公开(公告)号：JP4593049B2

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：JP2001557083

申请日：2001-01-29

Applicant: アナログ デバイシーズ インコーポレイテッド

Inventor： マーティン，ジョン，アール．

IPC: H01L21/316 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3122 ,  B81B3/0005 ,  B81C1/0096 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02263 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: This invention discloses a process for forming durable anti-stiction surfaces on micromachined structures while they are still in wafer form (i.e., before they are separated into discrete devices for assembly into packages). This process involves the vapor deposition of a material to create a low stiction surface. It also discloses chemicals which are effective in imparting an anti-stiction property to the chip. These include polyphenylsiloxanes, silanol terminated phenylsiloxanes and similar materials.

公开(公告)号：JP2007524995A

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：JP2006509463

申请日：2004-03-30

Applicant: ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： クローンミューラー，ズィルヴィア ,  パートリッジ，アーロン ,  ルーツ，マルクス

IPC: H01L21/316 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  G01P15/08 ,  H01L21/318 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/095 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136

Abstract: 本明細書には多数の発明が説明及び図示される。 １つの態様において、本発明は、最終的なパッケージングの前にチャンバー（２６）に封入される機械的構造（１２）と、少なくとも部分的にチャンバーの外に配置されたコンタクト領域（２４）とを有するＭＥＭＳ装置、及びＭＥＭＳ装置の組み立て又は製造の方法を目的とする。 コンタクト領域（２４）は、コンタクト領域の周囲に置かれた誘電分離トレンチ（４６）により、近くの導電領域から電気的に分離される。 機械的構造を封止する素材（２８）は、堆積された際に、１つ又はそれ以上の以下の属性を備える。 即ち、引張応力が低く、良好なステップカバレージを有し、その後の処理において完全性を維持し、チャンバー内の機械的構造の性能特性に大きな及び／又は悪い影響を与えず（堆積期間に素材でコーティングされた場合）、及び／又は、高性能集積回路の統合を可能とする。 １つの実施の形態において、機械的構造を封止する素材は、例えば、シリコン（多結晶、アモルファス、又は多孔性の不純物を添加された又はされないシリコン）、炭化シリコン、シリコン・ゲルマニウム、ゲルマニウム又はヒ化ガリウムである。

公开(公告)号：JP2017106857A

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：JP2015242090

申请日：2015-12-11

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 赤坂 俊輔

IPC: G01N27/12

CPC classification number: G01N27/125 ,  B81B7/0061 ,  B81C1/00206 ,  G01N33/004 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0176

Abstract: 【課題】よりCO 2 ガスの選択性を向上させることが可能な半導体式ガスセンサ、半導体式ガスセンサの製造方法、およびセンサネットワークシステムを提供する。 【解決手段】CO 2 ガスセンサは、CO 2 ガスを検出する半導体式ガスセンサであって、SnO 2 31の表面が希土類酸化物の薄膜32でコーティングされたガス感応体30と、ガス感応体30に密着形成された正負一対の電極28L,28Rと、ガス感応体30を加熱するためのマイクロヒータMHとを備える。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2015019310A

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：JP2013146346

申请日：2013-07-12

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

Inventor： SANO TAKAHIRO ,  NAONO TAKAYUKI

IPC: H03H9/17 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  G01L9/08 ,  G01P15/09 ,  H01L29/84 ,  H01L41/113 ,  H01L41/316 ,  H04R17/00 ,  H04R17/10

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/0176 ,  G01C19/56 ,  G01P15/09 ,  G01P2015/084 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1138 ,  H01L41/319 ,  H03H9/17 ,  H03H2003/027 ,  H03H2003/0414 ,  H04R17/10 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003

