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公开(公告)号：DE102015110579A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：DE102015110579
申请日：2015-07-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AUSSERLECHNER UDO
Abstract: Eine Ausführungsform betrifft eine Schaltung zum Bereitstellen eines Mechanischer-Stresspegel-Signals, welche zumindest einen Bipolartransistor umfasst, wobei die Schaltung angeordnet ist, um einen ersten mechanischen Stresspegel auf Basis einer Stromverstärkung des zumindest einen Bipolartransistors zu bestimmen und einen zweiten mechanischen Stresspegel auf Basis der Stromverstärkung des zumindest einen Bipolartransistors zu bestimmen, und das Mechanischer-Stresspegel-Signal auf Basis des ersten mechanischen Stresspegels und des zweiten mechanischen Stresspegels bereitzustellen. Ebenso wird ein Verfahren zum Bestimmen des Mechanischer-Stresspegel-Signals vorgeschlagen.
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公开(公告)号：DE102015109009A1
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：DE102015109009
申请日：2015-06-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AUSSERLECHNER UDO
Abstract: Es wird hier ein Stromsensorchip beschrieben. Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist der Stromsensorchip ein erstes Magnetfeldsensorelement auf, das dazu ausgebildet ist, ein erstes analoges Sensorsignal zu erzeugen, welches ein Magnetfeld repräsentiert, das von einem Primärstrom bewirkt wird, der durch einen externen Primärleiter fließt. Der Stromsensorchip weist des Weiteren einen Analog-Digital-Wandler auf, der mit dem ersten Magnetfeldsensorelement gekoppelt und dazu ausgebildet ist, basierend auf dem ersten analogen Sensorsignal ein digitales Sensorsignal zu erzeugen. Ein digitaler Signalprozessor ist mit dem Analog-Digital-Wandler gekoppelt, um das digitale Sensorsignal zu empfangen, und dazu ausgebildet, basierend auf dem digitalen Sensorsignal, sowie basierend auf in einem Speicher gespeicherten Kalibrierparametern ein korrespondierendes Strommesssignal zu bestimmen, das den Primärstrom repräsentiert. Ein externer Ausgangspin des Stromsensorchips ist mit dem ersten Magnetfeldsensorelement gekoppelt, um das erste analoge Sensorsignal oder ein mittels analoger Signalverarbeitung davon abgeleitetes Analogsignal zu empfangen.
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公开(公告)号：DE102015219364A8
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：DE102015219364
申请日：2015-10-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AUSSERLECHNER UDO , SCHERR WOLFGANG
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94.发明专利
公开(公告)号：DE102015119945A1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：DE102015119945
申请日：2015-11-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AUSSERLECHNER UDO
Abstract: Ausführungsformen beziehen sich auf vertikale Hall-Effekt-Vorrichtungen, die Hall-Effekt-Strukturen mit drei Kontakten in jeder Hall-Effekt-Region aufweisen. Bei einer Ausführungsform sind die Kontakte mit Anschlüssen derart verbunden, dass die Hall-Effekt-Vorrichtung eine Symmetrie und nominell identische innere Widerstände bei fehlenden extern angelegten Magnetfeldern aufweist. Ausführungsformen können in mehreren Betriebsphasen betrieben werden, so dass ein Spinning für redundante Feldmessungen und zur Verbesserung der Magnetfeldmessgenauigkeit verwendet werden kann.
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公开(公告)号：DE102015112464A1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：DE102015112464
申请日：2015-07-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： WERTH TOBIAS , AUSSERLECHNER UDO
Abstract: Die Ausführungsformen beziehen sich auf Sensorvorrichtungskonfigurationen. In einer Ausführungsform umfasst eine Sensorvorrichtung einen Vormagnetisierungsmagneten, einen Feldsensor-Die, einen ersten Satz von einem oder mehreren Magnetfeld-Sensorelementen, einen zweiten Satz von einem oder mehreren Magnetfeld-Sensorelementen, einen Speicher und eine Schaltungsanordnung. Die Sensorvorrichtung ist konfiguriert, die abgetasteten Größen von jedem der Magnetfeld-Sensorelemente des ersten Satzes zu kombinieren, um eine Ausgabe des ersten Satzes zu erhalten, die abgetasteten Größen von jedem des einen oder der mehreren Magnetfeld-Sensorelemente des zweiten Satzes mit einem aus dem Satz von Abgleichswerten abzugleichen, um eine Ausgabe des zweiten Satzes zu erhalten, und die Ausgabe des zweiten Satzes mit der Ausgabe des ersten Satzes zu kombinieren, um ein Ausgangssignal bereitzustellen.
