公开(公告)号：KR100346777B1

公开(公告)日：2002-10-19

申请号：KR1019980041255

申请日：1998-09-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정종술 ,  유병수 ,  서호형

IPC: G02B6/00

Abstract: 본 발명은 파장분할 다중화 통신방식을 위한 위상-고리형 광도파로를 이용한 광 공진기 필터구조에 관한 것이다. 그 구조는, 입력단 광도파로와, 이와 이웃하는 위상-고리형 광도파로, 그리고 이 광도파로와 이웃하는 출력단 광도파로로 구성된다. 그 위상-고리형 광도파로 구조는, 두 개의 반-고리형(half-ring) 광도파로 사이에 광의 진행 경로차에 의한 위상-부정합을 이용할 수 있는 코사인-곡선형 광도파로 구역을 갖는 형태이다. 파장 다중화된 신호광이 입력단 광도파로 내부로 입사되면 이웃하는 위상-고리형 광도파로의 공진 특성을 만족하는 특정 파장의 신호광만 선택되어 위상-고리형 광도파로 내부로 전달된다. 입력단 광도파로에서 위상-고리형 광도파로 내부로 전달되는 파워 비율을 나타내는 결합 계수는, 코사인-곡선형 광도파로 구역의 구조 변경에 의한 위상-부정합 현상 때문에 변화한다. 이렇게 결정된 결합 계수로부터 공진기의 Q(=λ/Δλ) 값을 계산할 수 있다. 그러므로 입력단/출력단 광도파로와 위상-고리형 광도파로 사이의 거리를 고정하는 경우에도 코사인-곡선 광도파로 구역의 구조를 조정하여 공진기의 공진 특성 효율을 조정할 수 있다.

公开(公告)号：KR100327898B1

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：KR1019980048439

申请日：1998-11-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 현경숙 ,  유병수

IPC: G02B6/02

Abstract: 파장 역다중화 소자에서 발생하는 광 도파로의 곡률 손실(Bending Loss)을 최소화시킬 수 있는 직선형 광 도파로를 구비한 파장 역다중화 소자가 개시된다. 본 발명은 광 도파로의 곡률 손실을 최소화시킬 수 있도록 서로 다른 폭을 갖는 단일 물질로 구성된 직선형 도파로를 사용하거나 유효 굴절률이 서로 다른 물질로 구성된 직선형 도파로를 사용하여 각 채널 별로 광 경로차를 부여한다. 본 발명에 따르면, 광 도파로의 구조를 직선화시킴으로써 광 도파 손실을 최소화함과 아울러 파장 분리 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020058637A

公开(公告)日：2002-07-12

申请号：KR1020000086751

申请日：2000-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  유병수 ,  권오균

IPC: H01S5/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0267 ,  H01S5/18

Abstract: PURPOSE: A laser device incorporating thereinto an astigmatic micro-lens is provided to correct a difference between cutoff angles due to an asymmetric of a laser mode. CONSTITUTION: A laser device incorporating thereinto an astigmatic micro-lens includes a distributed Bragg mirror(13) formed on a top surface of a substrate(10), an active medium(12) formed on a top surface of the distributed Bragg mirror(13), a mirror(11) formed in such a way that the mirror(11) is inclined at a predetermined angle with coexisting in the same plane of the active medium(12) and an astigmatic micro lens(14) formed on a bottom surface of the substrate(10). In the laser device, the astigmatic micro-lens is used to correct a difference between the angles of radiation of a light beam radiated from the bottom surface of the substrate(10) through the distributed Bragg mirror(13).

Abstract translation: 目的：提供一种结合有散光微透镜的激光装置，用于校正由于激光模式不对称而导致的截止角之间的差异。 构成：其中结合有像散微透镜的激光装置包括形成在基板（10）的顶表面上的分布式布拉格反射镜（13），形成在分布式布拉格镜（13）的顶表面上的有源介质 ），反射镜（11），其形成为使得反射镜（11）以共存于活性介质（12）的同一平面中的预定角度倾斜，并且形成在底表面上的像散微透镜（14） 的衬底（10）。 在激光装置中，散光微透镜用于校正通过分布式布喇格镜（13）从衬底（10）的底表面辐射的光束的辐射角之间的差异。

公开(公告)号：KR1020020046465A

公开(公告)日：2002-06-21

申请号：KR1020000076661

申请日：2000-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  권오균 ,  주영구

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2072 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/176

