명에 따르면, 도전성의 제1패드가 형성된 제1모재를 준비하고, 제1패드 표면에 활성화된 촉매면이 형성되게 활성화 처리한다. 도전성의 제2연결 패드가 형성된 제2모재를 준비하고, 제2패드 표면에 활성화된 촉매면이 형성되게 활성화 처리한다. 제1패드 상에 제2연결 패드가 대향되게 정렬하고, 제1패드와 제2패드를 연결시키는 도전성의 도금층을 무전해 도금한다.
패키지, 칩 말림, 열 이력, 무전해 도금, 패드 접속 연결

公开(公告)号：KR100468663B1

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：KR1019960065511

申请日：1996-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호

IPC: G11B5/62

Abstract: 일정 각속도 제어 방식에 적합한 동기 신호를 가지는 디스크에 관한 것이다.
본 발명에 따른 컴팩트 디스크는 스파이럴 상으로 형성된 트랙들을 가지는 컴팩트 디스크에 있어서, 상기 트랙은 소정의 간격으로 배열되며 일정 선속도 제어를 위한 제1동기신호가 기록된 제1영역; 및 일정 각속도 제어를 위한 제2동기 신호가 기록된 제2영역을 구비하며, 여기서, 상기 제1영역 및 제2영역은 상기 컴팩트 디스크의 트랙 방향으로 교번적으로 배치되되어 있고, 상기 제2영역은 디스크의 방사선 방향으로 일직선으로 배열된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 컴팩트 디스크는 디스크의 방사선 방향으로 일정 각속도 방식에 적합한 동기 신호를 기록함으로써 컴팩트 디스크 플레이어가 디스크로부터 검출된 동기 신호에 의해 정확한 회전 제어를 가능하게 하는 효과를 가진다.

公开(公告)号：KR1020040074681A

公开(公告)日：2004-08-26

申请号：KR1020030010052

申请日：2003-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: An In-situ chamber cleaning method and a semiconductor wafer process system using the same are provided to clean a deposit of a high-dielectric layer formed on an inner wall of a chamber in a deposition process of an aluminum oxide layer or a hafnium oxide layer by using an in-situ chamber cleaning method. CONSTITUTION: A protective layer is selectively deposited on a surface of a chamber(200). A deposit of a high-dielectric layer is formed within the chamber including the selective protection layer(300). A control gas including BCl3 and insert gas is injected into the chamber(400). The control gas is changed into plasma state by adding energy to the control gas(500). The deposit of the high-dielectric layer is cleaned by using the plasma of the control gas(600). The high-dielectric layer is formed with one of an aluminum oxide layer, a hafnium oxide layer, and a complex layer of the aluminum oxide layer and the hafnium oxide layer.

Abstract translation: 目的：提供原位室清洁方法和使用其的半导体晶片处理系统，以清洁在氧化铝层或铪的沉积过程中形成在室内壁上的高电介质层的沉积物 氧化物层通过使用原位室清洁方法。 构成：保护层选择性地沉积在室（200）的表面上。 在包括选择保护层（300）的腔室内形成高电介质层的沉积物。 将包括BCl 3和插入气体的控制气体注入到室（400）中。 通过向控制气体（500）中添加能量，将控制气体变为等离子体状态。 通过使用控制气体的等离子体（600）清洁高电介质层的沉积。 高电介质层由氧化铝层，氧化铪层和氧化铝层和氧化铪层的复合层中的一个形成。

公开(公告)号：KR1020030031792A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：KR1020010063674

申请日：2001-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호

IPC: H01L21/22

Abstract: PURPOSE: A wafer boat of a semiconductor fabrication apparatus is provided to reduce a contact area between a wafer and slots, improve the quality of a layer formed on the wafer, and prevent errors of the wafer due to particles by contacting only three slots with the wafer to support the wafer, stably. CONSTITUTION: A wafer boat(20) includes three rods(12), an upper support plate(13), and a lower support plate(14). A groove type slot(11) is formed on the rod(12). A wafer(2) is inserted into the groove type slot(11) of the rod(12). The upper support plate(13) and the lower support plate(14) are connected with upper portions and lower portions of the rods(12). The rods(12), the upper support plate(13), and the lower support plate(14) are formed with quartz material.

