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公开(公告)号：CN1242093A
公开(公告)日：2000-01-19
申请号：CN97180956.9
申请日：1997-11-03
Applicant: 摩托罗拉有限公司
Inventor： 约翰·赫兰 , 格雷厄姆·亨利·思塔特
IPC: G06K19/073 , H01L27/144
CPC classification number: H01L23/576 , G01J1/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一个光检测装置有一个被安排成为一个反偏晶体管提供一个偏置电流的加偏晶体管。该反偏晶体管有经过一个高阻抗电阻连接到供电电压的一个漏电极。通过检测该漏电极上的电压降可以检测输入可见光。
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公开(公告)号：CN107003180B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201580057425.9
申请日：2015-10-19
Applicant: 库卡工业有限两合公司
CPC classification number: G01J1/0228 , G01J1/0271 , G01J1/42 , G01J1/44 , G01J2001/0285 , G01J2001/4466
Abstract: 本发明涉及一种借助光学传感器监测辐射尤其是激光射线的方法，该光学传感器至少在遭遇辐射时产生影响该辐射的信号、尤其是关停信号，其特征是，采用具有暗电流脉冲的传感器，所述暗电流脉冲作为该传感器的功能能力信号被分析。
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公开(公告)号：CN106662487B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580035678.6
申请日：2015-06-02
Applicant: 国立研究开发法人情报通信研究机构
Inventor： 坂本高秀
IPC: G01J11/00 , G02F1/01 , H04B10/079
CPC classification number: H04B10/079 , G01J1/16 , G01J1/44 , G01J11/00 , G01J2001/1678 , G01J2001/4238 , G01J2001/4242 , G01J2001/4406 , G02F1/01
Abstract: 本发明能够实现超过电信号频带极限的超宽带光信号的集中计测。本发明的光检测装置(100)具有：延时调整机构(10)，其被输入作为检测对象的光信号；光学频率梳发生器(20)，其产生光学频率梳；光混频器(30)，其将从延时调整机构(10)依次输出的经过时间调整的光信号序列和从光学频率梳发生器(20)输出的光学频率梳信号进行光混频；和光检测器(40)，其检测从光混频器(30)输出的混频信号。延时调整机构(10)对光信号序列进行时间调整，以使得经过时间调整的各光信号序列分别在光混频器(30)中分别在不同的时间与光学频率梳进行光混频。
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公开(公告)号：CN109655153A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811458940.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 天津大学
IPC: G01J1/44
CPC classification number: G01J1/44
Abstract: 本发明公开了一种基于非周期光栅化栅源极MOSFET太赫兹探测器，包括具有非周期性光栅化栅源极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET、低噪声前置放大器和电压反馈回路；金属栅MOSFET的栅极和源极均用于接收太赫兹信号，金属栅MOSFET的栅极经一号偏置电阻连接一号偏置电压源，金属栅MOSFET的漏极和低噪声前置放大器的正向输入端之间连接有一号隔直电容；低噪声前置放大器的正向输入端经二号偏置电阻连接二号偏置电压源；电压反馈回路包括反馈电阻、接地电阻、二号隔直电容和三号隔直电容。本发明通过调节栅源极的光栅化结构参数来实现THz响应波段范围的调节，从而提高探测器的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN109632094A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811456367.9
申请日：2018-11-30
Applicant: 天津大学
CPC classification number: G01J1/44 , G01J1/0407 , G01J2001/4446
Abstract: 本发明公开了一种基于周期性光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器，包括具有周期性光栅化栅漏极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET、低噪声前置放大器和电压反馈回路；金属栅MOSFET的栅极和漏极均用于接收太赫兹信号，金属栅MOSFET的栅极经一号偏置电阻连接一号偏置电压源，金属栅MOSFET的源极和低噪声前置放大器的正向输入端之间连接有一号隔直电容；所述低噪声前置放大器的正向输入端经二号偏置电阻连接二号偏置电压源；电压反馈回路包括反馈电阻、接地电阻、二号隔直电容和三号隔直电容。本发明通过调节栅漏极的光栅化结构参数来实现THz响应波段范围的调节，从而提高探测器的探测灵敏度，实现窄带太赫兹探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427924A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810211943.7
