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公开(公告)号：KR1020130128131A
公开(公告)日：2013-11-26
申请号：KR1020120051955
申请日：2012-05-16
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 서정대
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0324 , C23C14/14 , C23C14/5866 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: Provided are a method for manufacturing a light absorption layer with excellent surface flatness and high density, and a method for manufacturing a solar cell using the same. A single target made of a metal composition is provided. A metal precursor thin film of a single layer is formed on a substrate by using the single target. A selenization process is performed on the metal precursor thin film to manufacture a light absorption layer. [Reference numerals] (S10) Provide a single target made of a metal composition;(S20) Produce a metal precursor thin film using the single target;(S30) Perform a peripheral high-pressure selenization process to produce a light absorption layer
Abstract translation: 提供一种具有优异的表面平坦度和高密度的光吸收层的制造方法，以及使用该方法的太阳能电池的制造方法。 提供了由金属组合物制成的单个靶。 通过使用单一靶，在基板上形成单层的金属前体薄膜。 对金属前体薄膜进行硒化处理以制造光吸收层。 （S10）提供由金属成分制成的单一靶材;（S20）使用单个靶材制造金属前体薄膜;（S30）进行周边高压硒化工序以产生光吸收层
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公开(公告)号：KR100609384B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020040011021
申请日：2004-02-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B5/31
Abstract: 본 발명은 박막 자기 헤드의 제조방법에 관한 것으로, 특히 초미세 자기재생 소자를 제작함에 있어 포토 레지스트의 플로우 공정을 적용하여 하드 마그네트층과 금속다층박막 사이를 분리시킴과 아울러 포토 레지스트를 이용하여 상부전극과 하부전극 사이를 절연시킴으로써, 제조공정을 단순화, 최적화할 수 있을 뿐만 아니라 제조공정의 시간을 효과적으로 단축시킬 수 있는 박막 자기 헤드의 제조방법을 제공한다.
박막 자기 헤드, 하부전극, 포토 레지스트 패턴, 금속다층박막, 하드 마그네트층, 상부전극-
公开(公告)号：KR100540595B1
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020030091013
申请日：2003-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B11/24
Abstract: 본 발명은 나비 넥타이형 안테나와 집광 회절격자를 이용하여 높은 집속효과와 회절한계(λ/2) 이하의 미세 초점을 구현할 수 있어 정보 용량의 대형화를 이룰 수 있는 새로운 구조의 광 정보 기록 헤드를 제공한다. 이를 통해, 정보 기록용량의 대형화를 만족시킬 수 있으며 광 정보 기록헤드의 소형화로 기록속도 향상을 이룰 수 있다.
나비 넥타이, 집광 회절 격자, 기록헤드-
公开(公告)号：KR100218690B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960052622
申请日：1996-11-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/316
CPC classification number: C23C14/28
Abstract: 본발명은 화학조성이 복잡한 각종 산화물 박막을 가장효율적으로 증착시키는 펄스 레이저 증착시 넓은 면적의 박막을 증착하기 위해 타깃 부착 방법을 변화시켜 대면적 박막을 증착할 수 있도록 한 대면적 산화물 박막용 레이저 증착 장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019990041057A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970061588
申请日：1997-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 입방정 YBa
2 Cu
3 Ox 박막을 장벽층으로 사용하여 초전도 접합을 형성하였다. 본 발명은 기판상에 제 1 YBCO 초전도 박막, SrTiO
3 절연층 박막을 형성하고 그들의 일측을 경사형으로 식각한 다음, 전면에 비초전도 입방정 YBCO 장벽박막, 제 2 YBCO 초전도 박막, SrTiO
3 보호층 박막을 차례로 적층하고, 이들을 제 1 YBCO 초전도 박막, SrTiO
3 절연층 박막의 식각된 부분의 반대측을 경사식각하고 상기 제 1 YBCO 초전도 박막, 제 2 YBCO 초전도 박막을 노출시키는 개구를 형성한 후, 상기 개구에 금속전극을 형성하여 초전도 접합을 제조하며, 이때 입방정 구조의 YBa
2 Cu
3 Ox 장벽 박막을, 600-650℃의 온도와 6.5-12.2nm/s의 증착속도로 증착하였다.-
Patent Agency Ranking6.发明授权
公开(公告)号：KR100163747B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950051469
