公开(公告)号：KR1020010057237A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：KR1019990059434

申请日：1999-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  유병수 ,  신재헌 ,  백종협

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/0232 ,  Y10S438/942

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of a multi-channel array optical device is provided to simplify processes and also to obtain a uniform wavelength gap and a precise wavelength by simultaneously attaining a channel wavelength regulation and a mirror layer formation. CONSTITUTION: In the method, pluralities of mirror layers(201) are formed on a semiconductor substrate(200), and then an oxidation barrier(202) is formed thereon. Preferably, the mirror layers(201) includes a GaAs layer, an AlGaAs layer, and an AlAs layer, while the oxidation barrier(202) is made of silicon nitride. Next, the oxidation barrier(202) is selectively removed by using a binary mask(203) to expose specific mirror layers(204) used for regulating wavelength. The exposed mirror layers(204) are then oxidized. Thereafter, the remaining oxidation barrier(202) is removed, and then the above steps are repeated with using another binary mask. Thereby, the mirror layers become different in wavelength.

Abstract translation: 目的：提供多通道阵列光学器件的制造方法，以简化工艺，并通过同时获得沟道波长调节和镜层形成来获得均匀的波长间隙和精确的波长。 构成：在该方法中，在半导体衬底（200）上形成多个镜层（201），然后在其上形成氧化屏障（202）。 优选地，镜层（201）包括GaAs层，AlGaAs层和AlAs层，而氧化屏障（202）由氮化硅制成。 接下来，通过使用二元掩模（203）来选择性地去除氧化屏障（202），以露出用于调节波长的特定镜层（204）。 暴露的镜层（204）然后被氧化。 此后，除去剩余的氧化屏障（202），然后使用另外的二元掩模重复上述步骤。 因此，镜面层的波长变得不同。

公开(公告)号：KR100281644B1

公开(公告)日：2001-03-02

申请号：KR1019980050246

申请日：1998-11-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  유병수

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 다중양자우물 활성층과 위 아래의 반도체 다층박막 브래그 거울층으로 이루어져 있고, p형 브래그 거울층 중에서 활성층에 가장 가까이 있는 층이 원통형 메사(mesa)의 외곽에서 중앙으로 일부만 산화되고 산화되지 않은 중앙부분이 전류통로를 형성하고 있으며 산화되어 있는 주변 부분의 양자우물에서만 양자우물 혼합이 되어 있는 수직공진형 표면 방출 레이저 구조에 관한 것이다. 양자우물과 장벽층 사이에 물질혼합이 발생하면 양자우물의 에너지 준위가 올라가게 되어 양자우물 혼합이 일어나지 않은 부분에 대해 공간적으로 에너지 장벽 역할을 하게 되는데, 원하는 부분만 선택적으로 양자우물 혼합시키기 위해서 산화 공정후에 높은 온도의 질소분위기에서 급속열처리 공정을 수행한다. 이 경우 산화막과 마주하고 있는 부분의 양자우물층에서만 공동강화 양자우물 혼합 현상이 활발히 발생하게 되어 전류통로 즉, 산화되어 있지 않은 부분의 양자우물보다 더 높은 에너지 밴드갭을 갖게 된다. 이러한 구조에서는 주입되는 전류의 경로가 산화되지 않은 전류통로 부분으로만 한정되고 양자우물 활성층에 도달한 운송자의 확산도 주변의 달라진 에너지 밴드갭에 의해 역시 전류통로 크기로 제한된다. 그러므로, 매우 작은 직경의 산화막구경형 표면방출레이저에서 발생하는 운송자 확산에 의한 전류손실을 획기적으로 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000033401A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980050246

申请日：1998-11-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  유병수

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A vertical resonance surface emitting laser structure having a quantum well mixture is provided to remove carrier loss by a horizontal diffusion and, simultaneously, make the diameter of a resonator small to reduce a threshold current. CONSTITUTION: A first conductive multi-layer thin film bragg mirror layer, a quantum well/wall active layer between cladding layers(10), and a second conductive multi-layer thin film bragg mirror layer are sequentially formed on a first conductive compound semiconductor substrate in a vertical resonance surface emitting laser structure having a quantum well mixture. At least one or more the closest layer to the active layer among several layers consisting of the second conductive multi-layer thin film bragg mirror layer are formed of a locally oxidized oxide film(9) from outside to central of cylindrical mesa by a selective oxidation process to and a layer(8) not oxidized of a central part which is a current path. The active layer is opposed to the oxide film and formed of a first quantum well(7) in which the mixture is generated in large quantities and a second quantum well(6) in which the mixture is generated in small quantities, and operates as an energy wall to prevent carriers injected in a quantum wall through a direct current from being diffused in the direction of horizontal.

Abstract translation: 目的：提供具有量子阱混合物的垂直共振表面发射激光器结构，以通过水平扩散来消除载流子损耗，同时使谐振器的直径小以减小阈值电流。 构成：在第一导电化合物半导体衬底上依次形成第一导电多层薄膜布拉格镜层，包层（10）和第二导电多层薄膜布拉格镜层之间的量子阱/壁有源层 在具有量子阱混合物的垂直共振表面发射激光结构中。 由第二导电多层薄膜布拉格镜层构成的多层中至少一层或多层与有源层最接近的层由局部氧化的氧化膜（9）通过选择性氧化从圆柱形台面的外部至中心形成 过程和不被作为电流路径的中心部分氧化的层（8）。 有源层与氧化膜相对，并由其中大量生成混合物的第一量子阱（7）和少量产生混合物的第二量子阱（6）形成，并作为 能量壁，以防止通过直流电流注入量子壁中的载流子在水平方向上扩散。