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公开(公告)号：KR1020130069061A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110136591
申请日：2011-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04B10/90
Abstract: PURPOSE: A terahertz transmitter is provided to minimize signal loss. CONSTITUTION: An optical oscillator(110) generates optical signals having different correlation. A modulator(120) modulates the optical signals. A pre-amplifier(130) amplifies the modulated optical signals. An optical mixer(140) generates a terahertz signal by mixing the amplified optical signals. A post-amplifier(150) amplifies the terahertz signal. The post-amplifier transmits the amplified terahertz signal through an antenna. [Reference numerals] (110) Optical oscillator; (120) Modulator; (130) Pre-amplifier; (140) Optical mixer; (150) Post-amplifier
Abstract translation: 目的：提供太赫兹发射器以最小化信号损失。 构成：光学振荡器（110）产生具有不同相关性的光信号。 调制器（120）调制光信号。 前置放大器（130）放大经调制的光信号。 光混合器（140）通过混合放大的光信号产生太赫兹信号。 后置放大器（150）放大太赫兹信号。 后置放大器通过天线发射放大的太赫兹信号。 （110）光学振荡器; （120）调制器; （130）前置放大器; （140）光学混合器; （150）后置放大器
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公开(公告)号：KR1020120036745A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：KR1020110097510
申请日：2011-09-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01Q1/364 , G01J3/0208 , G01J3/0229 , G01J3/42 , H01Q15/02 , H01Q15/08 , H01Q19/062
Abstract: PURPOSE: A condenser lens integrated photoconductive antenna element and a manufacturing method thereof are provided to simplify the entire manufacturing process by directly evaporating a poly-crystal GaAs thin film on a silicon condenser lens. CONSTITUTION: A photoconductor thin film(202) is evaporated on a condenser lens(201). The condenser lens comprises high-resistivity silicon. The photoconductor thin film comprises poly-crystal GaAs. A metal electrode(203) for a photoconductive antenna is formed on the photoconductor thin-film. The condenser lens and the photoconductor thin film are formed into one body. A sample holder accepts the condenser lens. The sample holder comprises a mounting part in which the condenser lens is mounted, and a cover having a penetration hole in which the condenser lens is inserted.
Abstract translation: 目的：提供聚光透镜集成光电导天线元件及其制造方法，以通过在硅聚光透镜上直接蒸发多晶GaAs薄膜来简化整个制造过程。 构成：光电导体薄膜（202）在聚光透镜（201）上蒸发。 聚光透镜包括高电阻率硅。 光电导体薄膜包括多晶GaAs。 在感光体薄膜上形成用于光电导天线的金属电极（203）。 聚光透镜和感光体薄膜形成为一体。 样品架接收聚光透镜。 样品架包括其中安装聚光透镜的安装部分和具有插入聚光透镜的穿透孔的盖。
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公开(公告)号：KR100953560B1
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：KR1020070131985
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 본 발명은 테라헤르츠파 소자의 테스트 지원 장치에 관한 것으로, 테스트할 테라헤르츠파 소자를 실장한 소자 기판을 고정하는 지지대; 상기 지지대의 상부에 위치되어 폴더 방식으로 개폐되는 브라켓; 및 상기 브라켓상에 고정 배치되며, 상기 브라켓이 닫힘 상태일 때 상기 소자 기판에 접촉하여 상기 테라헤르츠파 소자와 전기적으로 연결되는 프로브 핀들을 구비하는 프로브 기판을 포함하여 구성되며, 이에 의하여 보다 용이하고 간편하게 테스트를 수행하고 테스트 수행 후에도 재사용될 수 있도록 지원한다.
테라헤르츠파, 테스트-
公开(公告)号：KR100907823B1
公开(公告)日：2009-07-14
申请号：KR1020070128991
申请日：2007-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L31/02325
Abstract: There is provided a packaging apparatus of a terahertz device, the apparatus including: a terahertz device having an active region at which terahertz wave is radiated or detected; a device substrate mounting the terahertz device whose active region is positioned at an opening region formed at the center of the device substrate, and electrically connecting the terahertz device and an external terminal to each other; a ball lens block arranged and fixed to an upper part of the terahertz device; and upper and lower cases receiving the device substrate mounted with the terahertz device therein and opening region vertical upper and lower portions of the active region of the terahertz device.
Abstract translation: 提供了一种太赫兹装置的包装装置，该装置包括：具有辐射或检测太赫兹波的有源区的太赫兹装置; 安装太赫兹器件的器件基板，其有源区域位于形成在器件基板的中心的开口区域，并将太赫兹器件和外部端子彼此电连接; 布置并固定到太赫兹装置的上部的球形透镜块; 以及容纳安装有太赫兹装置的装置基板的上壳体和下壳体以及太赫兹装置的有源区域的开口区域垂直上下部分。
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公开(公告)号：KR1020090064694A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070131985
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: An apparatus for supporting a test of a terahertz device is provided to easily test an operation property of a terahertz device by coupling probe pins connected to the terahertz device with an external terminal connected to a test system. A terahertz device(20) is positioned in a device substrate(40). The device substrate is supported by a supporting stand(31). A bottom bracket(32) is positioned on a top part of the supporting stand, and fixes the device substrate. One side of a top bracket(33) is coupled with the bottom bracket. A probe substrate including a first probe pin and a second probe pin(35-1) is fixed to a top part of the top bracket. The first probe pin and the second probe pin are connected to the terahertz device. The probe pins are fixed to the probe substrate. The probe pins are coupled with an external terminal(50) connected to an external test system.
