公开(公告)号：CN1984757A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580023709.2

申请日：2005-05-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小林央始 ,  佐藤茂树

IPC: B28B1/30 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/12 ,  B28B3/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及一种包括制备含有陶瓷粉和粘合剂树脂的压缩前坯片的工序和将上述压缩前坯片压缩而得到压缩后坯片的工序的坯片制造方法，其特征在于：将上述压缩前坯片的压缩前坯片密度(ρg1)和上述压缩后坯片的压缩后坯片密度(ρg2)之差(Δρg)表示为Δρg＝ρg2－ρg1，该差(Δρg)对上述压缩前坯片密度(ρg1)之比即坯片压缩率(Δρg/ρg1)设为1％以上。

公开(公告)号：CN1946654A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580013123.8

申请日：2005-03-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤茂树 ,  野村武史

IPC: C04B35/634 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01B3/12 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/6365 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/662 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，它能够可靠地防止在多层陶瓷电子元件中产生缺陷和以所需方式形成间隔层。具体而言，本发明公开了制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法，其特征在于将含有作为粘结剂的具有110,000到190,000的表观重均分子量的乙基纤维素和选自乙酸异冰片酯、二氢萜品基甲基醚、二氢萜品基氧基乙醇、萜品基甲基醚、萜品基氧基乙醇、d－二氢香芹醇、乙酸I－酯、I－香茅醇、I－紫苏子醇和乙酰氧基－甲氧基乙氧基－环己醇乙酸酯中的至少一种溶剂的用于形成间隔层的介电糊以预定图案印刷在含有作为粘结剂的丙烯酸系树脂的陶瓷生片上而形成间隔层。

公开(公告)号：CN1894334A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200480037520.4

申请日：2004-12-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤茂树 ,  野村武史

IPC: C08L33/00 ,  C08K5/00 ,  H01B3/00

CPC classification number: H01B3/006 ,  C09D133/04 ,  H01B1/22

Abstract: 本发明公开了一种用于多层陶瓷电子元件间隔层的介电糊剂，其不溶解在多层陶瓷电子元件靠近间隔层的层中包含的粘合剂，并因此可以有效地防止在多层陶瓷电子元件中产生缺陷。用于间隔层的介电糊剂包含丙烯酸体系树脂作为粘合剂和至少一种选自苧烯，乙酸a－萜品酯，乙酸I－二氢香芹酯，I－薄荷酮，乙酸I－紫苏酯，乙酸I－香芹酯，和乙酸d－二氢香芹酯的溶剂。

公开(公告)号：CN1784756A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200480012424.4

申请日：2004-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 唐津真弘 ,  佐藤茂树 ,  金杉将明

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  Y10T156/10

Abstract: 层压的陶瓷电子部件的生产方法，它能够将所需数量的层压材料单元有效地层压以生产层压的陶瓷电子部件，同时积极地防止对于各包括陶瓷坯片和电极层的这些层压材料单元的损坏。该生产方法包括将各由在载体片上的陶瓷坯片、电极层和防粘层按所述顺序组成的多个层压材料单元进行层压的步骤，其中层压材料单元进行定位以使层压材料单元的防粘层的表面接触到在载体表面上形成的粘合剂层表面，要求在层压材料单元和载体片之间的粘合强度高于在载体片和陶瓷坯片之间的粘合强度和低于在层压材料单元和防粘层之间的粘合强度，对其加压处理来将层压材料单元层压在载体上。

公开(公告)号：CN1768017A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480008819.7

申请日：2004-01-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤茂树 ,  外海透 ,  樱井俊雄 ,  小林央始 ,  中村知子 ,  野村武史

IPC: C04B35/634

CPC classification number: C04B35/634 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/61 ,  C04B2235/963 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种含有陶瓷粉体、粘合剂树脂、增塑剂、溶剂的生片材用涂料，粘合剂树脂含有聚乙烯醇缩丁醛树脂，上述聚缩丁醛树脂的聚合度为1000以上、1700以下，树脂的缩丁醛化度的标称值为65％以上、小于78％，残留乙酰基量不足6％。

公开(公告)号：CN1754234A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200380109979.6

