公开(公告)号：KR1020170063092A

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：KR1020150169058

申请日：2015-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드

Inventor： 임재순 ,  란살롯클레망 ,  노원태 ,  박규희 ,  조윤정 ,  리에프리지줄리앙 ,  이주호

IPC: H01L21/02 ,  C07F9/00 ,  H01L21/70

CPC classification number: C07F17/00 ,  C09D5/24 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10879 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795

Abstract: 다음식 Nb(RCp)(L) (식중, 각각의 R 은독립적으로 H, C1 내지 C6의알킬기, 또는 RSi 이고, 여기서, 각각의 R은독립적으로 H 또는 C1 내지 C6의알킬기이고, Cp는시클로펜타디에닐기이고, L 은포름아미디네이트 (N-fmd), 아미디네이트 (NR''-amd), 및구아니디네이트 (N, N-gnd) 중에서선택됨)의니오븀화합물을포함하는전구체조성물과반응물을공급하여니오븀함유막을형성한다.

Abstract translation: 和食品的Nb（RCP）（L）（式中，各R独立地为H，C1至C6的烷基，或RSI，其中每个R独立地是烷基的H或C1至C6的基团，Cp是一个环烷基 戊二烯基和基团，L eunpo reumah MIDI碳酸盐（N-FMD），脒基碳酸酯（NR '' - AMD），mitgu没有二碳酸酯前体的组合物包括选自以下的铌化合物（N，N-GND））和 进料反应物以形成含铌膜。

公开(公告)号：KR1020170006205A

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：KR1020150096785

申请日：2015-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  가부시키가이샤 아데카

Inventor： 박규희 ,  사토하루요시 ,  야마다나오키 ,  우치우조히로유키 ,  김윤수 ,  임재순 ,  조윤정

IPC: C07F5/00 ,  C07F7/10 ,  H01L21/02

CPC classification number: C07F7/10

Abstract: 란타넘트리스(비스(트리알킬실릴)아미드) (lanthanum tris[bis(trialkylsilyl)amide]) 착체와, 알킬시클로펜타디엔 (alkylcyclopentadiene)을반응시켜 Si 함유중간체를형성하고, Si 함유중간체와카보디이미드계화합물을반응시켜란타넘화합물을형성한다.

Abstract translation: 通过使三[双（三烷基甲硅烷基）氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应合成含硅中间体。 通过使含硅中间体与二烷基脒基化合物反应来合成镧化合物。

公开(公告)号：KR101607263B1

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：KR1020090009875

申请日：2009-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  최재형 ,  조규호 ,  김완돈 ,  임재순 ,  강상열

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 본발명의반도체소자는반도체기판의상부에순차적으로형성된하부금속층, 유전층및 상부금속층을포함한다. 하부금속층과유전층사이의제1 부분, 유전층과상부금속층사이의제2 부분, 또는제1 및제2 부분모두에형성된삽입층을포함한다. 유전층은금속산화막으로이루어지고, 삽입층은금속물질막으로이루어진다. 삽입층을구성하는금속물질막의금속은상기유전층을구성하는금속산화막의금속과동일할수 있다.

公开(公告)号：KR1020110044489A

公开(公告)日：2011-04-29

申请号：KR1020090101193

申请日：2009-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정숙진 ,  최재형 ,  김윤수 ,  임재순 ,  강상열

IPC: H01L21/31 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L28/40

Abstract: PURPOSE: A semiconductor structure with a dielectric layer, capacitor using the same, and method for forming a semiconductor structure are provided to crystallize a dielectric layer by a low temperature heat process, thereby increasing a dielectric constant and reducing leaked currents. CONSTITUTION: A first crystallization seed layer(110) is formed on a lower conductive layer(100). A dielectric layer(120) is formed on the first crystallization seed layer. A second crystallization seed layer(130) is formed on the dielectric layer. An upper conductive layer(140) is formed on the second crystallization seed layer. The upper conductive layer is formed by the same material as the lower conductive layer.

