公开(公告)号：KR1020010048135A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990052687

申请日：1999-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  유병수 ,  권오균 ,  백종협

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A reactive ion etching method of a compound semiconductor is provided to reduce optical loss by forming a smooth etching surface, and to improve productivity in manufacturing an optical device by having etch rate which is not too slow. CONSTITUTION: Photoresist or silicon nitride is formed as an etching mask on a multilayered thin film of a compound semiconductor. The multilayered thin film of the compound semiconductor is etched in mixture gas plasma of BCl3, Cl2, CH4 and H2 by a reactive ion etching(RIE) method.

Abstract translation: 目的：提供化合物半导体的反应离子蚀刻方法，通过形成平滑的蚀刻表面来减少光学损耗，并且通过具有不太慢的蚀刻速率来提高制造光学器件的生产率。 构成：在化合物半导体的多层薄膜上形成光刻胶或氮化硅作为蚀刻掩模。 通过反应离子蚀刻（RIE）方法在BCl 3，Cl 2，CH 4和H 2的混合气体等离子体中蚀刻化合物半导体的多层薄膜。

公开(公告)号：KR1020010048104A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990052644

申请日：1999-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  백종협 ,  유병수 ,  권오균

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A long wavelength surface emission type of laser and a method for manufacturing the same are provided to form an air layer having same effect as an oxide layer using a wet etching method without using the oxide layer in forming a current confinement aperture. CONSTITUTION: In a long wavelength surface emission type of laser and a method for manufacturing the same, the long wavelength surface emission type of laser has an under mirror layer(6) formed on a substrate, an air post patterned resonate layer formed on the under mirror layer and an upper mirror layer(20). The under stage part of the upper mirror layer near the resonate layer has the air layer having a desired depth at the side wall of the upper mirror layer.

Abstract translation: 目的：提供长波长表面发射型激光器及其制造方法，以在不形成电流限制孔径的情况下使用湿式蚀刻方法形成具有与氧化物层相同效果的空气层。 构成：在长波长表面发射型激光器及其制造方法中，长波长表面发射型激光器具有形成于基底上的下镜面层（6），形成在下侧的空气柱图案化谐振层 镜层和上镜层（20）。 在谐振层附近的上镜层的下段部分具有在上镜层的侧壁具有期望深度的空气层。

公开(公告)号：KR100250453B1

公开(公告)日：2000-04-01

申请号：KR1019970064811

申请日：1997-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G02B5/1857 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12176

Abstract: PURPOSE: A method for performing realtime monitoring for an etching process of a distributed Bragg reflector is provided to report information about an etching speed and an etching stop step by monitoring a wet-etching process when performing the wet-etching process. CONSTITUTION: A laser beam is irradiated to a sample(12) soaked in an etching solution. In the process for irradiating the laser beam, the laser beam is irradiated uniformly to a whole surface of the sample(12) by using a convex lens(14A,14B). The laser beam reflected from the sample(12) is inputted to a detector(13) by using the convex lens(14A,14B). A computer(17) connected with the detector(13) analyzes a periodical signal of the incident laser beam and senses an etching speed through the analysis for the signal.

Abstract translation: 目的：提供一种用于对分布式布拉格反射器的蚀刻工艺进行实时监测的方法，用于通过在执行湿蚀刻工艺时监测湿法蚀刻工艺来报告关于蚀刻速度和蚀刻停止步骤的信息。 构成：将激光束照射到浸入蚀刻溶液中的样品（12）上。 在照射激光束的过程中，通过使用凸透镜（14A，14B）将激光束均匀地照射到样品（12）的整个表面。 从样品（12）反射的激光束通过使用凸透镜（14A，14B）输入检测器（13）。 与检测器（13）连接的计算机（17）分析入射激光束的周期信号，并通过对信号的分析来感测蚀刻速度。

公开(公告)号：KR100174880B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019950029218

申请日：1995-09-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종협 ,  이번

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C30B25/14

Abstract: 본 발명은 에피성장층중 하나인 금속유기물 화학기상증착(MOCVD)장치에 관한 것으로, 특히 시료의 균일한 성장을 위한 MOCVD 성장용 보조장치에 대한 것이다. 종래의 에피성장장치는 균일한 시료의 성장을 위해 성장조건을 바꾸는 방법을 사용하고 있으나, 성장조건을 바꿀 경우 성장구조의 두께 균일성은 조금 개선되지만 이로인해 아디 성장 조건을 잡아야 하는 시간적인 손실을 초래하게 된다. 본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로, 시료의 성장속도 및 조성을 바꾸지 않는 상태에서 성장구조를 향상시킬 수 있도록 상기 금속화학증착장치의 성장실내에 공급되는 원료가스가 운송가스를 통해 시료표면에 균일하게 증착되도록 유도하는 유도수단과, 상기 유도수단을 성장실내에 고정하기 위한 고정수단을 포함하여 원료가스 및 운송가스가 상기 유도수단에 의해 균일한 흐름으로 시료에 유도되어 시료의 균일한 성장구조를 갖도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR100148599B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019940029924

