用于多层陶瓷电子元件间隔层的介电糊剂

    公开(公告)号:CN1894334A

    公开(公告)日:2007-01-10

    申请号:CN200480037520.4

    申请日:2004-12-14

    CPC classification number: H01B3/006 C09D133/04 H01B1/22

    Abstract: 本发明公开了一种用于多层陶瓷电子元件间隔层的介电糊剂,其不溶解在多层陶瓷电子元件靠近间隔层的层中包含的粘合剂,并因此可以有效地防止在多层陶瓷电子元件中产生缺陷。用于间隔层的介电糊剂包含丙烯酸体系树脂作为粘合剂和至少一种选自苧烯,乙酸a-萜品酯,乙酸I-二氢香芹酯,I-薄荷酮,乙酸I-紫苏酯,乙酸I-香芹酯,和乙酸d-二氢香芹酯的溶剂。

    制造多层陶瓷电子部件的方法

    公开(公告)号:CN1784756A

    公开(公告)日:2006-06-07

    申请号:CN200480012424.4

    申请日:2004-03-31

    CPC classification number: H01G4/30 Y10T156/10

    Abstract: 层压的陶瓷电子部件的生产方法,它能够将所需数量的层压材料单元有效地层压以生产层压的陶瓷电子部件,同时积极地防止对于各包括陶瓷坯片和电极层的这些层压材料单元的损坏。该生产方法包括将各由在载体片上的陶瓷坯片、电极层和防粘层按所述顺序组成的多个层压材料单元进行层压的步骤,其中层压材料单元进行定位以使层压材料单元的防粘层的表面接触到在载体表面上形成的粘合剂层表面,要求在层压材料单元和载体片之间的粘合强度高于在载体片和陶瓷坯片之间的粘合强度和低于在层压材料单元和防粘层之间的粘合强度,对其加压处理来将层压材料单元层压在载体上。

    介质陶瓷和电子元件
    97.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1181499C

    公开(公告)日:2004-12-22

    申请号:CN01119797.8

    申请日:2001-05-29

    CPC classification number: H01G4/1227

    Abstract: 提供了介质陶瓷和能提高在负载下高温绝缘电阻的耐久性,即IR退化寿命的电子元件。一种介电层包括含BaTiO3为主要成分的介质陶瓷;及含下列四种辅助成分:Mg、Ca、Ba、Sr和Cr之中至少一种元素;SiO2;V、Mo和W中至少一种元素;及Er、Tm、Yb、Y、Dy和Ho中至少一种元素。优选在介质陶瓷中具有空隙的晶粒的存在率为10%或更低,平均晶粒直径大于0.1μm但≤0.7μm。改善IR退化寿命。优选使用草酸盐法或固相法合成的BaTiO3粉末作为原料,该BaTiO3粉末具有Ba/Ti比例大于1而小于1.007。

    钛酸钡系半导体陶瓷
    99.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1093100C

    公开(公告)日:2002-10-23

    申请号:CN98801275.8

    申请日:1998-09-02

    CPC classification number: C04B35/4682 H01C7/025

    Abstract: 本发明的钛酸钡系半导体陶瓷,由于陶瓷作为主成分含有BaCO3,而作为微量相的组合物分别含有Ba2TiSi2O8和BanTimOn+2m(1≤n≤4,2≤m≤13,n<m)且构成为使得作为上述微量相的组合物的Ba2TiSi2O8和BanTimOn+2m的含有比(Ba2TiSi2O8/BanTimOn+2m)为0.5~80.0,故耐压非常优良,作为产品器件可以保证高的可靠性。而且,作为产品器件具有用于使之充分发挥功能的适当的室温电阻率ρ25。

    电子器件及其制作方法
    100.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1241284A

    公开(公告)日:2000-01-12

    申请号:CN98801480.7

    申请日:1998-10-06

    CPC classification number: H01C1/142 H01C7/18 H01C17/006 H01G4/2325 H01G4/40

    Abstract: 本发明提供一种电子器件,它包括:含有在氧化性气氛中烧制时会转化成氧化物的第一金属的第一金属层,以及通过烧制含有在氧化性气氛中烧制时不会转化成氧化物的金属的第二金属粒子形成的第二金属层,以及夹在这两个金属层之间的中间氧化物层。该中间氧化物层含有第一金属层中所含第一金属的氧化物。优选地,第二金属层中所含的第二金属粒子分散在该中间氧化物层。可用简单步骤得到均匀的氧化物层,且由该氧化物层形成的电阻值易于高精度地控制。从而可以得到一种电子器件,其中氧化物层与其它的含有金属的层的结合强度得到提高,且与导线的结合强度也得到提高。

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