Abstract translation: 目的：提供半导体制造装置的晶片舟，以减少晶片和槽之间的接触面积，提高在晶片上形成的层的质量，并通过仅将三个槽与 晶圆支撑晶圆，稳定。 构成：晶片舟（20）包括三个杆（12），上支撑板（13）和下支撑板（14）。 在杆（12）上形成槽型槽（11）。 将晶片（2）插入到杆（12）的凹槽型槽（11）中。 上支撑板（13）和下支撑板（14）与杆（12）的上部和下部连接。 杆（12），上支撑板（13）和下支撑板（14）由石英材料形成。

公开(公告)号：KR100306822B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019980049409

申请日：1998-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호

IPC: H01L21/31

Abstract: 목적: 히터코일이 열적으로 변형되어 가열로 내벽에 침입함에 따라 가열로의 내벽이 파손되는 것을 사전에 방지할 수 있는 히터코일 변형에 의한 가열로 내벽의 파손방지를 위한 점검 방법을 제공한다.
구성: 본 발명은 도전재로 형성되며 표면 절연 코팅된 가열로 내벽과 단열 및 절연된 가열로 외벽 사이로 개설되며, 제 1 코일로부터 제 n 코일까지 순차 접속되는 히터코일을 보유하는 가열로에 있어서, 상기 히터코일의 변형에 따른 상기 가열로 내벽과의 단락 여부 및 단락 부위를 점검하기 위한 방법으로서, 상기 가열로 내벽과 전기적으로 접속되는 커먼단자를 마련하고, 이 커먼단자를 중심으로 상기 제 1 코일로부터 제 n 코일까지 각 코일의 단자들과의 전기특성치를 측정하는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 전기특성치는 상기 히터코일의 전압 비인가상태에서 측정되는 저항값이거나, 상기 히터코일의 전압 인가상태에서 측정되는 전압값이다.
효과: 히터코일을 이루는 권선들이 변형되어 가열로의 내벽을 파고드는 변형초기에 그 징후를 손쉬운 점검에 의해서 확인할 수 있도록 한다. 따라서, 정비에 소요되는 시간이나 부품 비용을 줄일 수 있고 공정상의 온도 프로파일의 실패로 인한 불량 제품의 생산을 사전에 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000050481A

公开(公告)日：2000-08-05

申请号：KR1019990000396

申请日：1999-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재순 ,  김영관 ,  이종호 ,  이상인

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for preparing a thin film by reacting a first reactant and second reactant well is provided which gives a stoichiometric thin film having high and excellent film density. CONSTITUTION: A method comprises the steps of chemically absorbing a first reactant on a substrate by pouring the first reactant in a substrate-containing chamber; removing the first reactant which is physically absorbed on a chemically absorbed first reactant; forming a substance film by pouring gas containing an element having a large attraction to a second reactant to be provided thereafter in the chamber in which the first reactant is removed and reacting with the chemically absorbed reactant; chemically absorbing the first reactant on the substance film by pouring the first reactant in the substance film -forming chamber; removing the first reactant physically absorbed on the chemically absorbed first reactant; and forming a solid film on the substance film by pouring the second reactant in the chamber and chemical substitution of the first reactant and second reactant.

Abstract translation: 目的：提供通过使第一反应物和第二反应物井反应制备薄膜的方法，其产生具有高且优异的膜密度的化学计量薄膜。 构成：一种方法包括以下步骤：通过将第一反应物倒入含基底的腔室来化学吸收基底上的第一反应物; 去除物理吸收在化学吸收的第一反应物上的第一反应物; 通过将含有具有大吸引力的元素的气体倾倒到之后提供的第二反应物的气体中形成物质膜，其中除去第一反应物并与化学吸收的反应物反应; 通过将第一反应物倾倒在物质成膜室中来化学吸收物质膜上的第一反应物; 去除物理吸收在化学吸收的第一反应物上的第一反应物; 以及通过将所述第二反应物倒入所述室中并在所述第一反应物和第二反应物进行化学取代而在所述物质膜上形成固体膜。

公开(公告)号：KR1020000032812A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980049409

申请日：1998-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A method for preserving a heater inner wall against heater coil deformation is provided to acknowledge deformation of the heater inner wall at the first place, to prevent the heater inner wall from being destructed due to the heater coil deformation. CONSTITUTION: A method for preserving a heater inner wall against heater coil deformation includes first through steps. At the first step, A heater inner wall(24) formed with a conductive material(244) whose surface is insulated is provided. At the second step, a heater coil(30) is implemented between the heater inner wall(24) and a heater outer wall(22). The heater coil is connected from a first coil(L1) through nth coil(Ln). At the third step, a common terminal(Pc) connecting electrically to the heater inner wall is provided. At the forth step, probing the terminals of each coils(P1-Pn) is performed.