Abstract translation: 目的：提供具有电介质层的半导体结构，使用该半导体结构的电容器和用于形成半导体结构的方法，以通过低温热处理使介电层结晶化，由此增加介电常数并减少漏电流。 构成：在下导电层（100）上形成第一结晶种子层（110）。 在第一结晶种子层上形成电介质层（120）。 在介电层上形成第二结晶种子层（130）。 在第二结晶种子层上形成上导电层（140）。 上导电层由与下导电层相同的材料形成。

公开(公告)号：KR1020100090534A

公开(公告)日：2010-08-16

申请号：KR1020090009875

申请日：2009-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  최재형 ,  조규호 ,  김완돈 ,  임재순 ,  강상열

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to reduce a current leakage by forming an insertion layer between a dielectric layer and an upper metal layer. CONSTITUTION: A lower metal layer(14), a dielectric layer(18), and an upper metal layer are successively formed on the upper side of a semiconductor substrate. Insertion layers(16a) are formed in a first part between the lower metal layer and the dielectric layer, a second part between the dielectric layer and the upper metal layer, or both of the first part and the second part. The dielectric layer is composed of a metal oxide film. The insertion layers are composed of a metal material film.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，通过在电介质层和上金属层之间形成插入层来减少电流泄漏。 构成：在半导体衬底的上侧依次形成下金属层（14），电介质层（18）和上金属层。 插入层（16a）形成在下金属层和电介质层之间的第一部分，介电层和上金属层之间的第二部分，或第一部分和第二部分两者之间。 电介质层由金属氧化物膜构成。 插入层由金属材料膜构成。

公开(公告)号：KR1020090053312A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020070120107

申请日：2007-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재형 ,  탁용석 ,  김영선 ,  조규호 ,  백은경 ,  김완돈 ,  임재순

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14621

Abstract: 컬러 필터 형성 방법 및 이를 이용한 이미지 센서 제조 방법에서, 상기 컬러 필터를 형성하기 위하여, 기판 상에 복수의 금속 산화막들 및 상기 금속 산화막들 사이에 개재되는 복수의 실리콘 산화막들이 적층된 예비 컬러 필터층을 형성한다. 상기 금속 산화막들과 상기 실리콘 산화막들 간의 굴절률 차이가 증가되도록 상기 예비 컬러 필터층을 열처리시켜 컬러 필터층을 형성한다. 상기 열처리를 통해 금속 산화막과 실리콘 산화막 간의 굴절률이 증가함으로써 높은 투과율을 갖고 혼색 및 감도가 개선된 컬러 필터를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080079514A

公开(公告)日：2008-09-01

申请号：KR1020070019815

申请日：2007-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광희 ,  조규호 ,  김윤수 ,  김기철 ,  최재형 ,  임재순

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve the efficiency of a process by using a source containing Sr(C5(CH3)5)2 when forming a conductive oxide layer of a Perovskite structure. A substrate(10) is prepared. A first source containing Sr(C5(CH3)5)2, a second source containing Ru, and reactive gas are supplied to the substrate to form a conductive oxide layer(45) of a Perovskite structure on the substrate. The second source is one selected from Ru(tmhd)3, Ru(mhd)3, Ru(od)3, Ru(cp)2, Ru(Mecp)2, and Ru(Etcp)2. The conductive oxide layer is SrRuO3. The reactive gas is O3, O2, or H2O. The supplying of the first source, the second source, and the reactive gas is performed by an ALD(Atomic Layer Deposition) method. Alternatively, the supplying of the first source, the second source, and the reactive gas is performed by a CVD(Chemical Vapor Deposition) method.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法，以在形成钙钛矿结构的导电氧化物层时，通过使用含有Sr（C5（CH3）5）2的源来提高工艺的效率。 制备基材（10）。 将含有Sr（C5（CH3）5）2，含有Ru的第二源和反应性气体的第一源供给到基板，以在基板上形成钙钛矿结构的导电氧化物层（45）。 第二来源是选自Ru（tmhd）3，Ru（mhd）3，Ru（od）3，Ru（cp）2，Ru（Mecp）2和Ru（Etcp）2。 导电氧化物层是SrRuO3。 反应气体为O3，O2或H2O。 第一源，第二源和反应气体的供应通过ALD（原子层沉积）方法进行。 或者，通过CVD（化学气相沉积）方法进行第一源，第二源和反应气体的供给。