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Patent Agency Ranking96.发明专利
公开(公告)号：DE102012212606B4
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：DE102012212606
申请日：2012-07-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AUSSERLECHNER UDO
Abstract: Vorrichtung zur Erfassung eines Magnetfelds mit einem vertikalen Hall-Sensor, der folgende Merkmale aufweist: eine Hall-Effekt-Region (11); und eine Mehrzahl von Kontakten (21–24), die in der oder auf einer Oberfläche der Hall-Effekt-Region gebildet sind, wobei die Kontakte in einer Sequenz entlang eines Pfades angeordnet sind, der sich zwischen einem ersten Ende und einem zweiten Ende der Hall-Effekt-Region erstreckt; wobei die Vorrichtung derart ausgebildet ist, dass die Mehrzahl von Kontakten zumindest vier Spinning-Current-Kontakte und zumindest zwei Nur-Versorgung-Kontakte aufweisen; die Spinning-Current-Kontakte gemäß einem Spinning-Current-Schema wechselweise als Versorgungskontakte und als Erfassungskontakte fungieren; die zumindest vier Spinning-Current-Kontakte entlang eines mittleren Abschnitts des Pfades angeordnet sind; und die zumindest zwei Nur-Versorgung-Kontakte auf verteilte Weise auf gegenüberliegenden Seiten des mittleren Abschnitts angeordnet und dazu konfiguriert sind, die Hall-Effekt-Region gemäß einer Erweiterung des Spinning-Current-Schemas mit elektrischer Energie zu versorgen.
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97.发明专利
公开(公告)号：DE102008058895B4
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：DE102008058895
申请日：2008-11-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AUSSERLECHNER UDO
Abstract: Magnetfeldsensor (106; 107; 170c, 170d, 170e; 200), der folgende Merkmale umfasst: eine Magnetfeldsensoranordnung, die einen Leiterrahmen (152) auf einer zweiten Seite und einen Chip (158) auf einer ersten Seite, der mit dem Leiterrahmen (152) gekoppelt ist, aufweist, wobei der Chip (158) ein magnetfeldempfindliches Element (160) umfasst, ein Spritzgussmagnetmaterial (162), das über zumindest einen Teil der Magnetfeldsensoranordnung spritzgegossen ist, wobei ein Abschnitt des Spritzgussmagnetmaterials (162) an der zweiten Seite der Magnetfeldsensoranordnung angeordnet ist und eine bezüglich einer Mittellinie zentrierte Ausnehmung aufweist, wobei das magnetfeldempfindliche Element (160) von der Mittellinie versetzt ist.
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公开(公告)号：DE102014103275A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：DE102014103275
申请日：2014-03-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AUSSERLECHNER UDO
IPC: H01L23/051 , H01L21/50 , H01L23/495 , H01L43/02
Abstract: Eine Chipbaugruppe mit einem isolierten Stift, einer isolierten Kontaktstelle oder einem isolierten Chipträger und ein Verfahren zur Herstellung derselben werden offenbart. In einer Ausführungsform umfasst eine Chipbaugruppe einen Chip, ein Gehäuse, das den Chip einkapselt, Kontaktstellen oder Stifte, die auf einer ersten Seite des Gehäuses angeordnet sind, und eine Isolationskontaktstelle oder einen Isolationsstift, der auf einer zweiten Seite des Gehäuses angeordnet ist, wobei der Isolationsstift oder die Isolationskontaktstelle vom Chip elektrisch isoliert ist, wobei der Chip einen Magnetfeldsensor umfasst, der dazu konfiguriert ist, ein außerhalb des Gehäuses erzeugtes Magnetfeld zu messen.