Abstract translation: 提供了一种用于支持太赫兹器件测试的装置，以便通过将连接到太赫兹器件的探针连接到连接到测试系统的外部端子来容易地测试太赫兹器件的操作属性。 太赫兹器件（20）位于器件衬底（40）中。 装置基板由支撑架（31）支撑。 底托架（32）定位在支撑台的顶部，并固定装置基板。 顶部支架（33）的一侧与底部支架相连接。 包括第一探针和第二探针（35-1）的探针基板固定到顶托架的顶部。 第一个探针和第二个探针连接到太赫兹器件。 探针固定在探针基板上。 探针与与外部测试系统连接的外部端子（50）耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100785797B1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：KR1020060096435
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: An optical disc drive adapter is provided to drive a super small-size disc at an optical disc drive of a standard size. An optical disc drive adapter comprises a first rotating unit(110), a second rotating unit(120), a power transfer unit(130), and a housing(160). The first rotating unit is positioned at the center portion of an optical disc drive and equipped with a turntable loaded to mount a standard-size optical disc. The second rotating unit is positioned at a side of the first rotating unit and equipped with a turntable loaded to mount a super small-size disc(140). The power transfer unit is positioned between the first and second rotating units to transfer rotating power between the first and second rotating units. The housing supports the rotation of the first and second rotating units and the power transfer unit at a fixed position, keeping the entire shape of the first and second rotating units and the power transfer unit. The sizes and the rotating directions of the first and second rotating units are the same.
Abstract translation: 提供了一种光盘驱动器适配器，以在标准尺寸的光盘驱动器上驱动超小型光盘。 光盘驱动器适配器包括第一旋转单元（110），第二旋转单元（120），动力传递单元（130）和壳体（160）。 第一旋转单元位于光盘驱动器的中心部分，并配备有转盘，以装载标准尺寸的光盘。 所述第二旋转单元位于所述第一旋转单元的一侧，并配备有装载以安装超小型盘（140）的转台。 动力传递单元位于第一和第二旋转单元之间，以在第一和第二旋转单元之间传递旋转动力。 壳体支撑第一和第二旋转单元和动力传递单元在固定位置的旋转，保持第一和第二旋转单元和动力传递单元的整体形状。 第一和第二旋转单元的尺寸和旋转方向相同。
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公开(公告)号：KR1020070061277A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060081834
申请日：2006-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A ferroelectric coupled line phase shifter using a common radial stub is provided to reduce the dimension by configuring DC voltage applying circuits commonly using a short circuit portion of microwave regions of radial stubs. A ferroelectric coupled line phase shifter includes plural first micro strip lines(320a), plural second micro strip lines(325a), radial stubs(310a,310b,310c) of a sector shape, and plural coupled lines(330a) serving as a band pass variable filter according to applied DC voltage. One side of each first micro strip line is connected to apexes of radial stubs to configure plural DC voltage applying circuit for applying a DC voltage to a ferroelectric thin film, and the other side is connected to each second micro strip lines.
Abstract translation: 提供使用公共径向短截线的铁电耦合线路移相器，通过配置通常使用径向短截线的微波区域的短路部分的直流电压施加电路来减小尺寸。 铁电耦合线相移器包括多个第一微带线（320a），多个第二微带线（325a），扇形形状的径向短截线（310a，310b，310c）和用作带的多个耦合线（330a） 根据施加的直流电压通过可变滤波器。 每个第一微带线的一侧连接到径向短截线的顶点，以配置用于向铁电薄膜施加直流电压的多个直流电压施加电路，并且另一侧连接到每个第二微带线。
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公开(公告)号：KR1020070054551A
公开(公告)日：2007-05-29
申请号：KR1020060042011
申请日：2006-05-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B5/39
Abstract: 자구의 크기를 안정적으로 줄일 수 있는 수직자화를 이용한 자기저항 메모리 및 그 제조방법을 제시한다. 그 메모리 및 제조방법은 두께방향을 따라 수직으로 자화되는 자구를 갖는 적어도 2층의 자성층 중의 적어도 하나의 자성층의 일면에 배치되며, 적어도 하나의 자성층을 이루는 원소 중에 적어도 하나의 원소를 포함하여 자성층과 교환 커플링을 형성하는 하지층을 포함한다.
수직자화, 메모리, 자구, 커플링-
公开(公告)号：KR1020070049927A
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050107237
申请日：2005-11-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 절연막의 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 원자층 증착법으로 알루미늄과 타이타늄을 포함하는 절연막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 절연막 형성방법은 플라즈마 원자층 증착법으로 알루미늄 전구체를 포함하는 반응기체를 박막으로 증착하는 제 1 단계, 및 플라즈마 원자층 증착법으로 타이타늄 전구체를 포함하는 반응기체를 박막으로 증착하는 제 2 단계를 각각 적어도 한번 이상 포함하는 것을 특징으로 한다.
플라즈마, 원자층, ALD, 절연막, 타이타늄, 알루미늄-
公开(公告)号：KR100714125B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020060001677
申请日：2006-01-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L49/003
Abstract: 본 발명은 정격신호전압보다 낮은 잡음신호를 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로 및 그 회로를 포함한 전기전자시스템을 제공한다. 그 잡음 방지 회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 직렬 연결된 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 포함한다. 본 발명은 소정 전압에서 급격한 금속-절연체 전이 특성을 갖는 급격한 MIT 소자를 전기전자시스템에 직렬로 연결함으로써, 저전압 잡음을 효과적으로 제거할 수 있다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로, 노이즈 필터
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