Abstract: 【課題】共振周波数安定性を高めるダイアフラム型共振MEMSデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板の第1の面に、熱酸化により、又は900℃以上の熱処理を含むプロセスにより形成する第1のシリコン酸化膜、絶対値が100[MPa]以下の応力を有する第2のシリコン酸化膜、下部電極、圧電体膜、上部電極を当該順に積層し、シリコン基板の第1の面の反対側の面を深堀り反応性イオンエッチングにより第1のシリコン酸化膜に到達するまでエッチング加工して凹部を形成する。第1のシリコン酸化膜の膜厚をt1、第2のシリコン酸化膜の膜厚をt2、第1のシリコン酸化膜と第2のシリコン酸化膜における第2のシリコン酸化膜の厚さの割合t2/(t1+t2)をR2とすると、0.10[μm]≦̸t1≦̸2.00[μm]、かつ、R2≧0.70を満たす。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种提高谐振频率稳定性的膜片式共振MEMS器件，以及制造隔膜式谐振MEMS器件的方法。解决方案：通过热氧化形成的第一氧化硅膜或包括热处理的工艺 900℃以上，绝对值为100 [MPa]以下的应力的第二氧化硅膜，下电极，压电膜和上电极依次层叠在硅基板的第一面上 并且通过深反应离子蚀刻蚀刻在与第一表面相对的一侧上的硅衬底的表面，直到到达第一氧化硅膜，从而形成凹部。 当第一氧化硅膜的厚度定义为t时，第二氧化硅膜的厚度被定义为t，并且第二氧化硅膜的厚度相对于第二氧化硅膜的厚度的比率t /（t + t） 第一氧化硅膜和第二氧化硅膜的厚度定义为R2，0.10 [μm]≤t≤2.00[μm]，R≥0.70。

公开(公告)号：JP4895805B2

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：JP2006509463

申请日：2004-03-30

Applicant: ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： クローンミューラー，ズィルヴィア ,  パートリッジ，アーロン ,  ルーツ，マルクス

IPC: H01L21/316 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  G01P15/08 ,  H01L21/318 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/095 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136

公开(公告)号：JP4180663B2

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：JP50124399

申请日：1998-04-17

Applicant: ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

Inventor： ショフタラー，マルティン ,  スカパ，ヘルムート ,  ハイン，ペーター ,  メンツェル，ホルスト

IPC: B81C1/00 ,  G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  G01P1/02 ,  G01P15/08

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B3/0005 ,  B81C1/0096 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  G01P1/023

公开(公告)号：US20240246812A1

公开(公告)日：2024-07-25

申请号：US18564996

申请日：2022-06-22

Applicant: UNIVERSITY OF WASHINGTON

Inventor： Bo Zhang ,  Todd Anderson ,  Chris McAllister

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  C03C15/00 ,  C03C17/22 ,  C03C17/245 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  G01N33/487

CPC classification number: B81C1/00341 ,  B81B7/00 ,  C03C15/00 ,  C03C17/225 ,  C03C17/245 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  G01N33/48721 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/019 ,  C03C2218/152 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/32

Abstract: An ultrathin free-standing solid state membrane, including an etched well on a glass wafer, and a layer of SiX deposited on a backside of the etched well on the glass wafer.

公开(公告)号：US20180201503A1

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：US15923013

申请日：2018-03-16

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： Michael T. Brigham ,  Christopher V. Jahnes ,  Cameron E. Luce ,  Jeffrey C. Maling ,  William J. Murphy ,  Anthony K. Stamper ,  Eric J. White

IPC: B81C1/00 ,  G06F17/50 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714 ,  G06F17/5009

Abstract: Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structures are disclosed. The method includes forming a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) beam structure by venting both tungsten material and silicon material above and below the MEMS beam to form an upper cavity above the MEMS beam and a lower cavity structure below the MEMS beam.

公开(公告)号：US20180201502A1

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：US15916962

申请日：2018-03-09

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： Michael T. Brigham ,  Christopher V. Jahnes ,  Cameron E. Luce ,  Jeffrey C. Maling ,  William J. Murphy ,  Anthony K. Stamper ,  Eric J. White

IPC: B81C1/00 ,  G06F17/50 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714 ,  G06F17/5009

Abstract: Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structures are disclosed. The method includes forming a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) beam structure by venting both metal material and silicon material above and below the MEMS beam to form an upper cavity above the MEMS beam and a lower cavity structure below the MEMS beam.

公开(公告)号：US09981842B2

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：US15162988

申请日：2016-05-24

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： Michael T. Brigham ,  Christopher V. Jahnes ,  Cameron E. Luce ,  Jeffrey C. Maling ,  William J. Murphy ,  Anthony K. Stamper ,  Eric J. White

IPC: B81C1/00 ,  G06F17/50 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714 ,  G06F17/5009

Abstract: Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structures are disclosed. The method includes forming a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) beam structure by venting both tungsten material and silicon material above and below the MEMS beam to form an upper cavity above the MEMS beam and a lower cavity structure below the MEMS beam.