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公开(公告)号：DE102013106913A1
公开(公告)日：2014-01-02
申请号：DE102013106913
申请日：2013-07-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AUSSERLECHNER UDO , MOTZ MARIO
Abstract: Die Ausführungsformen betreffen den Spannungsausgleich in Differenzsensoren (100). In einer Ausführungsform besteht das Ziel einer Spannungsausgleichsschaltung, anstelle des Spannungsausgleichs einzeln für jedes Sensorelement, in der Eliminierung von durch Spannungen verursachten Nichtübereinstimmungen zwischen zwei Sensorelementen (H1, H2) unter Nutzung der Sensorelemente selbst zur Detektion der Nichtübereinstimmung. Eine Schaltung (102) kann in Ausführungsformen umgesetzt werden, um eine durch mechanische Spannungen verursachte Nichtübereinstimmung zwischen Sensorelementen unter Nutzung der Sensorelemente zu detektieren und das Ausgangssignal durch einen Ausgleichsfaktor einzustellen, um die Nichtübereinstimmung zu eliminieren. Die Ausführungsformen sind aus diesem Grund weniger kompliziert und kostengünstiger als herkömmliche Ansätze. Wenngleich die Ausführungsformen für praktisch jeden Differenzsensor, einschließlich Magnetfeld-, Druck-, Temperatur-, Strom- und Geschwindigkeitssensoren, angewandt werden können, bezieht sich die als Beispiel hierin erläuterte Ausführungsform auf ein Magnetfeld.
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公开(公告)号：DE102009015965B4
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：DE102009015965
申请日：2009-04-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AUSSERLECHNER UDO , MOTZ MARIO
Abstract: Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale aufweist: ein erstes und ein zweites Hall-Effekt-Bauelement (200a, 200b), die folgende Merkmale aufweisen: ein Substrat (110) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp; eine Epitaxialschicht (112) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die Hall-Effekt-Abschnitte (112) definiert; eine leitfähige, vergrabene Schicht (114) mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp, die zwischen der Epitaxialschicht (112) und dem Substrat (110) positioniert ist; und jeweils einen ersten (131), zweiten (132), dritten (133) und vierten (134) Anschluss, wobei der zweite Anschluss (132) mit der leitfähigen, vergrabenen Schicht (114) gekoppelt ist, und wobei der dritte Anschluss (133) auf einer Seite des ersten Anschlusses (131) und der vierte Anschluss (134) auf der anderen Seite des ersten Anschlusses (131) positioniert ist; wobei das erste und das zweite Hall-Effekt-Bauelement senkrecht zueinander angeordnet sind, derart, dass die Anschlüsse des ersten Hall-Effekt-Bauelements entlang einer ersten Richtung angeordnet sind und die Anschlüsse des zweiten Hall-Effekt-Bauelements entlang einer zweiten Richtung angeordnet sind, die senkrecht zu der ersten Richtung ist, wobei der erste Anschluss (131) des ersten Hall-Effekt-Bauelements mit dem ersten Anschluss (131) des zweiten Hall-Effekt-Bauelements verbunden ist, wobei der zweite Anschluss (132) des ersten Hall-Effekt-Bauelements mit dem zweiten Anschluss (132) des zweiten Hall-Effekt-Bauelements verbunden ist, und wobei einer des dritten und des vierten Anschlusses (133, 134) des ersten Hall-Effekt-Bauelements mit einem des dritten und des vierten Anschlusses (133, 134) des zweiten Hall-Effekt-Bauelements gekoppelt ist, und wobei der andere des dritten und des vierten Anschlusses (133, 134) des ersten Hall-Effekt-Bauelements mit dem anderen des dritten und des vierten Anschlusses (133, 134) des zweiten Hall-Effekt-Bauelements gekoppelt ist.
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