申请日：2003-12-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 唐津真弘 ,  佐藤茂树 ,  野村武史

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/012 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/308

Abstract: 在将电极层(12a)压在厚度3μm以下的生片(10a)的表面，将电极层(12a)粘结在生片(10a)的表面之际，在电极层(12a)的表面或生片(10a)的表面形成0.02－0.3μm厚的粘结层(28)。能够在生片不会破坏或变形的前提下在生片的表面容易且高精度地转印干式电极层。

公开(公告)号：CN1181499C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN01119797.8

申请日：2001-05-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤茂树 ,  寺田佳弘 ,  藤川佳则

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 提供了介质陶瓷和能提高在负载下高温绝缘电阻的耐久性，即IR退化寿命的电子元件。一种介电层包括含BaTiO3为主要成分的介质陶瓷；及含下列四种辅助成分：Mg、Ca、Ba、Sr和Cr之中至少一种元素；SiO2；V、Mo和W中至少一种元素；及Er、Tm、Yb、Y、Dy和Ho中至少一种元素。优选在介质陶瓷中具有空隙的晶粒的存在率为10%或更低，平均晶粒直径大于0.1μm但≤0.7μm。改善IR退化寿命。优选使用草酸盐法或固相法合成的BaTiO3粉末作为原料，该BaTiO3粉末具有Ba/Ti比例大于1而小于1.007。

公开(公告)号：CN1094917C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN99801726.4

申请日：1999-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤井真理 ,  佐藤阳 ,  佐藤茂树 ,  野村武史

IPC: C04B35/49 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B35/486 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: 考虑到含镍内电极多层陶瓷电容器的制备包括使内电极末端外露的抛光步骤，为了防止抛光步骤的延长，本发明制备了一种抗还原介电陶瓷材料，是通过下列步骤实现的：配成包含以式(I)[(CaxSr1-x)O]m[(TiyZr1-y)O2]表示的复合氧化物作为主成分的煅烧材料，其中0≤x≤1，0≤y≤0.10及0.75≤m≤1.04，添加基于主成分0.001-10mol%的MgO或稀土氧化物，并烧结所得混合物。该陶瓷材料包含预定量的SiO2和BaO和/或CaO、和MnO作为辅助成分。

公开(公告)号：CN1093100C

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN98801275.8

申请日：1998-09-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高桥千寻 ,  佐藤茂树

IPC: C04B35/46 ,  H01C7/02

CPC classification number: C04B35/4682 ,  H01C7/025

Abstract: 本发明的钛酸钡系半导体陶瓷，由于陶瓷作为主成分含有BaCO3，而作为微量相的组合物分别含有Ba2TiSi2O8和BanTimOn+2m(1≤n≤4，2≤m≤13，n＜m)且构成为使得作为上述微量相的组合物的Ba2TiSi2O8和BanTimOn+2m的含有比(Ba2TiSi2O8/BanTimOn+2m)为0.5～80.0，故耐压非常优良，作为产品器件可以保证高的可靠性。而且，作为产品器件具有用于使之充分发挥功能的适当的室温电阻率ρ25。

公开(公告)号：CN1241284A

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN98801480.7

申请日：1998-10-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 五十岚克彦 ,  增田淳 ,  内田知子 ,  德冈保导 ,  佐藤茂树

IPC: H01G4/12 ,  H01C13/00

CPC classification number: H01C1/142 ,  H01C7/18 ,  H01C17/006 ,  H01G4/2325 ,  H01G4/40

Abstract: 本发明提供一种电子器件,它包括:含有在氧化性气氛中烧制时会转化成氧化物的第一金属的第一金属层,以及通过烧制含有在氧化性气氛中烧制时不会转化成氧化物的金属的第二金属粒子形成的第二金属层,以及夹在这两个金属层之间的中间氧化物层。该中间氧化物层含有第一金属层中所含第一金属的氧化物。优选地,第二金属层中所含的第二金属粒子分散在该中间氧化物层。可用简单步骤得到均匀的氧化物层,且由该氧化物层形成的电阻值易于高精度地控制。从而可以得到一种电子器件,其中氧化物层与其它的含有金属的层的结合强度得到提高,且与导线的结合强度也得到提高。