Abstract:
receptacles for storing cooling liquid nitrogen for cooling various components including an insulating dewar; the insulating dewar made of a good thermal conductivity and having a high frequency housing on the an interior thereof, at which a vacuum state is easily maintained in order to avoid an influence on the components due to the cooling liquid nitrogen, the insulating dewar being coupled to the outside by ways of various cables and pipe lines; a base plate installed on an upper portion of the receptacles, for supporting the various cables and pipe lines as well as the insulating dewar.
Abstract:
본 발명은 고온초전도 박막표면의 평탄화에 관한 것으로, 특히 증착박막 표면상에 존재하는 표면입자 밀도를 낮추는 공정을 포합하는 비연속회전 타깃을 이용한 펄스레이저를 사용한 YBa 2 Cu 3 O 7-x 고온초전도 박막의 제조방법에 관한 것으로르, YBa 2 Cu 3 O 7-x 박막표면상의 표면입자 밀도의 제어방법을 표면이 연마된 YBa 2 Cu 3 O 7-x 소결체 타깃을 일정한 속도로 연속회전시키면서 펄스레이저를 조사시키지 않고, 고정된 타깃의 한 지점에서 돌기가 형성되기 직전까지의 입사수만큼 조사시킨 후, 타깃을 일정한 회전각도 만큼 회전시켜 새로운 지점에서 동일한 입사수로 다시 펄스레이저를 조사시키는 공정을 순차적으로 반복하도록 함을 특징으로 하는 것이다.
Abstract:
본 발명은 산소압력조절에 의한 펄수레이저의 중착 YBa 2 Cu 2 O 7-X 고온 초전도 박막의 표면입자밀도 제어방법에 관한 것으로서 종래에 제조된 박막표면에 많은 표면입자들이 존재하게 되어 박막표면의 평탄화에 악영향을 주는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 YBa 2 Cu 2 O 7-X 타킷표면에 조사되어 표면물질의 방출에 의해 폴륨이 형성될 때, 산소압력을 변화시켜 폴륨의 모양을 조절하여 중착지점에서의 거대 입자 밀도를 최소화시키는 공정을 제공함으로써 박막의 표면입자 밀도를 제어할 수 있게 한다.
Abstract:
The excimer laser deposition device includes a target attacher port, a substrate heater shifting device, a deposition room having a laser incidence window, a vacuum ventilator capable of obtaining a vacuum ratio of 1 X 10-7 Torr to ventilate a mass spectrograph; and a gas supplying device capable of controlling the oxygen pressure from hundreds of mTorr to hundreds of Torr.
Abstract:
본 발명은 이동통신 및 위성통신용 고주파 수동소자의 한 종류로서, 고온초전도 에피박막을 이용하여 개발한 고주파용(-10㎓) 고온초전도 3극 대역통과 여파기(YBa 2 Cu 3 O 7-x /MgO/Au구조)에 관한 것으로, 소자의 회로패턴을 제작하기에 앞서 시뮬레이선(模擬實驗)으로 최적회로패턴을 설계하며, 고온 초전도 박막의 습식식각에 의한 초전도성의 열화를 최소화하기 위해, 펄스레이저증착(pulsed laser deposition 또는 laser ablation)법을 응용한 금속마스크 형상화공정(laser ablation aided mask-patterning process)으로 유전체 단결정 MgO 기판(5) 위에 최적설계된 여파기 회로패턴을 직접형상화한후, 자체제작한 고주파 하우징(microwave housing 또는 jig)를 이용하여 이 소자의 고주파 특성을 측정함으로써 고온초전도체의 고주파 응용가능성을 타진하고 기존의 금속제(금,구리등) 고주 파수소자보다 성능이 우수한가를 살펴보았는바, 실제로 고온초전도체의 임계온도 이하에서는 금속박막형 소자보다 훨씬 우수한 고주파 특성을 보여 주었다.
Abstract:
본 발명은 고온초전도 수동소자(박막형) 및 고온초전도 박막형 안테나 등의 활용되는 X-밴드(band)(10GHz)용 고온 초전도 공진기 고주파하우징의 제작방법에 과한 것으로, 고주파 설계시스템(MDS)으로 구한 고온처전도공진기(resonator)의 최적크기를 유전체 단결정(MgO, LaAlO 위에 고온 초전도 박막을 증착하므로서 형사화하고(patering), 이렇게 제작된 공진기를 고주파 하우징(housing)에 넣어 고주파 부품(components)의 형태(jig)로 제작한 후, 이 고온 초전도 공진기의 고주파 특성(電波傳播特性, 손실, Q-factor등)을 알아보고자 하는 X-밴드(10GHz)용 고온초전도 공진기의 고주파하우징의 제작방법에 관한 것이다. 고온초전도 수동소자(박막형)의 개발 및 고온초전도 박막형 안테나 등의 개발에 크게 활용될 것이며, 호온초전도체를 이용한 고주파특성 측정기술 확보분만 아니라 (M)MIC등의 고주파전파특성을 향상시키기 위한 시놋재개발에도 크게 기여함과, 경박단소화된 고주파 수동소자 및 정보, 통신부품의 국산화에 크게 활용될 수 있는 것이다.