申请日：1994-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  윤미영 ,  백종협

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/02241 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/31666 ,  Y10S438/902 ,  Y10S438/907 ,  Y10S438/967

Abstract: 본 발명은 유전체 박막상에 무결함 반도체 격자구조를 갖는 화합물 반도체 반도체 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 고농도의 탄소 불순물이 첨가된 AlGaInAs 계열의 박막층 위에 이종의 화합물 반도체 박막인 GaAs, InGaAs 또는 InAs 층을 가지는 다층 구조에 대해 수증기 분위기에서 열처리하여 산화시키는 것을 특징으로하여 수행되며. 본 발명에 의해 유전체인 Al
2 O
3 박막층위에 이종 화합물 반도체의 박막층을 결함없이 빠르게 성장시킬 수 있는 효과

公开(公告)号：KR1019980067652A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970003862

申请日：1997-02-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협 ,  이진홍

IPC: H01L31/02

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, InP 기판위에 조성비가 서로 다른 [In(x)Al(1-x)As/In(y)Al(1-y)As] 다층 박막으로 이루어진 수직형 인공초격자를 형성하고, 그 위에 InP층을 형성하여 양자선을 제조하며 이렇게 형성된 InP/InAlAs/InP를 다층으로 형성하여 더욱 향상된 특성을 갖는 양자선을 제조함으로써 양자선의 패킹 밀도를 높힐 수 있으며 양질의 초격자 구조를 생성할 수 있고, 단순한 에피성장 조건을 바꾸어 비교적 여러 가지 크기의 초격자 구조를 제조 할 수 있는 양자선 제조 방법이 제시된다.

公开(公告)号：KR1019980019928A

公开(公告)日：1998-06-25

申请号：KR1019960038192

申请日：1996-09-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박효훈 ,  유병수 ,  추혜용 ,  이번 ,  백종협

IPC: H01S5/18

Abstract: 본 발명은 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 광 펌핑으로 동작되는 장파장 레이저 칩을 전기적으로 동작되는 단파장 표면방출 레이저 칩으로 광 펌핑하여 장파장 레이저 빔을 방출함으로써, 레이저 칩의 성장이 간단해지고, 광 펌핑 후 잔류된 단파장 레이저 빔을 InP 기판에서 흡수하므로 자동적으로 여과될 수 있도록 한 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR100125330B1

公开(公告)日：1997-10-06

申请号：KR1019940028807

申请日：1994-11-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종협 ,  이번 ,  윤미영

IPC: G01J1/00

公开(公告)号：KR100319752B1

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：KR1019990050468

申请日：1999-11-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  권오균 ,  백종협 ,  신재헌

IPC: H01S5/30

Abstract: 표면방출레이저는광배선및 광통신용광원으로사용되고있는데편광에따라특성이다른광소자나광학기기와같이사용하기위해서는안정된편광특성을필요로하며편의에따라편광특성을조절하는것이유용하다. 본발명에서는표면방출레이저에서편광을조절할수 있는구조의편광조절표면방출레이저에관한것으로, 본발명의표면방출레이저소자는한 소자에서전극에따라두개의편광방향으로조절하며, 특히활성층근처에서산화막에의해발진영역이한정되므로횡모드의변화없이편광특성제어가가능하다.

公开(公告)号：KR1020010055919A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：KR1019990057254

申请日：1999-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  유병수 ,  백종협 ,  신재헌

IPC: H01S5/20

Abstract: PURPOSE: A surface emitting laser for polarization control is provided to select oscillation light of polarized direction by controlling polarization without changing characteristic. CONSTITUTION: A surface emitting laser has a lower part mirror layer(32), resonance activity layer, upper part mirror layer(36). An insulation layer(37) gets inserted impurities-ion or fills up resonance activity layer after etching. The first upper part metal layer(38) gets supplied with current for lasering and is formed on the upper part mirror layer(36). The second upper part metal layer controls polarization to each vertical direction about the semiconductor board(31) with isolating the first upper part metal layer(38) from the insulating layer(37). The first lower part metal layer(41a) gets supplied with lasering current with the first upper part metal layer(38) at the same time and is formed on bottom of the semiconductor board(31). The second lower part metal layer(41b) gets supplied with polarization control current at the same time with the second upper part metal layer, keeping the fixed intervals with the first lower part metal layer(41a) on bottom of the semiconductor board(31).

Abstract translation: 目的：提供用于偏振控制的表面发射激光器，通过控制偏振而不改变特性来选择偏振方向的振荡光。 构成：表面发射激光器具有下部镜层（32），共振活性层，上部镜层（36）。 绝缘层（37）在蚀刻后插入杂质离子或填充共振活性层。 第一上部金属层（38）被供给用于激光的电流并形成在上部镜面层（36）上。 第二上部金属层通过将第一上部金属层（38）与绝缘层（37）隔离来控制围绕半导体板（31）的每个垂直方向的偏振。 第一下部金属层（41a）同时与第一上部金属层（38）一起被供给激光电流并形成在半导体基板（31）的底部。 第二下部金属层（41b）与第二上部金属层同时被提供偏振控制电流，与半导体板（31）的底部保持与第一下部金属层（41a）的固定间隔， 。