Abstract translation: 目的：提供一种防止加热器内壁对加热器线圈变形的保护方法，以确认加热器内壁在第一位置处的变形，以防止加热器内壁由于加热器线圈变形而被破坏。 构成：用于保护加热器内壁以防止加热器线圈变形的方法包括第一步骤。 在第一步骤中，提供形成有表面绝缘的导电材料（244）的加热器内壁（24）。 在第二步骤中，加热器线圈（30）被设置在加热器内壁（24）和加热器外壁（22）之间。 加热器线圈从第一线圈（L1）到第n线圈（Ln）连接。 在第三步骤中，提供与加热器内壁电连接的公共端子（Pc）。 在第四步，检测各线圈（P1-Pn）的端子。

公开(公告)号：KR1020000026754A

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019980044416

申请日：1998-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: An ozone ashier is provided to easily separate or couple an exhaust line, and to prevent damage of a connected part when separating or coupling the exhaust line. CONSTITUTION: An ozone ashier(10) progressing an asking process comprises a chamber, a catalytic destroyer(50), and an exhaust line. The catalytic destroyer destroys gas exhausted from the chamber. The exhaust line is connected between the chamber and the catalytic destroyer, and makes gas flow to the catalytic destroyer from the chamber. The ozone ashier connects and separates the exhaust line by setting up a quick coupling on the exhaust line. A socket(40) of the quick coupling is set up in the exhaust line connected to the chamber, and a plug(65) coupled to the socket is set up in the exhaust line connected to the catalytic destroyer. A connecting part for connecting the catalytic destroyer and the chamber in the exhaust line is polytetrafluoethylene.

Abstract translation: 目的：提供臭氧消音器以便于分离或联接排气管线，并防止连接部件在分离或连接排气管线时损坏。 构成：进行询问过程的臭氧气体（10）包括室，催化驱逐器（50）和排气管。 催化驱逐器破坏从室排出的气体。 排气管连接在室和催化破坏器之间，并使气体从腔室流向催化驱逐器。 臭氧层通过在排气管上设置快速接头来连接和分离排气管。 快速联接器的插座（40）设置在连接到腔室的排气管线中，并且在连接到催化破坏器的排气管线中设置连接到插座的塞子（65）。 用于连接催化破坏器和排气管线中的室的连接部分是聚四氟乙烯。

公开(公告)号：KR1020000013654A

公开(公告)日：2000-03-06

申请号：KR1019980032638

申请日：1998-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호 ,  김영관 ,  이상민 ,  최성제

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a capacitor having an AL2O3/ALN(Alumina/Aluminium Nitride) mixed dielectric layer is provided to obtain a stable high dielectric layer which does not react on polysilicon in a succeeding thermal process without changing a structure of the capacitor. CONSTITUTION: The manufacturing method of the capacitor comprises the step of using a mixed dielectric layer composed of either AL2O3/ALN or ALN/AION(Aluminium Nitride) as a dielectric material between capacitor electrodes by utilizing an ALD(Atomic Layer Deposition) process so that good step coverage with no chemical reaction can be obtained even if conductive polysilicon is used as capacitor electrodes.

Abstract translation: 目的：提供具有AL2O3 / ALN（氧化铝/氮化铝）混合电介质层的电容器的制造方法，以获得在后续热处理中不反应多晶硅的稳定的高介电层，而不改变电容器的结构。 构成：电容器的制造方法包括：通过利用ALD（原子层沉积）工艺，使用由AL 2 O 3 / ALN或ALN / AION（氮化铝）组成的混合电介质层作为电容器电极之间的介电材料的步骤，使得 即使使用导电多晶硅作为电容器电极，也可以获得没有化学反应的良好的阶梯覆盖。

公开(公告)号：KR1020000007465A

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR1019980026828

申请日：1998-07-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종호 ,  박창수

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method of forming a capacitor is provided to prevent an increase of leakage currents occurred by lack of oxygen. CONSTITUTION: The method comprises the steps of; loading a semiconductor substrate, having a dielectric film formed with high dielectric material containing oxygen, in a process chamber; delivering a first source gas containing oxygen in the chamber; purging the first gas; delivering a second source gas containing titanium in the chamber; reacting the second gas with the first gas; purging the second gas; delivering a third source gas containing nitrogen in the chamber; reacting the third gas with the first and second gas adsorbed on the substrate, forming a titaniumoxynitride film on the dielectric film; purging the third gas; delivering the second gas in the chamber; purging the second gas; delivering the third gas in the chamber; and reacting the third gas with the second gas absorbed on the titaniumoxynitride film, forming a titaniumnitride film.

Abstract translation: 目的：提供一种形成电容器的方法，以防止缺氧引起的漏电流增加。 构成：该方法包括以下步骤： 在处理室中加载具有由含有氧的高介电材料形成的电介质膜的半导体衬底; 在所述室中输送含有氧的第一源气体; 清洗第一气; 在室中输送含钛的第二源气体; 使第二气体与第一气体反应; 清除第二气体; 在室中输送含有氮的第三源气体; 使第三气体与吸附在基板上的第一和第二气体反应，在电介质膜上形成钛氧氮化物膜; 清除第三气; 在室中输送第二气体; 清除第二气体; 在室中输送第三气体; 并使第三气体与吸收在钛氧氮化物膜上的第二气体反应，形成氮化钛膜。