公开(公告)号：US20020150840A1

公开(公告)日：2002-10-17

申请号：US10061273

申请日：2002-02-04

Applicant: PIONEER CORPORATION

Inventor： Masahiro Katsumura ,  Tetsuya Iida ,  Nobuhiro Oda ,  Takashi Ueno

IPC: C25D005/54 ,  C25D005/56

CPC classification number: C25D1/10 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/032

Abstract: A stamper-forming electrode material contains Cu as its main ingredient and at least one other element, preferably Ag and/or Ti. It is preferred that the Ag content be 10.0 wt % or less and that the Ti content be 5.0 wt % or less. A stamper-forming thin film is made of this stamper-forming electrode material, whereby its corrosion resistance is improved to suppress damage to itself, and a high-quality stamper can hence be formed.

Abstract translation: 压模形成电极材料包含Cu作为其主要成分和至少一种其它元素，优选Ag和/或Ti。 Ag含量优选为10.0重量％以下，Ti含量为5.0重量％以下。 压模形成薄膜由该压模形成用电极材料制成，由此其耐腐蚀性得到改善以抑制其自身的损坏，因此可以形成高质量的压模。

公开(公告)号：US5660680A

公开(公告)日：1997-08-26

申请号：US207459

申请日：1994-03-07

Applicant: Christopher G. Keller

Inventor： Christopher G. Keller

IPC: H01L29/84 ,  A61K9/00 ,  A61K9/50 ,  B01D39/16 ,  B01D39/20 ,  B01D67/00 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  C23C16/01 ,  G03F7/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  A61K9/0024 ,  A61K9/0097 ,  B01D39/1692 ,  B01D39/20 ,  B01D67/0058 ,  B01D67/0062 ,  B01D67/0072 ,  B01D67/0083 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  B81B1/002 ,  B81B1/004 ,  B81C99/0085 ,  C23C16/01 ,  G03F7/00 ,  B01D2323/24 ,  B01D2325/04 ,  B01D2325/08 ,  B81C2201/032 ,  B81C2203/0728 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/24149 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24744

Abstract: This invention relates to the area of microelectromechanical systems in which electronic circuits and mechanical devices are integrated on the same silicon chip. The method taught herein allows the fabrication of thin film structures in excess of 150 microns in height using thin film deposition processes. Wafers may be employed as reusable molds for efficient production of such structures.

Abstract translation: 本发明涉及电子电路和机械装置集成在同一硅芯片上的微机电系统的面积。 本文教导的方法允许使用薄膜沉积工艺制造高度超过150微米的薄膜结构。 可以将晶片用作可重复使用的模具，以有效地生产这种结构。

公开(公告)号：US5496668A

公开(公告)日：1996-03-05

申请号：US340617

申请日：1994-11-16

Applicant: Henry Guckel ,  Todd R. Christenson ,  Kenneth Skrobis

Inventor： Henry Guckel ,  Todd R. Christenson ,  Kenneth Skrobis

IPC: G03F7/027 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H05K3/18

CPC classification number: G03F7/38 ,  B81C1/0038 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/032 ,  Y10S430/168 ,  Y10T428/31504

Abstract: In the formation of microstructures, a preformed sheet of photoresist, such as polymethylmethacrylate (PMMA), which is strain free, may be milled down before or after adherence to a substrate to a desired thickness. The photoresist is patterned by exposure through a mask to radiation, such as X-rays, and developed using a developer to remove the photoresist material which has been rendered susceptible to the developer. Micrometal structures may be formed by electroplating metal into the areas from which the photoresist has been removed. The photoresist itself may form useful microstructures, and can be removed from the substrate by utilizing a release layer between the substrate and the preformed sheet which can be removed by a remover which does not affect the photoresist. Multiple layers of patterned photoresist can be built up to allow complex three dimensional microstructures to be formed.

公开(公告)号：US5378583A

公开(公告)日：1995-01-03

申请号：US66988

申请日：1993-05-24

Applicant: Henry Guckel ,  Todd R. Christenson ,  Kenneth Skrobis

Inventor： Henry Guckel ,  Todd R. Christenson ,  Kenneth Skrobis

IPC: G03F7/027 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H05K3/18 ,  G03C5/00

CPC classification number: G03F7/38 ,  B81C1/0038 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/032 ,  Y10S430/168 ,  Y10T428/31504

Abstract: In the formation of microstructures, a preformed sheet of photoresist, such as polymethylmethacrylate (PMMA), which is strain free, may be milled down before or after adherence to a substrate to a desired thickness. The photoresist is patterned by exposure through a mask to radiation, such as X-rays, and developed using a developer to remove the photoresist material which has been rendered susceptible to the developer. Micrometal structures may be formed by electroplating metal into the areas from which the photoresist has been removed. The photoresist itself may form useful microstructures, and can be removed from the substrate by utilizing a release layer between the substrate and the preformed sheet which can be removed by a remover which does not affect the photoresist. Multiple layers of patterned photoresist can be built up to allow complex three dimensional microstructures to be formed.