公开(公告)号：KR100636023B1

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020050070798

申请日：2005-08-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  솔브레인 주식회사

Inventor： 조규호 ,  유승호 ,  김병수 ,  정재선 ,  임한진 ,  김기철 ,  임재순

IPC: C07C225/06

Abstract: Provided are a novel organometallic precursor which is improved in volatility and is excellent in the reactivity with an oxidant, and a method for preparing a thin film by using the organometallic precursor. The organometallic precursor comprises a metal; and a ligand represented by the formula 1, wherein R1 and R2 are identical or different each other and are H or a C1-C5 alkyl group. Preferably the metal of the organometallic precursor is any one selected from the group consisting of strontium (Sr), barium (Ba), calcium (Ca), magnesium (Mg) and beryllium (Be). The method comprises the steps of providing a reaction material which comprises a first organometallic precursor represented by the formula 1 and a second organometallic precursor containing a metal different from that of the organometallic precursor, and an oxidant to the upper part of a substrate; and reacting the provided one to form a thin film.

Abstract translation: 本发明提供一种挥发性得到改善并且与氧化剂的反应性优异的新型有机金属前体，以及使用该有机金属前体制备薄膜的方法。 有机金属前体包含金属; 和由式1表示的配体，其中R 1和R 2彼此相同或不同，并且是H或C 1 -C 5烷基。 优选有机金属前体的金属是选自锶（Sr），钡（Ba），钙（Ca），镁（Mg）和铍（Be）中的任何一种。 所述方法包括以下步骤：提供反应材料，其包含由式1表示的第一有机金属前体和含有与有机金属前体不同的金属的第二有机金属前体和氧化剂到基底的上部; 并使所提供的反应形成薄膜。

公开(公告)号：KR1020060013278A

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：KR1020040062173

申请日：2004-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기연 ,  정정희 ,  임재순 ,  정은애 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76862 ,  H01L27/10855

Abstract: 엠아이엠 캐패시터 제조 방법을 제공한다. 상기 엠아이엠 캐패시터 제조 방법은 층간 절연막을 관통하는 콘택 플러그를 형성하는 것을 구비한다. 상기 콘택 플러그 상부면에 타이타늄 실리사이드막을 형성한다. 상기 타이타늄 실리사이드막 형성 후 잔류된 티타늄을 질화 가스를 이용하여 플라즈마 처리한다. 상기 타이타늄 실리사이드막 상부에 잔존하는 자연 산화막 및 질화 처리에 의해 형성된 타이타늄질화막을 세정 공정을 진행하여 제거한다. 상기 세정 공정을 진행한 층간 절연막 상부에 식각 정지막 및 몰딩막을 차례로 형성한다. 상기 몰딩막을 패터닝하여 상기 콘택 플러그 상부의 상기 타이타늄 실리사이드막을 노출시키는 하부전극 콘택홀을 형성한다. 상기 하부전극 콘택홀의 내벽을 덮는 하부 전극을 형성한다. 상기 몰딩막을 제거하고, 상기 하부 전극을 덮는 유전막 및 상부 전극을 차례로 형성한다.
실리사이드, 오믹 콘택층, 습식 식각액, 침투

公开(公告)号：KR1020040033772A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：KR1020020063024

申请日：2002-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남갑진 ,  이승환 ,  김기철 ,  임재순 ,  김성태 ,  김영선

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/02186 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device and a manufacturing method thereof are provided to be capable of simultaneously improving dielectric and leakage current characteristics. CONSTITUTION: A semiconductor memory device is provided with a semiconductor substrate(100), a lower electrode(110) formed on the semiconductor substrate, and a dielectric layer(130) formed on the lower electrode. At this time, the dielectric layer is made of an oxide layer containing titanium and tantalum. At the time, the titanium concentration of the dielectric layer becomes different according to the thickness of the dielectric layer. The semiconductor memory device further includes an upper electrode(140) formed on the dielectric layer. Preferably, a reaction restraining layer(120) is located between the lower electrode and the dielectric layer for restraining the reaction of the dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供半导体存储器件及其制造方法，能够同时改善电介质和漏电流特性。 构成：半导体存储器件设置有半导体衬底（100），形成在半导体衬底上的下电极（110）和形成在下电极上的电介质层（130）。 此时，电介质层由含有钛和钽的氧化物层构成。 此时，电介质层的钛浓度根据电介质层的厚度而不同。 半导体存储器件还包括形成在电介质层上的上电极（140）。 优选地，反应抑制层（120）位于下电极和电介质层之间，用于抑制电介质层的反应。