Abstract: PURPOSE: A long wavelength surface emitting laser device having a diffusion area on both end parts of an upper mirror layer and a method for fabricating the same are provided to prevent a loss of absorption of a p type doping layer within a resonator and reduce a scattering loss of a mirror layer and a carrier loss by controlling efficiently current flow. CONSTITUTION: A lower mirror layer(22) is formed on an n type InP semiconductor substrate(21). An active layer(23) is formed on the lower mirror layer(22). The active layer(23) is formed with a quantum well layer and a spatial layer. An electron leakage barrier(24) is formed on the active layer(23). A current induction layer(25) is formed on the electron leakage barrier(24). A current expansion layer(26) is formed on the current induction layer(25). The current expansion layer(26) is formed by a p type semiconductor layer. An upper mirror layer(27) is formed on the current expansion layer(26). A Zn diffusion layer(28) is formed on end parts of the upper mirror layer(27). An insulating layer(29) is used for forming an air layer among the current expansion layer(26), the current induction layer(25), and the current leakage barrier(24). The first metallic line(31) is connected with the upper mirror layer(27). The second metallic line(32) is connected with a back side of the n type InP semiconductor substrate(21).

Abstract translation: 目的：提供一种在上镜面层的两端部具有扩散区域的长波长表面发射激光器件及其制造方法，以防止谐振器内的p型掺杂层的吸收损失并降低散射损耗 的镜面层和载流子损失。 构成：在n型InP半导体衬底（21）上形成下镜层（22）。 活性层（23）形成在下镜层（22）上。 活性层（23）由量子阱层和空间层形成。 在有源层（23）上形成电子泄漏势垒（24）。 电子感应层（25）形成在电子泄漏屏障（24）上。 在电流感应层（25）上形成电流膨胀层（26）。 电流膨胀层（26）由p型半导体层形成。 在电流膨胀层（26）上形成上镜层（27）。 在上镜层（27）的端部形成有Zn扩散层（28）。 绝缘层（29）用于在电流膨胀层（26），电流感应层（25）和漏电屏障（24）之间形成空气层。 第一金属线（31）与上镜层（27）连接。 第二金属线（32）与n型InP半导体衬底（21）的背面连接。

公开(公告)号：KR1020010048135A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990052687

申请日：1999-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  유병수 ,  권오균 ,  백종협

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A reactive ion etching method of a compound semiconductor is provided to reduce optical loss by forming a smooth etching surface, and to improve productivity in manufacturing an optical device by having etch rate which is not too slow. CONSTITUTION: Photoresist or silicon nitride is formed as an etching mask on a multilayered thin film of a compound semiconductor. The multilayered thin film of the compound semiconductor is etched in mixture gas plasma of BCl3, Cl2, CH4 and H2 by a reactive ion etching(RIE) method.

Abstract translation: 目的：提供化合物半导体的反应离子蚀刻方法，通过形成平滑的蚀刻表面来减少光学损耗，并且通过具有不太慢的蚀刻速率来提高制造光学器件的生产率。 构成：在化合物半导体的多层薄膜上形成光刻胶或氮化硅作为蚀刻掩模。 通过反应离子蚀刻（RIE）方法在BCl 3，Cl 2，CH 4和H 2的混合气体等离子体中蚀刻化合物半导体的多层薄膜。

公开(公告)号：KR1020010048104A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990052644

申请日：1999-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  백종협 ,  유병수 ,  권오균

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A long wavelength surface emission type of laser and a method for manufacturing the same are provided to form an air layer having same effect as an oxide layer using a wet etching method without using the oxide layer in forming a current confinement aperture. CONSTITUTION: In a long wavelength surface emission type of laser and a method for manufacturing the same, the long wavelength surface emission type of laser has an under mirror layer(6) formed on a substrate, an air post patterned resonate layer formed on the under mirror layer and an upper mirror layer(20). The under stage part of the upper mirror layer near the resonate layer has the air layer having a desired depth at the side wall of the upper mirror layer.

Abstract translation: 目的：提供长波长表面发射型激光器及其制造方法，以在不形成电流限制孔径的情况下使用湿式蚀刻方法形成具有与氧化物层相同效果的空气层。 构成：在长波长表面发射型激光器及其制造方法中，长波长表面发射型激光器具有形成于基底上的下镜面层（6），形成在下侧的空气柱图案化谐振层 镜层和上镜层（20）。 在谐振层附近的上镜层的下段部分具有在上镜层的侧壁具有期望深度的空气层。

公开(公告)号：KR100283098B1

公开(公告)日：2001-03-02

申请号：KR1019970049802

申请日：1997-09-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 현경숙 ,  이일항 ,  유병수