Abstract translation: 在微结构的形成中，可以在将粘附到基底上之前或之后将预成型的光致抗蚀剂片材（例如无甲基丙烯酸甲酯（PMMA））磨碎到期望的厚度。 光致抗蚀剂通过掩模通过掩模曝光到例如X射线的辐射而被图案化，并且使用显影剂显影以除去已经对显影剂易感的光致抗蚀剂材料。 微米结构可以通过将金属电镀到已经除去光致抗蚀剂的区域中而形成。 光致抗蚀剂本身可以形成有用的微结构，并且可以通过利用基材和预成型片材之间的剥离层从基材上除去，该剥离层可以通过不影响光致抗蚀剂的去除剂去除。 可以构建多层图案化的光致抗蚀剂，以形成复杂的三维微结构。

公开(公告)号：JP6139628B2

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：JP2015199175

申请日：2015-10-07

Applicant: ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム

Inventor： フィリップ・デュボワ ,  クリスチャン・シャルボン

IPC: G04B13/02 ,  G04B1/14 ,  C25D1/00 ,  G04B37/22

CPC classification number: C25D21/04 ,  B81C1/00674 ,  C22C19/03 ,  C22C45/04 ,  C25D1/003 ,  G04B1/145 ,  G04B13/02 ,  G04B15/00 ,  G04B15/14 ,  G04B37/22 ,  G04D3/0074 ,  B81B2201/035 ,  B81C2201/032

公开(公告)号：JP2015042788A

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：JP2014232626

申请日：2014-11-17

Applicant: ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア ,  Univ Of Southern California ,  ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア

Inventor： COHEN ADAM L

IPC: B81C1/00 ,  C25D1/00 ,  B21C37/00 ,  C23F1/00 ,  C25D20060101 ,  C25D1/10 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D7/12 ,  C25D17/06 ,  C25D19/00 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288 ,  H05K3/24

CPC classification number: C25D5/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D5/22 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/241 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/239

Abstract: 【課題】構成材料と犠牲材料の両方の着電に基づいて多層3次元構造を形成する。【解決手段】めっきされる基板2に、マスク6および支持体8を含む第1の物品4aを接触させ、第1の金属イオン源が存在している状態で、第1の金属(例えば犠牲金属)12を堆積し、マスク16および支持体18を含む第2の物品14を基板2に接触させ、第2の金属イオン源が存在している状態で、第2の金属(例えば構成金属)20を堆積し、層を平坦化する。そして、異なるパターンの電気めっき物品4a、4b、14a、14bを用いて上記した方法を繰り返し、多層構造24を生成する。犠牲金属12の全てをエッチングすることによって、エレメント26を得る。【選択図】図11

Abstract translation: 要解决的问题：在结构材料和牺牲材料的电沉积的基础上形成多层三维结构。解决方案：将待镀的基板2与第一制品4a接触，第一制品4a包括 面罩6和支架8; 在第一金属离子源的存在下沉积第一金属12（例如，牺牲金属）; 基板2与包括掩模16和支架18的第二物品14a接触; 在第二金属离子源的存在下沉积第二金属20（例如，结构金属）; 该层被平坦化; 并且使用不同图案化的电镀制品4b，4c，14b，14c重复该方法，以产生多层结构24，其在所有牺牲金属12被蚀刻之后变成元件26。

公开(公告)号：JP2014159645A

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：JP2014109958

申请日：2014-05-28

Applicant: Rolex Sa ,  ロレックス・ソシエテ・アノニムRolex Sa

Inventor： SAUCY CLEMENT

IPC: C25D1/00 ,  C25D1/20 ,  G04B15/14

CPC classification number: C25D1/003 ,  B81B2201/035 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/20 ,  G03F7/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process for fabricating a monolayer or multilayer metal structure in LIGA technology.SOLUTION: In the process, a photoresist layer is deposited on a flat metal substrate; a photoresist mold is created by irradiation or electron bombardment or ion bombardment; a metal or alloy is electroplated in this mold; the electroformed metal structure is detached from the substrate; and the photoresist is separated from this metal structure. In the process, the metal substrate is used as an agent involved in the forming of at least one surface of the metal structure other than a surface formed by the plane surface of the substrate.