申请日：2018-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101
CPC classification number: H01L27/14649 , A61B5/443 , B82Y20/00 , G01J1/44 , G01J5/024 , G01J5/046 , G01J5/0853 , G01J2001/4446 , G01N21/3554 , H01L27/146 , H01L27/14669 , H01L27/14694 , H01L31/022466 , H01L31/03046 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/03845 , H01L31/1013 , H01L31/105 , H01L31/109 , H01L31/101
Abstract: 提供了红外检测器和包括红外检测器的红外传感器。红外检测器包括彼此间隔开的包括第一组分的多个量子点，并且，覆盖所述多个量子点的第一半导体层以及覆盖所述第一半导体层的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN109060127A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810912407.X
申请日：2018-08-11
Applicant: 中山科立特光电科技有限公司
Inventor： 不公告发明人
IPC: G01J1/44
CPC classification number: G01J1/44
Abstract: 本发明涉及一种用于光强度探测的光电桥,包括热敏感线,所述热敏感线的左右两侧设置有正/负电极，热敏感线的中部还设置有电极，所述热敏感线上还设置有孔洞，所述孔洞内填充有金属纳米颗粒；所述正/负电极与基准电源的正/负电极电连接，电阻R1、电阻R2串联后两端与所述基准电源正/负电极电连接，检流计的一端与电极电连接，检流计的另一端与电阻R1、电阻R2串联处电连接；该用于光强度探测的光电桥，虽然也用到电信号，但通过设置有标准光，利用电桥的原理，可以消除掉因环境因素造成电信号变化所造成的监测误差,使得该用于光强度探测的光电桥不受电信号变化的影响。
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公开(公告)号：CN108803731A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810343638.3
申请日：2018-04-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: G01J1/4204 , G01J1/0204 , G01J1/0219 , G01J1/0228 , G01J1/0271 , G01J1/44 , G01J2001/0257 , G01J2001/444 , G01J2001/446 , G05D25/02
Abstract: 本发明提供一种受光量测量系统。受光量测量系统(1)具备：第一受光传感器(110)，其能够安装于身体，用于获取第一受光量；以及控制部(121)，其从第一受光传感器(110)获取与第一受光量有关的信息。而且，在第一受光量为第一规定值以下的情况下，控制部(121)计算对该第一受光量为第一规定值以下的期间的第一受光量进行补充的补充信息，计算补充信息来作为由第一受光传感器(110)获取到的受光量。
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公开(公告)号：CN108140102A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201580082710.6
申请日：2015-10-12
Applicant: 上海箩箕技术有限公司
CPC classification number: G06K9/0004 , G01J1/44 , G01J2001/446 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 一种指纹成像系统及其形成方法。所述指纹成像系统包括：背光系统；位于所述背光系统上的传感器阵列，所述传感器阵列包括多个光电二极管和多个位于相邻的光电二极管之间的透光区；以及位于所述传感器阵列上的防光散射层，所述防光散射层包括多个第一部分和多个位于相邻的第一部分之间的第二部分，所述多个第一部分至少分别覆盖所述多个光电二极管，并且所述多个第一部分的折射率大于所述多个第二部分的折射率。本发明的技术方案可以减少光散射和串扰发生的可能性，提高了所形成图像的质量。
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公开(公告)号：CN107874751A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710885359.5
申请日：2017-09-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 阵内正树
IPC: A61B5/024
CPC classification number: A61B5/721 , A61B5/02416 , A61B5/1118 , A61B2560/0223 , A61B2562/0219 , G01J1/4257 , G01J1/44 , G01P13/00 , A61B5/02438 , A61B5/0059 , A61B5/02444 , A61B5/681 , A61B5/7225
Abstract: 本公开涉及脉动测量装置、光强度控制方法以及程序。存在对能够在测量开始之后根据测量情况的变化执行光学校准的需要。LED21向主体照射光。光学检测器22输出光学检测信号。信号质量计算部分14计算基于光学检测信号生成的脉动信号的信号质量。身体运动级别确定部分15基于由加速度传感器检测到的加速度来确定主体是否保持静止状态。当确定主体保持静止状态时光强度确定部分16基于脉动信号的信号质量来确定LED 21的发光量。
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