公开(公告)号：CN106276772B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201610465132.0

申请日：2016-06-23

Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司

Inventor： A·甘德尔曼 ,  A·皮恩

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0198 ,  G04B13/02 ,  G04B13/026 ,  G04B13/027 ,  G04D99/00

Abstract: 本发明涉及具有至少一个减少的接触面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁“博世”蚀刻，所述硅基部件特别是改进了由微加工硅基片形成的部件的摩擦性能。

公开(公告)号：CN108249389A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201611245364.1

申请日：2016-12-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 杨兴 ,  章城 ,  朱华敏

IPC: B81C1/00 ,  C23C14/04 ,  C23F1/02

CPC classification number: B81C1/00396 ,  B81C1/00373 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0198 ,  C23C14/042 ,  C23F1/02

Abstract: 本发明公开了一种利用糖作掩模的微纳加工方法，其包括步骤：S10、提供熔融状态的糖或糖溶液；S20、将熔融状态的糖或糖溶液施加到待加工的样品表面，形成掩模图案；S30、对形成掩模图案后的样品进行微纳加工；S40、将微纳加工后的样品放入糖溶性液体中，以去除样品表面的糖。本发明的微纳加工方法能够提高微纳加工的精度和效率，降低成本，同时大大减轻对环境和操作人员人身健康的不利影响。

公开(公告)号：CN107473176A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710427401.9

申请日：2017-06-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.贝格迈斯特 ,  T.格里勒 ,  U.黑德尼希

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/019 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  H04R19/005 ,  H04R19/016 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  B81C1/00404 ,  B81B7/008 ,  B81B7/02 ,  B81B2207/03 ,  B81C2201/0198

Abstract: 本发明涉及微机电器件和制作微机电器件的方法。一种制作微机电部件的方法，该方法包括：在层之上形成掩模，该掩模包括结构化表面；将掩模的包括结构化表面的区域加热到掩模的玻璃转变温度以上，以使结构化表面的边缘平滑从而形成波状表面；对被掩模覆盖的层进行刻蚀，所述刻蚀去除掩模以将掩模的波状表面传递到层中并且形成该层的波状表面；在层之上形成隔膜，以形成隔膜的被配置为致动的波状区域；以及形成导电部件，该导电部件被配置为以下中至少之一：响应于传输到导电部件的电信号而提供用于致动隔膜的力，以及响应于隔膜的致动而提供电信号。

公开(公告)号：CN103922269B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410019257.1

申请日：2014-01-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  H04R27/00

CPC classification number: B81C1/00325 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0198

Abstract: MEMS器件、MEMS器件的系统、制作MEMS器件的方法。一种MEMS器件、制作MEMS器件的方法和MEMS器件的系统被示出。在一个实施例中，MEMS器件包括第一聚合物层，设置在第一聚合物层上的MEMS衬底和由MEMS衬底支撑的MEMS结构。该MEMS器件进一步包括在MEMS衬底中设置的第一开口和在第一聚合物层中设置的第二开口。

公开(公告)号：CN103839785B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310445648.5

申请日：2013-09-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·A·古罗恩 ,  黎家辉 ,  J·W·皮特拉 ,  蔡欣妤

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81B7/0006 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明涉及形成构图结构的方法。在中性聚合物层之上形成模板层之后，自组装嵌段共聚物材料被施加并且自组装。该模板层包括第一线状部分、比所述第一线状部分短的第二线状部分、以及具有比所述第二线状部分大的宽度的块状模板结构。在远离在宽度方向上延伸的部分的区域中，该自组装嵌段共聚物材料被相分离成交替薄层。所述块状模板结构扰乱所述薄层并且引起所述薄层的终止。在聚合物嵌段成分被选择性地去除时，形成与所述第一和第二线状部分平行并且与块状模板结构自对准地终止的腔。所述腔的图形可以被反转并转移到材料层中以形成具有不同长度的鳍。

公开(公告)号：CN101578232B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880001744.8

申请日：2008-01-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033

CPC classification number: C23F1/02 ,  B05D3/00 ,  B05D5/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/3086 ,  Y10S438/947

Abstract: 嵌段共聚物可自组装并用于(例如)本文所述的亚光刻图案化方法中。所述嵌段共聚物可为二嵌段共聚物、三嵌段共聚物、多嵌段共聚物、或其组合。所述方法可用于制造包括(例如)亚光刻导线等装置。

公开(公告)号：CN101894794A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010185195.3

申请日：2010-05-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郑雅如 ,  黎家辉 ,  李伟健 ,  罗英惠 ,  C·雷特纳 ,  D·P·桑德斯 ,  杨达

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76816 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  Y10S438/947

Abstract: 本文使用聚合物定向自组装形成子平版印刷特征的方法，描述了包括嵌段共聚物自组装的方法，其中从具有目标CD(临界尺寸)的开孔(在一个或多个基板中)开始，在规则阵列或随机排列中形成孔。显著地，所形成孔的平均直径中的百分偏差小于初始开孔的平均直径中的百分偏差。可将形成的孔(或通孔)传递到下面的基板中，且随后向这些孔中回填材料，如金属导体。甚至是在低于22nm技术关键点下，本发明的优选方面能够产生具有较密节距和较好CD均匀性的通孔。

公开(公告)号：CN101578232A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880001744.8

申请日：2008-01-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033

CPC classification number: C23F1/02 ,  B05D3/00 ,  B05D5/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/3086 ,  Y10S438/947

Abstract: 嵌段共聚物可自组装并用于(例如)本文所述的亚光刻图案化方法中。所述嵌段共聚物可为二嵌段共聚物、三嵌段共聚物、多嵌段共聚物、或其组合。所述方法可用于制造包括(例如)亚光刻导线等装置。

公开(公告)号：CN105068166B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201510275299.6

申请日：2015-05-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心

Inventor： 欧欣 ,  贾棋 ,  斯蒂芬·福斯柯 ,  王曦

IPC: G02B5/18

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0198 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明的高线密度极紫外多层膜闪耀光栅的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后在所述锯齿状纳米结构周期阵列的表面生长周期性多层膜，形成极紫外多层膜闪耀光栅。本发明制备极紫外多层膜闪耀光栅只需要两步，大大简化了传统制备方法的复杂工艺。此外，采用本发明的制备方法，将大大增加闪耀光栅的栅线密度，从而大幅度地提高极紫外多层膜闪耀光栅的衍射效率和光谱分辨率。

公开(公告)号：CN105637405A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201480057389.1

申请日：2014-11-07

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 平田泰之 ,  松冈元

IPC: G02B26/08 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00603 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0198 ,  G02B26/0841

Abstract: 在从第一硅层(210)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第一蚀刻工序中，将第一结构体中的由第一硅层(210)所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构。在将最终掩模(390)形成在SOI基板(200)的第二硅层(230)侧的掩模形成工序中，将与第一结构体的最终形状对应的第一掩模(391)形成为布置在预结构内。在从第二硅层(230)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第二蚀刻工序中，通过利用第一掩模(391)对第二硅层(230)和预结构进行蚀刻，从而形成第一结构体的最终形状。