Abstract translation: 要解决的问题：提供在LIGA技术中制造单层或多层金属结构的方法。解决方案：在该过程中，光致抗蚀剂层沉积在平坦的金属基底上; 通过照射或电子轰击或离子轰击产生光致抗蚀剂模具; 在该模具中电镀金属或合金; 电铸金属结构与基板分离; 并且光致抗蚀剂与该金属结构分离。 在该过程中，金属基材用作除了由基材的平面表面形成的表面以外的金属结构的至少一个表面的形成中使用的试剂。

公开(公告)号：JP2012529377A

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：JP2012514411

申请日：2010-05-26

Applicant: ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム

Inventor： フッシンガー，アレキサンドレ

IPC: B81C99/00 ,  C25D1/00

CPC classification number: C25D1/003 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/20 ,  C25D5/022 ,  G03F7/0035 ,  Y10T29/49124

Abstract: 本発明は、複数の金属微小構造体を製造する方法であって、
ａ）導電基板、または導電シード層で被覆された絶縁基板を用意する工程と、
ｂ）基板表面の導電部分の上に感光性樹脂の層を塗布する工程と、
ｃ）感光性樹脂層の表面を平坦化して、望みの厚さおよび／または表面状態にする工程と、
ｄ）望みの微小構造体の外形に合ったマスクを通して樹脂層にＵＶ照射する工程と、
ｅ）感光性樹脂層の重合されていない領域を溶解して、基板の導電面が所々見えるようにする工程と、
ｆ）上記導電層の上に少なくとも１層の金属層をガルバニック堆積して、ほぼ感光性樹脂の上面の高さまで達するユニットを形成する工程と、
ｇ）樹脂と電鋳ユニットが同じ高さになるように樹脂および電鋳金属を平坦化し、それにより電鋳部品または微小構造体を形成する工程と、
ｈ）樹脂層および電気めっき部品を基板から分離する工程と、
ｉ）工程ｇ）の最後に出来上がった構造から感光性樹脂の層を除去して、上記のようにして形成された微小構造体を取り出す工程とを含むことを特徴とする方法に関する。
【選択図】図２ｉ

公开(公告)号：EP3302893A1

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：EP16727322.6

申请日：2016-05-19

Applicant: TTY-SÄÄTIÖ SR.

Inventor： SAKETI, Pooya ,  KALLIO, Pasi

IPC: B25J7/00 ,  B81C99/00 ,  G02B21/32

CPC classification number: B25J13/082 ,  B25J7/00 ,  B25J15/00 ,  B25J15/0028 ,  B81B2201/0292 ,  B81C99/002 ,  B81C2201/032

Abstract: The invention is related to a micro handling device for handling micro objects and for measuring forces exerted on said micro objects, including a micro gripper and a force sensor connected to said micro gripper, In order to provide such handling device which is rather simple and rugged in construction, less expensive than other typical devices used for such purpose and still useful and easily adaptable in measuring linear forces in the range of 10 µN to 1000 mN under relative displacements up to 1 mm or more, the device being applicable to a wide area of materials and components having micro-scale dimensions the present invention proposes that the device comprises a micro spring as the force sensor.

公开(公告)号：EP3266738A1

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：EP16178118.2

申请日：2016-07-06

Applicant: The Swatch Group Research and Development Ltd.

Inventor： Vuille, Pierry ,  Mosteiro Vazquez, Yoann ,  Grossenbacher, Pascal

IPC: B81C99/00 ,  C25D1/00 ,  G04B19/04

CPC classification number: C25D1/003 ,  B81C99/008 ,  B81C2201/032 ,  C23C16/48 ,  G04B19/042 ,  G04D3/0069 ,  G04D3/0074 ,  G04D3/0092

Abstract: Procédé (Pr1) de fabrication d'une pièce (PC), comportant les étapes suivantes :
- Superposer (Pr1_sup) une couche électriquement isolante (CL) comportant un premier orifice (OL1), une couche supplémentaire (CS) comportant une première ouverture (OS1), une couche intermédiaire (CT) comprenant un premier trou (OT1), et une couche de base (CB) surmontée d'un motif de base (MB1)
- Déposer (Pr1_gal) une couche métallique, de sorte qu'à l'issue de cette étape, la couche métallique forme une coque recouvrant des parois électriquement conductrices du motif de base (MB1), du premier orifice (OL1), de la première ouverture (OS1) et du premier trou (OT1), et comporte une zone latérale (EL) reposant sur la couche isolante (CL)
- Dissoudre la couche isolante (CL)
- Recouvrir (Pr1_rec) la couche métallique ou d'alliage (CM) d'un volume (VL) constitué par un matériau de base de la pièce (PC), de sorte que le volume (VL) épouse les formes de la couche métallique (CM).

Abstract translation: 方法（枯草杆菌蛋白酶）用于使工件（PC），其包括以下步骤： - 重叠（Pr1_sup），包括第一孔具有第一开口的电绝缘层（CL）（OL1），附加层（CS）（ OS1），其包括第一孔（OT1），并通过一个基本图案（MB1）超越基层（CB）的中间层（CT） - 删除（Pr1_gal）的金属层，从而使 以下这个步骤中，金属层形成覆盖基部单元的第一开口（OP1）和第一孔（OT1）的所述第一孔口（OL1）的（MB1）的导电壁的外壳，并且包括一 侧区域的绝缘层（CL）上（EL）搁置 - 溶解所述绝缘层（CL） - 组成的基体材料的盖（Pr1_rec）卷的金属或合金层（CM）（VL） （PC），使得体积（VL）与金属层（CM）的形状相匹配。