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L39/2496 , Y10S505/702
Abstract: 본 발명은 터널형 조셉슨접합을 위한 산화물 고온초전도접합을 제조하는 공정과 관련된 고온초전도 박막/산화물 상전도박막/산화물 절연박막/고온초전도 박막/산화물 상전도박막의 층상구조로 구성된 a-축 수직 고온초전도 접합을 산화물 단결정기판위에 제조하는 방법에 관한 것으로서, 산화물 단결정기판을 800℃와 850℃ 사이의 온도에서 열처리한 후, 630℃와 650℃ 사이의 기판온도에서 상기 기판 상부에 제1층 산화물 상전도박막을 형성하는 제1단계와; 상기 산화물 결정기판의 온도를 750℃와 770℃ 사이로 승온한 후, 상기 제1층 산화물 상전도박막 상부에 제1층 a-축 수직배향 YBCO 고온초전도 박막을 증착하는 제2단계와; 상기 산화물 결정기판의 온도를 550℃와 600℃ 사이로 냉각하여 상기 제1층 a-축 수직배향 YBCO 고온초전도 박막위에 산화물 절연박막을 증착하는 제3단계와; 상기 산화물 결정기판의 온도를 630℃와 650℃ 사이로 승온한 후, 상기 산화물 절연박막 위에 제2층 비초전도 산화물 박막을 증착하는 제4단계와;, 상기 산화물 결정기판의 온도를 750℃와 770℃ 사이로 승온하여 상기 제2층 비초전도 산화물 박막위에 제2층 산화물 고온초전도박막을 증착하는 제5단계를 포함하여 이루어지며, a-축 수직배향을 갖는 고온초전도 다층박막구조와 a-축 수직배향 YBCO 고온초전도 박막의 b-축과 c-축이 기판표면에 평행하고 일정한 방향으로 정렬시킨 다층박막구조 및 77k 이상에서 초전도 특성을 나타내는 a-축 수직배향 고온초전도 접합 그리고, 고온초전도체의 전자소자 응용에 필수적인 a-축 수직배향 고온초전도 터널형 조셉슨접합을 얻을 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019980036296A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960054854
申请日：1996-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 펄스레이저를 이용한 YBa
2 Cu
3 O
7-x 고온 초전도 박막의 제조 방법에 관한 것으로, a-축 배향 YBa
2 Cu
3 O
7-x 초전도 박막을 LaSrGaO
4 (100) 단 결정 기판위에 고속 반복율을 이용한 펄스레이저 증착 방법으로 제조하였다. 본 발명에서 a-축 배향 YBa
2 Cu
3 O
7-x 초전도 박막은 700℃와 800℃ 사이를 유지하는 기판 온도와 100mTorr에서 300mTorr 사이를 유지하는 산소 압력 조건에서 증착하였다. 특히, 펄스레이저는 1J/cm
2 의 에너지 밀도를 타깃 표면에 조사하였고, 반복율은 10Hz에서 100Hz 사이의 고속 반복율을 유지하였다.-
公开(公告)号：KR1019970054312A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950051469
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 터널형 조셉슨접합을 위한 산화물 고온초전도접합을 제조하는 공정과 관련된 고온초전도 박막/산화물 상전도박막/산화물 절연박막/고온초전도 박막/산화물 상전도박막의 층상구조로 구성된 a-축 수직 고온초전도 접합을 산화물 단결정기판위에 제조하는 방법에 관한 것으로서, 산화물 단결정기판을 800℃와 850℃ 사이의 온도에서 열처리한 후, 630℃와 650℃ 사이의 기판온도에서 상기 기판 상부에 제1층 산화물 상전도박막을 형성하는 제1단계와; 상기 산화물 결정기판의 온도를 750℃와 770℃ 사이로 승온한 후, 상기 제1층 산화물 상전도박막 상부에 제1층 a-축 수직배향 YBCO 고온초전도 박막을 증착하는 제2단계와; 상기 산화물 결정기판의 온도를 550℃와 600℃ 사이로 냉각하여 상기 제1층 a-축 수직배향 YBCO 고온초전도 박막위에 산화물 절연박막을 증착하는 제3단계와; 상기 산화물 결정기판의 온도를 630℃와 650℃ 사이로 승온한 후, 상기 산화물 절연박막 위에 제2층 비초전도 산화물 박막을 증착하는 제4단계와;, 상기 산화물 결정기판의 온도를 750℃와 770℃ 사이로 승온하여 상기 제2층 비초전도 산화물 박막위에 제2층 산화물 고온초전도박막을 증착하는 제5단계를 포함하여 이루어지며, a-축 수직배향을 갖는 고온초전도 다층박막구조와 a-축 수직배향 YBCO 고온초전도 박막의 b-축과 c-축이 기판표면에 평행하고 일정한 방향으로 정렬시킨 다층박막구조 및 77k 이상에서 초전도 특성을 나타내는 a-축 수직배향 고온초전도 접합 그리고, 고온초전도체의 전자소자 응용에 필수적인 a-축 수직배향 고온초전도 터널형 조셉슨접합을 얻을 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019950009636B1
公开(公告)日：1995-08-25
申请号：KR1019920025339
申请日：1992-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/00
Abstract: The method consists of the steps of; forming a circuit pattern on a crystalline substrate by using a metal mask fabricated by the laser ablation method, forming a contact surface by using a conducting metal on the bottom surface of the crystalline substrate, and forming an ohmic contact by annealing in the oxygen atmosphere.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤： 通过使用通过激光烧蚀法制造的金属掩模在晶体衬底上形成电路图案，通过在结晶衬底的底表面上使用导电金属形成接触表面，并在氧气氛中通过退火形成欧姆接触。
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