IPC: G02B5/28

Abstract: 본 발명은 다중 모드 간섭계 및 회절격자를 이용한 파장 검출기에 관한 것으로, 특히 폭이 좁은 파장을 추출하여 파장에 민감한 광 교환 소자 및 광 논리 소자들의 제어를 확실하게 할 수 있는 파장 검출기에 관한 것이다.
파장 분할 전송에서 많이 이용되고 있는 다중/역다중 방식은 광 도파로 격자를 사용하고, 아울러 매우 극소수로써 다중 모드 간섭계를 이용한 phasar(phased array)를 사용하고 있는 실정이다. 그러나 광도파로 격자를 사용하는 경우, 다중 파장에서 단일 파장을 검출하는데 입력된 빛의 세기가 매우 약하게 감쇄되는 단점과 그 구조의 복잡함으로 인하여 제조가 용이하지 않은 단점이 있다.
본 발명에서는 다중 모드 간섭계로 균등 분할된 광을 다중 회절격자를 사용하여 여러 파장 중에서 단일 파장을 검출한 후, 광들이 서로 위상차를 갖도록 함으로써 특정 포트로 출력된 파장을 민감한 광 교환 소자 및 광 논리 소자에 입력 시킬 수 있는 파장 검출기를 제시한다.

公开(公告)号：KR100273134B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019970064813

申请日：1997-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  박효훈 ,  유병수 ,  현경숙 ,  이일항

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/18388 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/205 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

Abstract: PURPOSE: A single mode surface emission laser and a manufacturing method thereof are provided, which is stably applied to a coupling with an optical fiber and an optical wiring in a free space by enabling a single transverse mode oscillation in a large area and a large size of a device. CONSTITUTION: A single mode surface emission laser comprises an n-type semiconductor substrate(11), a laser column formed on the n-type semiconductor substrate, a regulating layer(18) formed on the laser column, an anti-induction clad layer(17) formed surrounding the laser column and the regulating layer, and an upper electrode on the anti-induction clad layer and the regulating layer. An n-type lower electrode(12) and an anti-reflection layer(13) are formed below the n-type semiconductor substrate. The laser column includes a lower mirror layer(14), an active layer(15), and an upper mirror layer(16) stacked in that order. The thickness of the regulating layer is made thinner as it goes from the center to the periphery. The anti-induction clad layer is made from a material having a refractive index greater than that of the active layer or the upper mirror layer in the laser column. An insulating layer(19) is formed between the anti-induction clad layer and the upper electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种单模面发射激光器及其制造方法，其通过在大面积和大尺寸中实现单横模振荡而稳定地应用于在自由空间中与光纤和光布线的耦合 的设备。 构成：单模面发射激光器包括n型半导体衬底（11），形成在n型半导体衬底上的激光器柱，形成在激光柱上的调节层（18），抗感应覆层（ 17）围绕激光柱和调节层，以及上电极在抗感应覆层和调节层上。 在n型半导体衬底的下方形成n型下电极（12）和抗反射层（13）。 激光柱包括依次层叠的下镜层（14），有源层（15）和上镜层（16）。 调节层的厚度从中心到周边变薄。 抗感应覆层由折射率大于激光塔中活性层或上镜层的折射率的材料制成。 在抗感应覆层和上电极之间形成绝缘层（19）。

公开(公告)号：KR100204569B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960035935

申请日：1996-08-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  유병수 ,  박효훈

IPC: H01S3/00

CPC classification number: H01S5/18355 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18352 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176

Abstract: 본 발명은 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 편광을 제어할 수 있도록 공진기가 110 방향과

公开(公告)号：KR100170192B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019950051484

申请日：1995-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박효훈 ,  김광준 ,  현경숙 ,  권오균 ,  송석호 ,  유병수 ,  추혜용

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 광투과 기판을 사용한 병렬 광논리처리 시스템의 구조에 관한 것으로서, 빛을 발진하는 광투과형 표면 방출 레이저가 어레이로 배열된 레이저 어레이 기판과, 상기 레이저 어레이에서 발진된 빛이 평행해지도록 빛을 접속하는 마이크로 렌즈가 어레이로 배열된 마이크로 렌즈 어레이 기판과, 상기 마이크로 렌즈 어레이 기판을 투과한 빛을 논리 회로의 창문으로 투과시켜 데이터를 읽어 논리 기능을 수행하는 광논리 소자 어레이로 이루어진 다수 개의 단위 칩으로 이루어져 빛이 직선적으로 상기 각 기판을 투과하면서 논리를 수행하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 빛이 각 기판을 통해 직선적으로 투과되면서 진행되므로 빛의 경로를 최단 거리로 할 수 있으며, 빛이 레이저 어레이 기판을 투과하므로 투과 면적이 증가되어 단위 칩 사이의 빛의 진행 경로를 맞추기 위한 정렬이 용이하다.