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公开(公告)号：KR1019950023632A
公开(公告)日：1995-08-18
申请号：KR1019940000349
申请日：1994-01-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/46
Abstract: 본 발명은 위치변위시스템 및 유전체 공진기 재료로 사용되는 고주파 유전체 자기조성물에 관한 것이다. 본 발명의 유전체 자기조성물은 Zr
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x Sn
x TiO
4 계 조성으로서, 이때 x는 몰비로 0.1 ≤ x ≤ 0.4이며, 이는 산화지르코늄(ZrO
2 ), 산화티탄(TiO
2 ), 산화주석(SnO
2 )의 원료분말을 혼합하여 1000~1200℃에서 하소하여 분쇄한 후 소정형상으로 성형하여 1500~1800℃의 온도에서 소성한 다음 냉각공정중 1250~1400℃에서 어닐링하고, 어닐링 후 상온에 이르기까지 급냉하는 제조방법에 의해 제조된다. 본 발명의 고주파 유전체 자기조성물은 향상된 품질계수(Q)와 유전율(k)을 나타낸다.-
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公开(公告)号：KR1019940010559B1
公开(公告)日：1994-10-24
申请号：KR1019910015865
申请日：1991-09-11
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01G4/2325 , H01G4/302 , Y10T29/435
Abstract: The method for manufacturing accumulative ceramic capacitor which inserts fusion metal in air layer of ceramic dielectric and forms inner electrode by electrode insertion comprises the steps of: pasting and eliminating ceramic dielectric outer electrode before inserting a fusion metal for an inner electrode into an air layer; inserting the fusion metal through outer extended insertion path from the inner air layer of dielectric; and forming an inner electrode.
Abstract translation: 制造在陶瓷电介质的空气层中插入熔融金属并通过电极插入形成内部电极的累积陶瓷电容器的方法包括以下步骤：在将内部电极的熔融金属插入空气层之前，将陶瓷电介质外部电极粘贴和消除; 从融合金属的内部空气层插入熔融金属通过外部延伸插入路径; 并形成内部电极。
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公开(公告)号：KR1019940002185A
公开(公告)日：1994-02-16
申请号：KR1019920012913
申请日：1992-07-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B7/02
Abstract: 본 발명은 포틀랜드 시멘트의 제조방법에 관한 것으로, 특히 시멘트 클링커의 소성에너지를 절감할 수 있는 시멘트의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 일반적인 시멘트 원료조성에 석고와 헝석의 조합으로된 첨가제를 소량첨가하여 이같은 첨가제에 의해 클링커 소성시간의 단축이나 소성온도의 저하가 이루어지도록 한 것이다.
이같은 본 발명의 시멘트 제조방법은 많은 에너지를 필요로 하는 클링커 소성공정의 소성시간을 단축하거나 소성온도를 저하함에 따라 에너지의 절감이 이루어져 결과적으로는 시멘트 제조비용을 낮출 수 있는 효과가 있다.-
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100365294B1
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：KR1020000021259
申请日：2000-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 고주파용 유전체 세라믹스 조성물에 관한 것으로, 특히 기존의 고주파용 세라믹스 조성보다 매우 낮은 소결온도(925 ~ 1100℃)이면서도 높은 품질계수(Q×f=22,000∼100,000 GHz)와 유전상수(19≤ε
r ≤46) 및 안정된 온도계수 및조성에 따라 다양한 온도보상 특성(τ
f =-73 ∼+134 ppm/℃)의 우수한 고주파 유전특성이 ZnO-MO(M=Mg, Co, Ni)-TiO
2 와 같은 저가의 원료로 구현되는 것을 특징으로 하며, Ag이나 Cu 또는 이들의 합금 또는 Ag/Pd 합금을 내부전극으로 사용할 수 있어 각종 고주파용 소자 즉 적층칩 캐패시터, 적층칩 필터, 적층칩 캐패시터/인덕터 복합소자 및 모듈, 저온소결 기판, 공진기 또는 필터 및 세라믹 안테나용 유전체 재료로 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020020028281A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：KR1020000059210
申请日：2000-10-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01C7/115
Abstract: PURPOSE: A low temperature sintered SrTiO3 varistor-capacitor dual function device dielectric compound is provided to reduce a sintering temperature from 1400°C to 1200°C. CONSTITUTION: A low temperature sintered SrTiO3 varistor-capacitor dual function device dielectric compound is Sr(1-x-y)BaxCayTiO3. The basic material powder is subjected to wet milling for 24 hours after Nb2O5 is added for increasing conductivity of grain. The basic material powder is dried and PVA(poly-vinyl alcohol) of 2 mol% is added, after wet ball milling. Molding is carried out at 100MPa. The molded sample is sintered in a reduction furnace with N2 and H2 gas of 90 to 10 mixture ratio. The sintered sample is re-oxidized at 900°C to oxidize grain boundary and sample surface so as to form a high resist layer. On the re-oxidized sample, outer electrodes are formed by thermally processing Ag electrodes.
Abstract translation: 目的：提供低温烧结SrTiO3变阻器 - 电容器双功能器件电介质化合物，以将烧结温度从1400℃降低到1200℃。 构成：低温烧结SrTiO3变阻器 - 电容器双功能器件介电化合物为Sr（1-x-y）BaxCayTiO3。 在添加Nb2O5后，将基本材料粉末进行湿磨24小时，以增加晶粒的电导率。 将基本材料粉末干燥，湿球磨后加入2mol％的PVA（聚乙烯醇）。 成型时间为100MPa。 将模制样品在还原炉中烧结，其中N 2和H 2气体的混合比为90至10。 烧结的样品在900℃下再氧化，氧化晶界和样品表面，形成高抗蚀剂层。 在再氧化样品上，通过热处理Ag电极形成外电极。
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