公开(公告)号：CN103003918A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035598.2

申请日：2011-07-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部繁树 ,  浅川钢儿 ,  中村裕子 ,  北川良太 ,  清野由里子 ,  菅野正洋 ,  比嘉百夏

IPC: H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3081 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。

公开(公告)号：CN101952195B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200980105024.0

申请日：2009-01-27

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德 ,  卡尔·施蒂恩

IPC: C08L53/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/0337 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10S977/778 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/789 ,  Y10S977/79 ,  Y10T428/24058 ,  Y10T428/24124 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/24182

Abstract: 本发明提供利用自组装嵌段共聚物沿一维阵列制造亚光刻、纳米级微结构的方法和由所述方法形成的膜和装置。

公开(公告)号：CN101432224B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200780013749.8

申请日：2007-04-04

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 渡边茂 ,  李晶泽

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B32B3/14

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在基板表面排列有大小及形状被控制的0价金属块而成的金属纳米结构体及其制造方法。包含两亲介质性嵌段共聚物的微相分离膜的形态是，在该膜内与膜表面垂直的方向上具有多个亲水性的微径柱体。利用含有两亲介质性嵌段共聚物和所期望的金属离子的溶液成膜、或者在制作两亲介质性嵌段共聚物的微相分离膜后使之与含金属离子的溶液接触，从而在亲水性的微径柱体中局部地存在金属离子。通过对该微相分离膜进行还原处理和有机物的除去处理，从而能够得到在基板上将多个大致圆柱状或大致呈圆球状或者将它们组合而成的形状的0价的金属块以一定间隔排列而成的基板。作为该处理，可以是紫外线或者电子束照射、等离子处理、化学还原法、或者电化学还原法。

公开(公告)号：CN101170126B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710141185.8

申请日：2007-08-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨海宁 ,  李伟健

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28123 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种包括位于半导体衬底表面上的至少一个晶体管的半导体结构，其中该至少一个晶体管具有亚光刻沟道长度。也提供一种使用自组装嵌段共聚物形成这种半导体结构的方法，其中自组装嵌段共聚物可以使用预制硬掩模图案而位于特定位置。

公开(公告)号：CN101978469A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110382.0

申请日：2009-03-03

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德 ,  蒂莫西·奎克

IPC: H01L21/033 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/76828 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  C08F299/02 ,  C08F299/0492 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供使用自我组装嵌段共聚物以制造亚光刻纳米级微结构的方法、和自所述方法形成的膜及装置。

公开(公告)号：CN101939253A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104087.4

申请日：2009-02-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·T·布莱克 ,  T·J·达尔顿 ,  B·B·多里斯 ,  C·拉登斯

IPC: B82B3/00

CPC classification number: H01L21/0338 ,  B81B2203/0369 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L51/0017 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/887 ,  Y10S977/888 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24736 ,  Y10T428/24802

Abstract: 在一个实施例中，包围大区域的六边形瓦片被分为三个群组，每个群组含有彼此分离的所有六边形瓦片的三分之一。在模板层(2OA，2OB，20C)中形成每个群组(01，02，03)中的六边形瓦片的开口，且在每个开口内施加并构图自组装嵌段共聚物的组。重复该过程三次以涵盖所有三个群组，产生遍布宽广区域的自对准图形。在另一实施例中，该大区域被分为两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序范围。以顺序方式在每一群组中形成自组装自对准的线与间隔结构(4OA，5OA；4OB，5OB；4OC，50C)，从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。

公开(公告)号：CN101849282A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200880111653.X

申请日：2008-09-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 卡尔·J·拉登斯 ,  布鲁斯·多丽丝 ,  杰伊·W·斯特兰 ,  安东尼·斯坦珀

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28518 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00095 ,  B81C2201/0149 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 自组聚合物技术被用以在存在于半导体结构的导电接触区域的材料中形成至少一有序的纳米尺寸图案。具有有序的，纳米尺寸图案的材料为互连结构的导电材料，或场效晶体管的半导体源极和漏极扩散区。接触区域中有序的纳米尺寸图案材料的存在增加了后续形成接触的总体面积(即界面面积)，继而减少该结构的接触电阻。接触电阻的减少继而改善了通过结构的电流。除上述外，由于结面积保持不变，因此本发明方法和结构不影响该结构的结电容。

公开(公告)号：CN101335190B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810128529.6

申请日：2008-06-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈光荣 ,  李伟健 ,  杨海宁

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047

Abstract: 公开了将自组装纳米结构图案化和形成多孔电介质的方法。一方面，该方法包括在下层上提供硬掩模；用光刻胶在该硬掩模上预限定待在图案化过程中进行保护的区域；在该硬掩模及该光刻胶上形成共聚物层；由该共聚物形成自组装纳米结构；以及蚀刻以将该自组装纳米结构图案化。

公开(公告)号：CN101432224A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780013749.8

申请日：2007-04-04

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 渡边茂 ,  李晶泽

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B32B3/14

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在基板表面排列有大小及形状被控制的0价金属块而成的金属纳米结构体及其制造方法。包含两亲介质性嵌段共聚物的微相分离膜的形态是，在该膜内与膜表面垂直的方向上具有多个亲水性的微径柱体。利用含有两亲介质性嵌段共聚物和所期望的金属离子的溶液成膜、或者在制作两亲介质性嵌段共聚物的微相分离膜后使之与含金属离子的溶液接触，从而在亲水性的微径柱体中局部地存在金属离子。通过对该微相分离膜进行还原处理和有机物的除去处理，从而能够得到在基板上将多个大致圆柱状或大致呈圆球状或者将它们组合而成的形状的0价的金属块以一定间隔排列而成的基板。作为该处理，可以是紫外线或者电子束照射、等离子处理、化学还原法、或者电化学还原法。

公开(公告)号：CN101269791A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810083086.3

申请日：2008-03-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郑雅如 ,  金昊辙 ,  R·D·米勒

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: B29D22/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  C08L53/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/701 ,  Y10S977/712 ,  Y10S977/788 ,  Y10S977/932 ,  Y10T428/1393 ,  Y10T428/24132 ,  Y10T428/249921 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/24

Abstract: 公开了一种形成纳米结构的方法和纳米结构。提供第一嵌段共聚物。提供具有高能中性表面层的衬底，该表面层具有至少一个整体布置在其上的沟槽，该沟槽具有侧壁。在沟槽内部形成第一嵌段共聚物的第一膜。组装第一嵌段共聚物的成线微畴，并且在第一膜内形成第一自组装结构，该第一自组装结构与侧壁垂直而与表面层平行。从第一膜中去除至少一个微畴，使得取向结构保留在沟槽中，其中该取向结构垂直于侧壁而与表面层平行。提供第二嵌段共聚物。在沟槽内形成第二嵌段共聚物的第二膜。组装第二嵌段共聚物的成线微畴，并在第二膜内形成第二自组装结构，第二自组装结构的取向为垂直于取向结构而与侧壁平行。